RU2002115875A - METHOD FOR PRODUCING EXTREME UV RADIATION AND ITS SOURCE, APPLICATION IN LITHOGRAPHY - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING EXTREME UV RADIATION AND ITS SOURCE, APPLICATION IN LITHOGRAPHY

Info

Publication number
RU2002115875A
RU2002115875A RU2002115875/28A RU2002115875A RU2002115875A RU 2002115875 A RU2002115875 A RU 2002115875A RU 2002115875/28 A RU2002115875/28 A RU 2002115875/28A RU 2002115875 A RU2002115875 A RU 2002115875A RU 2002115875 A RU2002115875 A RU 2002115875A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
extreme ultraviolet
laser beam
source
radiation
Prior art date
Application number
RU2002115875/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2249926C2 (en
Inventor
Даниель БАБОНО
Реми МАРМОРЕ
Лоранс БОННЕ
Original Assignee
Коммиссариат А Л`Энержи Атомик
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR9914285A external-priority patent/FR2801113B1/en
Application filed by Коммиссариат А Л`Энержи Атомик filed Critical Коммиссариат А Л`Энержи Атомик
Publication of RU2002115875A publication Critical patent/RU2002115875A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2249926C2 publication Critical patent/RU2249926C2/en

Links

Claims (11)

1. Способ получения экстремального ультрафиолетового излучения, согласно которому используют по меньшей мере одну твердую мишень (28, 42), имеющую первую и вторую поверхности, при этом эта мишень способна излучать в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне спектра за счет взаимодействия с лазерным лучом (34), и лазерный луч фокусируют на первой поверхности (30) мишени, отличающийся тем, что мишень (28, 42) содержит материал, который способен излучать в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне спектра при взаимодействии с лазерным лучом, и что толщина мишени находится в диапазоне от около 0,05 мкм до около 5 мкм, при этом мишень способна излучать анизотропно часть (36) экстремального ультрафиолетового излучения из второй поверхности (37) этой мишени, и что эту часть экстремального ультрафиолетового излучения собирают и передают для использования этой части.1. A method of obtaining extreme ultraviolet radiation, according to which at least one solid target (28, 42) is used having a first and second surface, and this target is capable of emitting in the extreme ultraviolet range of the spectrum due to interaction with a laser beam (34), and the laser beam is focused on the first surface (30) of the target, characterized in that the target (28, 42) contains material that is capable of emitting in the extreme ultraviolet range of the spectrum when interacting with the laser beam, and that the target is in the range from about 0.05 μm to about 5 μm, while the target is capable of anisotropically emitting part (36) of extreme ultraviolet radiation from the second surface (37) of this target, and that this part of extreme ultraviolet radiation is collected and transmitted for use this part. 2. Источник экстремального ультрафиолетового излучения, при этом этот источник содержит по меньшей мере одну твердую мишень (28, 42), имеющую первую и вторую поверхности, при этом эта мишень способна излучать в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне спектра за счет взаимодействия с лазерным лучом, сфокусированным на первой поверхности (30) мишени, отличающийся тем, что мишень (28, 42) содержит материал, который способен излучать в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне спектра при взаимодействии с лазерным лучом, и что толщина мишени находится в диапазоне от около 0,05 мкм до около 5 мкм, за счет чего мишень способна анизотропно излучать часть (36) экстремального ультрафиолетового излучения из второй поверхности (37) этой мишени, при этом эта часть экстремального ультрафиолетового излучения собирается и передается для использования этой части.2. A source of extreme ultraviolet radiation, wherein this source contains at least one solid target (28, 42) having first and second surfaces, and this target is capable of emitting in the extreme ultraviolet range of the spectrum due to interaction with a laser beam focused on the first surface (30) of the target, characterized in that the target (28, 42) contains material that is capable of emitting in the extreme ultraviolet range of the spectrum when interacting with a laser beam, and that the thickness of the target is found range from about 0.05 μm to about 5 μm, due to which the target is capable of anisotropically emitting part (36) of extreme ultraviolet radiation from the second surface (37) of this target, while this part of extreme ultraviolet radiation is collected and transmitted for use with this parts. 3. Источник по п.2, в котором атомный номер материала, содержащегося в мишени, соответствует ряду атомных номеров от 28 до 92.3. The source according to claim 2, in which the atomic number of the material contained in the target corresponds to a number of atomic numbers from 28 to 92. 4. Источник по любому из п.2 или 3, содержащий множество мишеней (42), которые прочно соединены друг с другом, при этом источник дополнительно содержит средство (48, 50) для перемещения этого множества мишеней, так что эти мишени последовательно принимают лазерный луч (34).4. A source according to any one of Claims 2 or 3, comprising a plurality of targets (42) that are firmly connected to each other, the source further comprising means (48, 50) for moving the plurality of targets, so that these targets sequentially receive a laser beam (34). 5. Источник по п.4, дополнительно содержащий опорное средство (38, 44, 52), на котором закреплены мишени (42) и которое обеспечивает прохождение лазерного луча в направлении этих мишеней, при этом предусмотрено перемещающее средство (48, 50) для перемещения этого опорного средства и тем самым мишеней.5. The source according to claim 4, additionally containing support means (38, 44, 52), on which the targets (42) are fixed and which ensures the passage of the laser beam in the direction of these targets, while a moving means (48, 50) is provided for moving this support tool and thereby targets. 6. Источник по п.5, в котором опорное средство (52) способно поглощать излучения, эмитируемые первой поверхностью каждой мишени, которая принимает лазерный луч, и повторно эмитировать эти излучения в направлении этой мишени.6. The source according to claim 5, in which the support means (52) is capable of absorbing radiation emitted by the first surface of each target that receives the laser beam, and re-emit these radiation in the direction of this target. 7. Источник по любому из п.5 или 6, в котором опорное средство имеет отверстие (40, 46) напротив каждой мишени, при этом это отверстие ограничено двумя стенками (54, 56), по существу параллельными друг другу и перпендикулярными этой мишени.7. A source according to any one of claims 5 or 6, in which the support means has an opening (40, 46) opposite each target, and this opening is bounded by two walls (54, 56), essentially parallel to each other and perpendicular to this target. 8. Источник по любому из п.5 или 6, в котором опорное средство содержит отверстие напротив каждой мишени, при этом это отверстие ограничено двумя стенками (55, 57), проходящими в направлении мишени и удаляющимися друг от друга.8. A source according to any one of claims 5 or 6, wherein the support means comprises an opening opposite each target, wherein the opening is bounded by two walls (55, 57) extending in the direction of the target and moving away from each other. 9. Источник по любому из пп.2-5, дополнительно содержащий неподвижное вспомогательное средство (58), которое обеспечивает прохождение лазерного луча (34) в направлении мишени, поглощение излучений, эмитированных первой поверхностью и повторное эмитирование этих излучений в направлении этой мишени.9. A source according to any one of claims 2-5, further comprising a stationary auxiliary means (58), which ensures the passage of the laser beam (34) in the direction of the target, the absorption of radiation emitted by the first surface and the re-emission of these radiation in the direction of this target. 10. Литографическое устройство, содержащее опору (16) для образца, подлежащего освещению в соответствии с заданным узором, источник (22) экстремального ультрафиолетового излучения по любому из пп.2-9, маску (24), содержащую заданный узор в увеличенном виде, оптическое средство (26) для собирания и передачи к маске части экстремального ультрафиолетового излучения из второй поверхности мишени источника, при этом маска обеспечивает получение изображения узора в увеличенном виде, и оптическое средство (29) для уменьшения этого изображения и проекции уменьшенного изображения на образец.10. A lithographic device containing a support (16) for a sample to be illuminated in accordance with a given pattern, an extreme ultraviolet radiation source (22) according to any one of claims 2 to 9, a mask (24) containing a predetermined enlarged view, an optical means (26) for collecting and transmitting to the mask part of the extreme ultraviolet radiation from the second surface of the source target, the mask providing an image of the pattern in an enlarged form, and optical means (29) for reducing this image and projection Thumbnails on the sample. 11. Устройство по п.10, в котором образец содержит полупроводниковую подложку (18), на которую нанесен слой фоточувствительного полимера, который подлежит освещению в соответствии с заданным узором.11. The device according to claim 10, in which the sample contains a semiconductor substrate (18), on which a layer of a photosensitive polymer is deposited, which must be illuminated in accordance with a given pattern.
RU2002115875/28A 1999-11-15 2000-11-14 Method for creating extreme ultraviolet irradiation and source of such irradiation used in lithography RU2249926C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR99/14285 1999-11-15
FR9914285A FR2801113B1 (en) 1999-11-15 1999-11-15 METHOD OF OBTAINING AND EXTREME ULTRA VIOLET RADIATION SOURCE, LITHOGRAPHIC APPLICATION

