RU2003134615ARU2003134615/28ARU2003134615ARU2003134615ARU 2003134615 ARU2003134615 ARU 2003134615ARU 2003134615/28 ARU2003134615/28 ARU 2003134615/28ARU 2003134615 ARU2003134615 ARU 2003134615ARU 2003134615 ARU2003134615 ARU 2003134615A
Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) (RU)
Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) (RU), Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ)filedCriticalДагестанский государственный технический университет (ДГТУ) (RU)
Priority to RU2003134615/28ApriorityCriticalpatent/RU2269184C2/en
Publication of RU2003134615ApublicationCriticalpatent/RU2003134615A/en
Application grantedgrantedCritical
Publication of RU2269184C2publicationCriticalpatent/RU2269184C2/en
Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment
(AREA)
Claims (1)
Термоэлектрическая батарея ИВТМ-1, состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно р- и n-типа, отличающаяся тем, что ветви р-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины в одной перпендикулярной к ней плоскости, при этом коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей р- и n-типа, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, причем нечетные коммутационные пластины выступают за одну поверхность структуры, а четные коммутационные пластины - за другую, и покрыты защитным слоем высокотеплопроводного диэлектрика, отношение же площадей выступающих частей четных и нечетных коммутационных пластин определяется из соотношенияThe IVTM-1 thermoelectric battery, consisting of semiconductor thermoelements connected in series to the electric circuit through the connection plates, each of which is formed by two branches made of p-type and n-type semiconductor, respectively, characterized in that the p-type and n-type branches are in contact end surfaces, respectively, with two opposite surfaces of the patch plate in one plane perpendicular to it, while the patch plates have a slightly larger area, than the cross-sectional area of the p- and n-type branches, as a result of which they protrude beyond the surface of the structure formed by the branches of the thermoelectric battery, the odd patch plates protrude from one surface of the structure, and the even patch plates protrude from the other, and are covered with a protective layer of a highly heat-conducting dielectric, the ratio of the areas of the protruding parts of the even and odd patch plates is determined from the ratio
где S2, S1, α2, α1, Т2, Т1, - соответственно площади, коэффициенты теплообмена поверхностей с окружающими их средами и усредненные температуры выступающих частей четных и нечетных коммутационных пластин, Tср, - температура окружающей среды; ε - холодильный коэффициент термоэлектрической батареи при ее работе в качестве холодильника или коэффициент преобразования энергии в случае ее работы в качестве генератора электрической энергии.where S 2 , S 1 , α 2 , α 1 , T 2 , T 1 , respectively, are the areas, heat transfer coefficients of surfaces with their environments and the average temperatures of the protruding parts of the even and odd patch plates, T cf , is the ambient temperature; ε is the refrigeration coefficient of a thermoelectric battery when it operates as a refrigerator or the energy conversion coefficient in the case of its operation as an electric energy generator.
