RU2007113927A - SOLID SOURCE OF ELECTROMAGNETIC RADIATION - Google Patents

SOLID SOURCE OF ELECTROMAGNETIC RADIATION Download PDF

Info

Publication number
RU2007113927A
RU2007113927A RU2007113927/28A RU2007113927A RU2007113927A RU 2007113927 A RU2007113927 A RU 2007113927A RU 2007113927/28 A RU2007113927/28 A RU 2007113927/28A RU 2007113927 A RU2007113927 A RU 2007113927A RU 2007113927 A RU2007113927 A RU 2007113927A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
solid
state source
source according
magnetization
Prior art date
Application number
RU2007113927/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2344528C1 (en
Inventor
Юрий Васильевич Гуляев (RU)
Юрий Васильевич Гуляев
Петр Ефимович Зильберман (RU)
Петр Ефимович Зильберман
Эрнест Майорович Эпштейн (RU)
Эрнест Майорович Эпштейн
Андрей Иванович Панас (RU)
Андрей Иванович Панас
Алексей Ильич Крикунов (RU)
Алексей Ильич Крикунов
Original Assignee
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук (ИРЭ РАН) (RU)
Институт Радиотехники И Электроники Российской Академии Наук (Ирэ Ран)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт радиотехники и электроники Российской академии наук (ИРЭ РАН) (RU), Институт Радиотехники И Электроники Российской Академии Наук (Ирэ Ран) filed Critical Институт радиотехники и электроники Российской академии наук (ИРЭ РАН) (RU)
Priority to RU2007113927/28A priority Critical patent/RU2344528C1/en
Publication of RU2007113927A publication Critical patent/RU2007113927A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2344528C1 publication Critical patent/RU2344528C1/en

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

1. Твердотельный источник электромагнитного излучения, выполненный в виде многослойной структуры, содержащей первый слой из проводящего ферромагнитного материала, второй слой из проводящего ферромагнитного материала, расположенный под первым слоем, и третий слой из проводящего материала, расположенный под вторым слоем, отличающийся тем, что материал второго слоя отличается от материала первого и третьего слоев, при этом спиновое сопротивление материала первого слоя, по меньшей мере, в 3 раза превышает спиновое сопротивление материала второго слоя, а спиновое сопротивление материала третьего слоя превышает спиновое сопротивление материала второго слоя.2. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что степень поляризации спинов носителей тока в материале первого слоя составляет 80-100%, а степень поляризации спинов носителей тока в материале второго слоя составляет 10-30%.3. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что первый слой имеет фиксированную намагниченность, а второй слой имеет нефиксированную намагниченность, направленную антипараллельно относительно намагниченности первого слоя.4. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что третий слой выполнен из полупроводника.5. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что третий слой выполнен из ферромагнитного материала и имеет фиксированную намагниченность, направленную антипараллельно относительно намагниченности первого слоя.1. A solid-state source of electromagnetic radiation, made in the form of a multilayer structure containing a first layer of conductive ferromagnetic material, a second layer of conductive ferromagnetic material located under the first layer, and a third layer of conductive material located under the second layer, characterized in that the material the second layer is different from the material of the first and third layers, while the spin resistance of the material of the first layer is at least 3 times higher than the spin resistance of the material torogo layer and spin resistance of the third material layer exceeds the resistance of the second spin sloya.2 material. The solid-state source according to claim 1, characterized in that the degree of polarization of the spins of the current carriers in the material of the first layer is 80-100%, and the degree of polarization of the spins of the current carriers in the material of the second layer is 10-30%. The solid-state source according to claim 1, characterized in that the first layer has a fixed magnetization, and the second layer has an unfixed magnetization directed antiparallel to the magnetization of the first layer. A solid state source according to claim 1, characterized in that the third layer is made of a semiconductor. The solid-state source according to claim 1, characterized in that the third layer is made of ferromagnetic material and has a fixed magnetization directed antiparallel with respect to the magnetization of the first layer.

Claims (5)

1. Твердотельный источник электромагнитного излучения, выполненный в виде многослойной структуры, содержащей первый слой из проводящего ферромагнитного материала, второй слой из проводящего ферромагнитного материала, расположенный под первым слоем, и третий слой из проводящего материала, расположенный под вторым слоем, отличающийся тем, что материал второго слоя отличается от материала первого и третьего слоев, при этом спиновое сопротивление материала первого слоя, по меньшей мере, в 3 раза превышает спиновое сопротивление материала второго слоя, а спиновое сопротивление материала третьего слоя превышает спиновое сопротивление материала второго слоя.1. A solid-state source of electromagnetic radiation, made in the form of a multilayer structure containing a first layer of conductive ferromagnetic material, a second layer of conductive ferromagnetic material located under the first layer, and a third layer of conductive material located under the second layer, characterized in that the material the second layer is different from the material of the first and third layers, while the spin resistance of the material of the first layer is at least 3 times higher than the spin resistance of the material torogo layer and spin resistance exceeds the third material layer spin resistance of the second material layer. 2. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что степень поляризации спинов носителей тока в материале первого слоя составляет 80-100%, а степень поляризации спинов носителей тока в материале второго слоя составляет 10-30%.2. The solid-state source according to claim 1, characterized in that the degree of polarization of the spins of the current carriers in the material of the first layer is 80-100%, and the degree of polarization of the spins of the current carriers in the material of the second layer is 10-30%. 3. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что первый слой имеет фиксированную намагниченность, а второй слой имеет нефиксированную намагниченность, направленную антипараллельно относительно намагниченности первого слоя.3. The solid-state source according to claim 1, characterized in that the first layer has a fixed magnetization, and the second layer has a non-fixed magnetization directed antiparallel to the magnetization of the first layer. 4. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что третий слой выполнен из полупроводника.4. The solid-state source according to claim 1, characterized in that the third layer is made of a semiconductor. 5. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что третий слой выполнен из ферромагнитного материала и имеет фиксированную намагниченность, направленную антипараллельно относительно намагниченности первого слоя.5. The solid-state source according to claim 1, characterized in that the third layer is made of ferromagnetic material and has a fixed magnetization directed antiparallel with respect to the magnetization of the first layer.
RU2007113927/28A 2007-04-16 2007-04-16 Solid electromagnetic radiation source RU2344528C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007113927/28A RU2344528C1 (en) 2007-04-16 2007-04-16 Solid electromagnetic radiation source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007113927/28A RU2344528C1 (en) 2007-04-16 2007-04-16 Solid electromagnetic radiation source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007113927A true RU2007113927A (en) 2008-10-27
RU2344528C1 RU2344528C1 (en) 2009-01-20

Family

ID=40376156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007113927/28A RU2344528C1 (en) 2007-04-16 2007-04-16 Solid electromagnetic radiation source

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2344528C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2464683C1 (en) * 2011-04-26 2012-10-20 Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Solid-state electromagnetic radiation source

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2536327C2 (en) * 2013-03-12 2014-12-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Generator of subteraherz and teraherz emission based on optic transistor
RU2617732C1 (en) * 2015-12-18 2017-04-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Solid-state source of electromagnetic radiation
RU2715892C1 (en) * 2019-07-09 2020-03-04 Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российская академия наук" Solid-state electromagnetic radiation source and method of its manufacturing
RU2742569C1 (en) * 2020-05-29 2021-02-08 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Oscillator for terahertz generator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2464683C1 (en) * 2011-04-26 2012-10-20 Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Solid-state electromagnetic radiation source

Also Published As

Publication number Publication date
RU2344528C1 (en) 2009-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Fang et al. Experimental demonstration of spintronic broadband microwave detectors and their capability for powering nanodevices
US8792264B2 (en) Method of switching out-of-plane magnetic tunnel junction cells
ATE313848T1 (en) HIGH PERFORMANCE MAGNETORRESISTIVE SPIN VALVE ARRANGEMENT
US20110133298A1 (en) Spin-Transfer Switching Magnetic Element Utilizing a Composite Free Layer Comprising a Superparamagnetic Layer
RU2007113927A (en) SOLID SOURCE OF ELECTROMAGNETIC RADIATION
TWI406306B (en) Highly coupled inductor
JP5823573B2 (en) Magnetoresistive random access memory (MRAM) having integrated magnetic thin film enhancement circuit elements
RU2011143175A (en) THERMAL MAGNETIC MEMORY ELEMENT WITH RANDOM ACCESS WITH INCREASED DURABILITY
KR101108582B1 (en) Apparatus for storing electrical energy
JP2013258393A5 (en)
Yamane et al. Spin torque switching of perpendicularly magnetized CoFeB-based tunnel junctions with high thermal tolerance
Makarov et al. Reduction of switching time in pentalayer magnetic tunnel junctions with a composite‐free layer
Abreu Araujo et al. Microwave signal emission in spin-torque vortex oscillators in metallic nanowires: Experimental measurements and micromagnetic numerical study
KR101939005B1 (en) Magnetic tunnel junctions
JP5082060B2 (en) Low characteristic impedance power supply / ground pair line structure
US8593863B2 (en) Magnetic resistance memory apparatus having multi levels and method of driving the same
US20130314192A1 (en) Inductor with stacked conductors
TW202240610A (en) Thin film inductor element and thin film variable inductor element
Giang et al. Electric field-controlled magnetization in exchange biased IrMn/Co/PZT multilayers
Carpentieri et al. Wideband microwave signal to trigger fast switching processes in magnetic tunnel junctions
Sato et al. MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low intrinsic critical current and high thermal stability
Deb et al. Optical and Magneto‐Tunable Electrical Transport Across La0. 7Sr0. 3MnO3, Zn0. 3Ni0. 7Fe2O4/CuPc Hybrid Interfaces
Surawanitkun et al. Modeling of switching energy of magnetic tunnel junction devices with tilted magnetization
Sbiaa et al. High speed in spin‐torque‐based magnetic memory using magnetic nanocontacts
Zhao et al. Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in L10-MnGa Based Antiferromagnetic Perpendicular Tunnel Junction

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120417