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002115875A true RU2002115875A (en) 2004-04-27
RU2249926C2 RU2249926C2 (en) 2005-04-10

Family

ID=9552094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002115875/28A RU2249926C2 (en) 1999-11-15 2000-11-14 Method for creating extreme ultraviolet irradiation and source of such irradiation used in lithography

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6927405B1 (en)
EP (1) EP1230828B1 (en)
JP (1) JP2003515109A (en)
KR (1) KR100745704B1 (en)
CN (1) CN100373993C (en)
AT (1) ATE281753T1 (en)
AU (1) AU1712301A (en)
DE (1) DE60015593T2 (en)
FR (1) FR2801113B1 (en)
RU (1) RU2249926C2 (en)
TW (1) TW473822B (en)
WO (1) WO2001037618A1 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10205189B4 (en) * 2002-02-06 2012-06-28 Xtreme Technologies Gmbh Method for producing extreme ultraviolet radiation based on a radiation-emitting plasma
DE10219173A1 (en) * 2002-04-30 2003-11-20 Philips Intellectual Property Process for the generation of extreme ultraviolet radiation
DE10359464A1 (en) * 2003-12-17 2005-07-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method and device for generating in particular EUV radiation and / or soft X-radiation
CN101002305A (en) * 2005-01-12 2007-07-18 株式会社尼康 Laser plasma EUV light source, target material, tape material, a method of producing target material, a method of providing targets, and an EUV exposure device
US20060233309A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Joerg Kutzner Laser x-ray source apparatus and target used therefore
US8019046B1 (en) 2009-04-15 2011-09-13 Eran & Jan, Inc Apparatus for generating shortwave radiation
NL2004706A (en) * 2009-07-22 2011-01-25 Asml Netherlands Bv RADIATION SOURCE.
KR101104996B1 (en) * 2009-08-31 2012-01-16 한국원자력연구원 Porous metal target, method of manufacturing porous metal target and method of generating extreme ultraviolet using the same
JP5573255B2 (en) * 2010-03-11 2014-08-20 富士ゼロックス株式会社 Fixing apparatus and image forming apparatus
JP5952399B2 (en) * 2011-08-05 2016-07-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Radiation source, method for lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6654578B2 (en) * 2014-05-22 2020-02-26 オーストラリアン ニュークリア サイエンス アンド テクノロジー オーガニゼーション Gamma ray imaging
US20170311429A1 (en) * 2016-04-25 2017-10-26 Asml Netherlands B.V. Reducing the effect of plasma on an object in an extreme ultraviolet light source

