RU2004105093A -
METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE N-INSB-SIO2-P-SI
- Google Patents
METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE N-INSB-SIO2-P-SI
Download PDF
Info
Publication number
RU2004105093A
RU2004105093ARU2004105093/28ARU2004105093ARU2004105093ARU 2004105093 ARU2004105093 ARU 2004105093ARU 2004105093/28 ARU2004105093/28 ARU 2004105093/28ARU 2004105093 ARU2004105093 ARU 2004105093ARU 2004105093 ARU2004105093 ARU 2004105093A
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юрий Анатольевич Никольский (RU), Юрий Анатольевич Никольский, Сергей Евгеньевич Зюзин (RU), Сергей Евгеньевич Зюзин, Ирина Михайловна Кот (RU), Ирина Михайловна Кот, Любовь Александровна Плешакова (RU), Любовь Александровна ПлешаковаfiledCriticalЮрий Анатольевич Никольский (RU)
Priority to RU2004105093/28ApriorityCriticalpatent/RU2004105093A/en
Publication of RU2004105093ApublicationCriticalpatent/RU2004105093A/en
Способ получения гетероструктуры n-InSb-SiO2-p-Si, отличающийся тем, что гетероструктура приготовлена путем расплавления кристаллика n-InSb на подложке SiO2-p-Si с последующим растеканием капли до толщины ~10÷20 мкм под действием силы тяжести массивного груза.A method for producing an n-InSb-SiO 2 -p-Si heterostructure, characterized in that the heterostructure is prepared by melting an n-InSb crystal on a SiO 2 -p-Si substrate, followed by spreading of the droplet to a thickness of ~ 10 ÷ 20 μm under the influence of massive gravity cargo.
RU2004105093/28A2004-02-202004-02-20
METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE N-INSB-SIO2-P-SI
RU2004105093A
(en)
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)
METHOD OF PREPARING SURFACE OF InSb SUBSTRATE FOR HETEROSTRUCTURE CULTIVATION BY METHOD OF MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)
METHOD OF PREPARING SURFACE OF InSb SUBSTRATE FOR HETEROSTRUCTURE CULTIVATION BY METHOD OF MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR MICRO- OR NANO-FILM, SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING SUCH A MICRO- OR NAN-WIRE, AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE