RU2003107545A -
SEMICONDUCTOR LASER RADIATOR INJECTION
- Google Patents
SEMICONDUCTOR LASER RADIATOR INJECTION
Info
Publication number
RU2003107545A
RU2003107545ARU2003107545/28ARU2003107545ARU2003107545ARU 2003107545 ARU2003107545 ARU 2003107545ARU 2003107545/28 ARU2003107545/28 ARU 2003107545/28ARU 2003107545 ARU2003107545 ARU 2003107545ARU 2003107545 ARU2003107545 ARU 2003107545A
Государственное унитарное научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ"
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное унитарное научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ"filedCriticalГосударственное унитарное научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ"
Priority to RU2003107545/28ApriorityCriticalpatent/RU2241287C1/en
Priority claimed from RU2003107545/28Aexternal-prioritypatent/RU2241287C1/en
Application grantedgrantedCritical
Publication of RU2241287C1publicationCriticalpatent/RU2241287C1/en
Publication of RU2003107545ApublicationCriticalpatent/RU2003107545A/en
1. Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный, содержащий в герметичной оболочке, состоящей из корпуса с выводами и крышки со стеклом, решетку одинаковых блоков лазерных диодов с излучающими зеркалами, установленных на корпусе, отличающийся тем, что число блоков лазерных диодов n определено выражением n=n⊥·n’’, где1. A laser semiconductor injection emitter, containing in a sealed enclosure consisting of a housing with leads and a lid with glass, a grating of identical laser diode blocks with radiating mirrors mounted on the housing, characterized in that the number of laser diode blocks n is determined by the expression n = n⊥ N '' , where
- число звеньев излучателя,
- the number of links of the emitter,
- число блоков лазерных диодов в каждом звене,
- the number of blocks of laser diodes in each link,θy - расходимость излучения в вертикальной плоскости излучателя, градусов,θ y - the divergence of radiation in the vertical plane of the emitter, degrees,θ⊥ - типовая расходимость излучения блока лазерных диодов в плоскости перпендикулярной р-п переходам, градусов,θ⊥ is the typical divergence of the radiation of a block of laser diodes in a plane perpendicular to the pn junctions, degrees,θx - расходимость излучения в горизонтальной плоскости излучателя, градусов,θ x - the divergence of radiation in the horizontal plane of the emitter, degrees,θ’’ - типовая расходимость излучения блока лазерных диодов в плоскости параллельной р-п переходам, градусов,θ '' is the typical divergence of the radiation of a block of laser diodes in a plane parallel to the pn junctions, degrees,при этом в вертикальной плоскости излучателя все n’’ блоков лазерных диодов каждого звена n1 развернуты на один и тот же для данного звена угол, последовательность которых в вертикальной плоскости излучателя между нормалями к плоскостям излучающих зеркал блоков лазерных диодов звеньев образует ряд: 0, αy, 2αy,...,(n⊥-1)αy где
, градусов, а в горизонтальной плоскости излучателя все n,, блоков лазерных диодов каждого звена развернуты на разные углы, последовательность которых в горизонтальной плоскости излучателя между нормалями к плоскостям излучающих зеркал блоковin the vertical plane of the emitter, all n '' blocks of laser diodes of each link n 1 are rotated at the same angle for the given link, the sequence of which in the vertical plane of the emitter between the normals to the planes of the emitting mirrors of the blocks of laser diodes of the links forms a row: 0, α y , 2α y , ..., (n⊥-1) α y where
, degrees, and in the horizontal plane of the emitter, all n ,, blocks of laser diodes of each link are rotated at different angles, the sequence of which in the horizontal plane of the emitter between the normals to the planes of the radiating mirrors of the blocksлазерных диодов каждого звена образует ряд: 0, αx, 2αx,...,(n’’-1)αx, где
, градусов, причем направления р-п переходов на излучающих зеркалах всех блоков лазерных диодов ориентированы параллельно горизонтальной плоскости излучателя.laser diodes of each link forms a row: 0, α x , 2α x , ..., (n '' -1) α x , where
, degrees, and the directions of pn junctions on the radiating mirrors of all blocks of laser diodes are oriented parallel to the horizontal plane of the emitter.2. Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный по п.1, отличающийся тем, что в вертикальной плоскости излучателя все блоки лазерных диодов звеньев симметрично развернуты навстречу друг другу так, что ряд углов 0, αy, 2αy,...,(n⊥-1)αy симметричен относительно оси излучателя, а в горизонтальной плоскости излучателя все блоки лазерных диодов каждого звена симметрично развернуты навстречу друг другу так, что ряд углов 0, αx, 2αx,...,(n’’-1)αx, симметричен относительно оси излучателя, при этом все блоки лазерных диодов расположены так, что координаты центра каждого блока лазерных диодов относительно оси излучателя в плоскости перпендикулярной оси излучателя последовательно увеличены с ростом угла разворота в указанных симметричных рядах углов относительно оси излучателя, причем эти координаты выбраны минимальными.2. The laser semiconductor injection emitter according to claim 1, characterized in that in the vertical plane of the emitter all the blocks of the laser diodes of the links are symmetrically deployed towards each other so that a number of angles 0, α y , 2α y , ..., (n⊥- 1) α y is symmetric about the axis of the emitter, and in the horizontal plane of the emitter all the blocks of laser diodes of each link are symmetrically turned towards each other so that a number of angles 0, α x , 2α x , ..., (n '' -1) α x, symmetric with respect to the emitter axis, all the blocks of laser diodes are arranged so that coordinates inati center of each block with respect to the emitter diode laser axis in a plane perpendicular to the axis of the emitter successively increased with increasing angle of rotation in said rows of symmetrical angles relative to the axis of the emitter, and these coordinates are chosen minimum.