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504964A (en) * 1982-09-20 1985-03-12 Eaton Corporation Laser beam plasma pinch X-ray system
DE3342531A1 (en) * 1983-11-24 1985-06-05 Max Planck Gesellschaft METHOD AND DEVICE FOR GENERATING SHORT-LASTING, INTENSIVE IMPULSES OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN THE WAVELENGTH RANGE UNDER ABOUT 100 NM
US4700371A (en) * 1984-11-08 1987-10-13 Hampshire Instruments, Inc. Long life x-ray source target
US5433988A (en) * 1986-10-01 1995-07-18 Canon Kabushiki Kaisha Multi-layer reflection mirror for soft X-ray to vacuum ultraviolet ray
US4731786A (en) * 1987-05-05 1988-03-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for producing durationally short ultraviolet or X-ray laser pulses
JP2576278B2 (en) * 1990-08-31 1997-01-29 株式会社島津製作所 X-ray generator
JPH0732073B2 (en) * 1991-07-19 1995-04-10 工業技術院長 Plasma generator for ultra-short wavelength laser
AU7570694A (en) * 1993-10-19 1995-05-11 General Electric Company Improved speed sensor
AU684652B2 (en) * 1994-07-12 1997-12-18 Photoelectron Corporation X-ray apparatus for applying a predetermined flux to an interior surface of a body cavity
JPH0850874A (en) * 1994-08-10 1996-02-20 Hitachi Ltd Charged particle projection method and device
JPH10208998A (en) * 1997-01-17 1998-08-07 Hitachi Ltd Laser plasma x-ray generator and method and device for transferring fine pattern using it
US6339634B1 (en) * 1998-10-01 2002-01-15 Nikon Corporation Soft x-ray light source device
JP2000348895A (en) * 1999-06-01 2000-12-15 Kansai Tlo Kk METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING PULSE-LIKE HIGH- BRIGHTNESS HARD X-RAY OR gamma-RAY
JP3766802B2 (en) * 1999-07-22 2006-04-19 コーニング インコーポレイテッド Far-UV soft X-ray projection lithography system and lithography element
FR2802311B1 (en) * 1999-12-08 2002-01-18 Commissariat Energie Atomique LITHOGRAPHY DEVICE USING A RADIATION SOURCE IN THE EXTREME ULTRAVIOLET AREA AND MULTI-LAYER SPECTRAL BAND MIRRORS IN THIS AREA

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1256628C (en) EUV-transparent interface structure
TW533336B (en) Lithographic device
DE60115495T2 (en) Illumination system with a vacuum chamber wall having a transparent structure
RU2002115875A (en) METHOD FOR PRODUCING EXTREME UV RADIATION AND ITS SOURCE, APPLICATION IN LITHOGRAPHY
RU2002118110A (en) LITHOGRAPHIC DEVICE
CN1525160A (en) Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus
CN1506766A (en) Method for producing optical etching equipment and devices
CN1495531A (en) Photoetching projector and particle screen for said device
CN1388918A (en) Method of forming optical images, mask for use in this method, method of manufacturing a device using this method, and apparatus for carrying out this method
CN1696833A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1673875A (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and variable attenuator
US20070159611A1 (en) Source Multiplexing in Lithography
TWI257533B (en) Lithographic projection apparatus with collector including concave and convex mirrors
CN1641484A (en) Method of measurement, method for providing alignment marks, and device manufacturing method
DE60105527T2 (en) Lithographic apparatus and method for producing an integrated circuit arrangement
CN1495532A (en) Photoetching projector and reflector assembly for the same
US6946666B2 (en) Position detection device, apparatus using the same, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same
CN1288504C (en) Method for producing photoetching device and equipment
US20070165782A1 (en) Soft x-ray processing device and soft x-ray processing method
CN1497358A (en) Lithographic printing projector containing secondary electronic clear cell
JP4319642B2 (en) Device manufacturing method
JPS6329931A (en) Manufacture of microstructure which is made of x-ray sensitive positive type resist and has different heights corresponding to the regions
CN1510515A (en) Photoetching device and method for manufacturing the apparatus
Gentselev et al. Formation of Thick High-Aspect-Ratio Resistive Masks by the Contact Photolithography Method
EP2215527A2 (en) Method of increasing the operation lifetime of a collector optics arranged in an irradiation device and corresponding irradiation device