RU2007115723A - Мишень для источника ионно-плазменного распыления - Google Patents
Мишень для источника ионно-плазменного распыления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007115723A RU2007115723A RU2007115723/12A RU2007115723A RU2007115723A RU 2007115723 A RU2007115723 A RU 2007115723A RU 2007115723/12 A RU2007115723/12 A RU 2007115723/12A RU 2007115723 A RU2007115723 A RU 2007115723A RU 2007115723 A RU2007115723 A RU 2007115723A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- segment
- layer materials
- gas
- segments
- Prior art date
Links
- 239000007921 spray Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
Abstract
1. Мишень для источника ионно-плазменного рыспыления, причем мишень разделена на большое количество заменяемых сегментов (9) мишени и каждый сегмент (9) мишени содержит материал покрытия, при этом каждый сегмент (9) мишени граничит с по меньшей мере двумя смежными сегментами (9', 9'') мишени и при этом каждый сегмент мишени выполнен с возможностью соединения с основанием (2, 13, 15) посредством не более чем одного крепежного средства (7, 8, 10), отличающаяся тем, что крепежное средство (7, 8, 10) и сегмент (9) мишени образуют полость, в которой размещено электро-и/или теплопроводящее средство (6, 10, 11, 12, 27), способствующее равномерному распределению силы тока по поверхности сегмента (9) мишени и равномерному отводу в основание (2, 13, 15) выделяющейся на сегменте (9) мишени теплоты.2. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что электро- и теплопроводящее средство содержит контактную пластину (10, 11, 27).3. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что крепежное средство (7, 8, 10) содержит разъемное соединение (8, 12).4. Мишень по п.3, отличающаяся тем, что разъемное соединение (8, 12) предусмотрено для большого числа сегментов (9, 9', 9'', 9''', 9'''') мишени.5. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что основание (2, 13, 15) содержит охладитель (13), с которым электрически и теплопроводяще способен соединяться каждый сегмент (9) мишени.6. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что каждый сегмент (9) мишени полностью выполнен из материала покрытия.7. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере один сегмент (9) мишени содержит первый материал слоя или первую комбинацию материалов слоя, отличающиеся от материала слоя или комбинации материалов слоя второго сегмента (9, 9', 9'', 9''', 9'''') мишени.8. Способ нанесения покры�
Claims (12)
1. Мишень для источника ионно-плазменного рыспыления, причем мишень разделена на большое количество заменяемых сегментов (9) мишени и каждый сегмент (9) мишени содержит материал покрытия, при этом каждый сегмент (9) мишени граничит с по меньшей мере двумя смежными сегментами (9', 9'') мишени и при этом каждый сегмент мишени выполнен с возможностью соединения с основанием (2, 13, 15) посредством не более чем одного крепежного средства (7, 8, 10), отличающаяся тем, что крепежное средство (7, 8, 10) и сегмент (9) мишени образуют полость, в которой размещено электро-и/или теплопроводящее средство (6, 10, 11, 12, 27), способствующее равномерному распределению силы тока по поверхности сегмента (9) мишени и равномерному отводу в основание (2, 13, 15) выделяющейся на сегменте (9) мишени теплоты.
2. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что электро- и теплопроводящее средство содержит контактную пластину (10, 11, 27).
3. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что крепежное средство (7, 8, 10) содержит разъемное соединение (8, 12).
4. Мишень по п.3, отличающаяся тем, что разъемное соединение (8, 12) предусмотрено для большого числа сегментов (9, 9', 9'', 9''', 9'''') мишени.
5. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что основание (2, 13, 15) содержит охладитель (13), с которым электрически и теплопроводяще способен соединяться каждый сегмент (9) мишени.
6. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что каждый сегмент (9) мишени полностью выполнен из материала покрытия.
7. Мишень по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере один сегмент (9) мишени содержит первый материал слоя или первую комбинацию материалов слоя, отличающиеся от материала слоя или комбинации материалов слоя второго сегмента (9, 9', 9'', 9''', 9'''') мишени.
8. Способ нанесения покрытий на деталь, осуществляемый с источником ионно-плазменного распыления и мишенью по одному из пп.1-7, с газом для транспортирования выбитого материала покрытия к детали, в котором обеспечивают контактирование газа с поверхностью мишени, выбивание частиц из поверхности мишени, захват выбитых частиц потоком газа, покрытие детали частицами из потока газа, отличающийся тем, что обеспечивают выбивание потоком газа частиц для покрытия детали из каждого сегмента мишени по долям.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что поток газа выбивает частицы из сегментов мишени таким образом, что доля различных материалов слоя или комбинаций материалов слоя на детали соответствует доле сегментов (9, 9', 9'', 9''', 9'''') мишени с соответствующими материалами слоя или комбинациями материалов слоя на мишени, вследствие чего деталь по долям покрывается первым материалом слоя или первой комбинацией материалов слоя от первого сегмента (9) мишени и вторым материалом слоя или второй комбинацией материалов слоя от второго сегмента мишени (9', 9'', 9''', 9'''').
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что долю выбитых потоком газа различных материалов слоя или комбинаций материалов слоя изменяют с помощью подвижного относительно мишени газораспределительного узла.
11. Способ по п.8, отличающийся тем, что газ содержит инертный газ, в частности аргон, и/или газ образован в виде квазинейтральной плазмы.
