RU2002128973A - Способ изготовления датчика для анализа сероводорода в газовой среде - Google Patents
Способ изготовления датчика для анализа сероводорода в газовой средеInfo
- Publication number
- RU2002128973A RU2002128973A RU2002128973/28A RU2002128973A RU2002128973A RU 2002128973 A RU2002128973 A RU 2002128973A RU 2002128973/28 A RU2002128973/28 A RU 2002128973/28A RU 2002128973 A RU2002128973 A RU 2002128973A RU 2002128973 A RU2002128973 A RU 2002128973A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- hydrogen
- sensor
- analysis
- producing
- gas media
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title 2
- -1 HYDROGEN HYDROGEN Chemical class 0.000 title 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N Phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ изготовления датчика для анализа сероводорода в газовой среде, включающий напыление на монокристаллическую пластинку арсенида галлия слоя CuPc и легирование его кислородом в низком вакууме, отличающийся тем, что датчик выполнен на основе гетероперехода n-GaAs/p-CuPc, причем, на n-область подается положительный потенциал.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002128973/28A RU2231053C1 (ru) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | Способ изготовления датчика для анализа сероводорода в газовой среде |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002128973/28A RU2231053C1 (ru) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | Способ изготовления датчика для анализа сероводорода в газовой среде |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002128973A true RU2002128973A (ru) | 2004-04-27 |
| RU2231053C1 RU2231053C1 (ru) | 2004-06-20 |
Family
ID=32846298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002128973/28A RU2231053C1 (ru) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | Способ изготовления датчика для анализа сероводорода в газовой среде |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2231053C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012125592A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | California Institute Of Technology | Localized deposition of polymer film on nanocantilever chemical vapor sensors by surface-initiated atom transfer radical polymerization |
| RU2538415C1 (ru) * | 2013-07-17 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") | Способ прецизионного легирования тонких пленок на поверхности арсенида галлия |
-
2002
- 2002-10-29 RU RU2002128973/28A patent/RU2231053C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2007018653A3 (en) | High electron mobility electronic device structures comprising native substrates and methods for making the same | |
| WO2004053929A3 (en) | Semiconductor nanocrystal heterostructures | |
| WO2007120283A3 (en) | Transistor with immersed contacts and methods of forming thereof | |
| EP1777737A4 (en) | HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD OF MAKING THE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE TRANSISTOR | |
| WO2007040749A3 (en) | A method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress | |
| WO2007025280A3 (en) | Electrochemical cell for the production of synthesis gas using atmospheric air and water | |
| WO2005057630A3 (en) | Manufacturable low-temperature silicon carbide deposition technology | |
| TW200634976A (en) | Method for forming a multiple layer passivation film and a device incorporating the same | |
| CA2189562A1 (en) | Apparatus and Method for Growing Anaerobic Microorganisms | |
| ATE556450T1 (de) | Dichtungsanordnung mit silberbasislot für eine hochtemperaturbrennstoffzelle und verfahren zum herstellen eines brennstoffzellenstapels | |
| EP1261059A3 (en) | Cell plate structure for fuel cell, manufacturing method thereof and solid electrolyte type fuel cell | |
| EP1598443A3 (en) | Superconductivity in boron-doped diamond thin film | |
| TW200705712A (en) | Method of producing nitride-based semiconductor device, and light-emitting device produced thereby | |
| WO2003094318A3 (en) | Device and method to expand operating range of a fuel cell stack | |
| CA2522702A1 (en) | Fuel cell | |
| EP1608033A3 (de) | Substrat mit integrierter Dichtung | |
| WO2004071981A3 (en) | Method of depositing dlc on substrate | |
| WO2005065232A3 (en) | Procedure for starting up a fuel cell using a fuel purge | |
| ATE475998T1 (de) | Filteranordnung für eine brennstoffzelle | |
| DE502005005453D1 (de) | Dichtung mit Träger und deren Herstellung | |
| WO2004048958A3 (en) | Nanotube sensor | |
| RU2002128973A (ru) | Способ изготовления датчика для анализа сероводорода в газовой среде | |
| CA2399127A1 (en) | Device and method to optimize combustion of hydrocarbons | |
| CA2437536A1 (en) | Fuel cell and method of operating the same | |
| JP2002270615A5 (ru) |