RU2003129C1 - Способ определени электросопротивлени высокотемпературной сверхпровод щей керамики - Google Patents

Description

контактный слой из золота или другого металла , в каждое отверстие в образце ввод т проволочный токоподвод, который припаивают к переходному контактному слою, так, что припой заполн ет отверстие с вставленным в него проволочным токоподводом. Таким образом, между последним и ВТСП керамикой обеспечиваетс  надежный электрический контакт.

Предлагаемый способ реализуетс  следующим образом (см. фиг. 1). Токоподводы из точек F и В подсоедин ют к вольтметру G, токоподводы из точек С и D подсоедин ют к регулировочному сопротивлению R и к источнику посто нного тока Е. На основе показаний вольтметра G и амперметра А можно определить сопротивление R на длине FB. По закону Ома R -т- где I показани  амперметра А в амперах, Д1) - показани  вольтметра G в вольтах.

Пример 1. Предлагаемый способ использован дл  определени  четырехзон- довым методом электросопротивлени  образца ВТСП керамики состава УВааСизОт-х- По стандартной керамической технологии, основанной на твердофазном синтезе смеси порошков У20з, СиО и СаСОз при температуре 1223 К в атмосфере кислорода под давлением 1 атм, изготовлены таблетки диаметром 20 и толщиной 3 или 10 мм.

Рентгеноструктурный фазовый анализ материала таблеток, выполненный на Сг К а -излучении, показал, что все таблетки состо ли только из сверхпровод щей фазы УВа2СизОу-х с ромбической структурой. По данным металлографического анализа и измерений плотности суммарна  пористость материала таблеток достигала 30%, причем была св зана с присутствием пор и трещин в структуре материала, особенно многочисленных на поверхности таблеток. Две из вышеуказанных таблеток толщиной 3 мм из ВТСП порошка использовали: одну дл  изготовлени  образца по схеме, приведенной на фиг. 2, другую - дл  изготовлени  образца дл  измерений известным способом с поверхностным расположением электрических контактов. С помощью предлагаемого и известного способов измер ли температурную зависимость электросопротивлени  ВТСП керамики в интервале 77-100 К. Предлагаемый способ позволил обнаружить воб- разце сверхпровод щий переход при температуре Тс 90К, ширина перехода составила ДТ 3 К. Полученные значени  Тс и Л Т характерны дл  с сверхпровод щей фазы УВааСизОт-х, что хорошо согласуетс  с вышеприведенными результатами рентге- 5 неструктурного фазового анализа.

Примен   известный способ с поверхностным расположением электрических контактов, сверхпровод щий переход в ВТСП керамике обнаружить не удалось вви0 ду отсутстви  тока в измерительной цепи, протеканию которого преп тствовали многочисленные поры и трещины в структуре материала образца.

Пример 2. Две таблетки толщиной 10

5 мм из ВТСП керамики состава УВз2Сиз07-х, изготовленные и исследованные, как указано в примере 1 использовали: одну дл  изготовлени  образца по схеме, приведенной на фиг. 3, другую - дл  изготовлени  образца

0 дл  измерений известным способом с поверхностным расположением электрических контактов. С помощью предлагаемого и известного способов измер ли четырех- зондовым методом температурную зависи5 мость электросопротивлени  ВТСП керамики в интервале 77-100 К. Предлагаемый способ позволил обнаружить в образце сверхпровод щий переход при температуре Тс 90.5К, ширина которого составила А Т

0 4 К. Полученные значени  Тс и Д Т характерны дл  ВТСП фазы УВааСизОт-х, что хорошо согласуетс  с вышеприведенными результатами рентгеноструктурного фазового анализа.

5 Примен   известный способ, как и в примере 1, сверхпровод щий переход в ВТСП керамике обнаружить не удалось ввиду отсутстви  тока в измерительной цепи. Таким образом, предлагаемый способ

0 обеспечивает, по сравнению с известным, повышенную надежность измерени  электросопротивлени  образцов из ВТСП керамики , содержащей поверхностные и объемные дефекты и непровод щие фазы,

5 которые преп тствуют прохождению тока через образец. Тем самым предлагаемый способ позвол ет использовать метод измерени  электросопротивлени  дл  обнаружени  сверхпровод щего состо ни 

0 материала и определ ть критические параметры такого состо ни  в материале с многочисленными дефектами типа пор, трещин и частицами непровод щих фаз.

5 (56) Appl. Phys Leu. 1988, v. 52, Kb 12, p. 1014-1016.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   напр жени  на образце и определение ис- СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРО- комой величины по формуле R от- СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРА-

   ТУРНОЙСВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ личающийс  тем, что измерение силы тока

   КЕРАМИКИ, включающий измерение силы 5 и падение напр жени  осуществл ют в те- тока через образец, измерение падени  ле °°Разца

   Фиг.1

   Фиг.1

   Фс/г.З