12. Применение мишени по п.1 для источника нанесения покрытия при осуществлении способа ионно-плазменного распыления в потоке газа по п.8.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP06405178.2 | 2006-04-26 | ||
| EP06405178 | 2006-04-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007115723A true RU2007115723A (ru) | 2008-10-27 |
Family
ID=36869892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007115723/12A RU2007115723A (ru) | 2006-04-26 | 2007-04-25 | Мишень для источника ионно-плазменного распыления |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070251814A1 (ru) |
| EP (1) | EP1849887A1 (ru) |
| JP (1) | JP2007291524A (ru) |
| CN (1) | CN101067198A (ru) |
| CA (1) | CA2583982A1 (ru) |
| RU (1) | RU2007115723A (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080078268A1 (en) | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof |
| US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
| US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
| US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US8673122B2 (en) | 2009-04-07 | 2014-03-18 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Hot tile sputtering system |
| US9463755B2 (en) | 2009-05-19 | 2016-10-11 | Paul H. Kreft | License plate mount |
| US20100294901A1 (en) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | Kreft Paul H | License plate mount |
| DE102010015149A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates innerhalb einer Vakuumkammer mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung |
| US9412568B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-08-09 | H.C. Starck, Inc. | Large-area sputtering targets |
| US20140061039A1 (en) * | 2012-09-05 | 2014-03-06 | Applied Materials, Inc. | Target cooling for physical vapor deposition (pvd) processing systems |
| EP3048181B1 (de) * | 2015-01-20 | 2018-12-19 | Sturm Maschinen- & Anlagenbau GmbH | Anlage und Verfahren zur metallischen Beschichtung eines Werkstücks |
| JP6601601B1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-11-06 | Ｊｆｅスチール株式会社 | ターゲット交換装置および表面処理設備 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4200510A (en) * | 1979-03-19 | 1980-04-29 | Delbar Products, Inc. | Assembly and method to extend useful life of sputtering targets |
| US5190630A (en) * | 1989-03-01 | 1993-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| FR2685011B1 (fr) * | 1991-12-13 | 1994-02-04 | Elf Aquitaine Ste Nale | Procede de preparation d'un element de cible pour pulverisation cathodique et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element. |
| DE4414470A1 (de) * | 1994-04-26 | 1995-11-02 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
| DE4426751A1 (de) * | 1994-07-28 | 1996-02-01 | Leybold Ag | Schwimmende Zentralbefestigung, insbesondere für großflächige Sputterkatoden |
| DE10227048A1 (de) * | 2002-06-17 | 2004-01-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels physikalischer Dampfabscheidung über den Hohlkathodeneffekt |
| EP1639620A2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-29 | Cabot Corporation | Method and design for sputter target attachment to a backing plate |
| US7550066B2 (en) * | 2004-07-09 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Staggered target tiles |
| US7550055B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
| EP1835525A1 (de) * | 2006-03-16 | 2007-09-19 | Sulzer Metco AG (Switzerland) | Targethaltevorrichtung |
-
2007
- 2007-03-28 EP EP07105115A patent/EP1849887A1/de not_active Withdrawn
- 2007-04-03 CA CA002583982A patent/CA2583982A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-24 US US11/789,514 patent/US20070251814A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-25 JP JP2007114957A patent/JP2007291524A/ja not_active Abandoned
- 2007-04-25 RU RU2007115723/12A patent/RU2007115723A/ru not_active Application Discontinuation
- 2007-04-25 CN CNA2007101019039A patent/CN101067198A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070251814A1 (en) | 2007-11-01 |
| JP2007291524A (ja) | 2007-11-08 |
| EP1849887A1 (de) | 2007-10-31 |
| CA2583982A1 (en) | 2007-10-26 |
| CN101067198A (zh) | 2007-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2007115723A (ru) | Мишень для источника ионно-плазменного распыления | |
| CN101787519B (zh) | 用于衬底处理腔室的工艺配件 | |
| US9249544B2 (en) | Road finisher, screed plate, and tamper bar comprising a heating element and method to manufacture the same | |
| JP2006104575A5 (ru) | ||
| TW200632118A (en) | Multiple vacuum evaporation coating device and method for controlling the same | |
| ATE459092T1 (de) | Beschichtungsvorrichtung mit grossflächiger anordnung von drehbaren magnetronkathoden | |
| WO2007081653A3 (en) | Apparatus for an optimized plasma chamber grounded electrode assembly | |
| WO2008071732A3 (en) | Rf substrate bias with high power impulse magnetron sputtering (hipims) | |
| JP2012124168A5 (ru) | ||
| MY175526A (en) | High-power sputtering source | |
| WO2008120656A1 (ja) | プラズマガン周辺を電気的中性にしたプラズマ生成装置 | |
| US6039855A (en) | Target for the sputtering cathode of a vacuum coating apparatus and method for its manufacture | |
| TWI308934B (en) | Large area elastomer bonded sputtering target and method for manufacturing | |
| JP2017133111A (ja) | 物理気相堆積チャンバターゲット用の冷却リング | |
| TW200715447A (en) | Electrostatic chuck and electrode sheet for electrostatic chuck | |
| DE59108048D1 (de) | Grossflächige Kathodenanordnung mit gleichmässigem Abbrandverhalten | |
| JP2012238629A5 (ru) | ||
| CN101302619A (zh) | 结晶器铜板超音速喷涂方法 | |
| US8780952B2 (en) | Roof system for electric arc furnace and method for manufacturing the same | |
| TW200633099A (en) | Metallization target optimization method providing enhanced metallization layer uniformity | |
| CN1891852B (zh) | 溅射装置 | |
| KR20160029081A (ko) | 간접 냉각 디바이스에 적응된 냉각 플레이트를 구비하는 타깃 | |
| CA2798210C (en) | Method for spark deposition using ceramic targets | |
| CN110129755A (zh) | 磁控溅射靶材和磁控溅射装置 | |
| CN107557733A (zh) | 一种电触头镀银的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20101001 |