RU2002113066A - Транзисторный ключ с защитой от перегрузки - Google Patents

Claims (2)

1. Транзисторный ключ с защитой от перегрузки, содержащий два транзистора разного типа проводимости, эмиттер первого из которых подключен к шине питания и через первый резистор - к своей базе, а коллектор соединен с первым выводом второго резистора, эмиттер второго транзистора подключен к общей шине, а коллектор соединен с первым выводом третьего резистора, третий и четвертый транзисторы того же типа проводимости, что и первый транзистор, эмиттер третьего транзистора подключен к шине питания и через четвертый резистор к своей базе и к первому выводу пятого резистора, коллектор четвертого транзистора соединен с первым выводом шестого резистора, а база - с первым выводом седьмого резистора, пятый транзистор того же типа проводимости, что и второй транзистор, входную шину и выходную шину, соединенную через нагрузку с общей шиной, отличающийся тем, что в него введены коммутирующий элемент, включенный между базой и эмиттером второго транзистора и управляемый по сигналам на входной шине, шина импульсного управления, подключенная через восьмой резистор к базе второго транзистора, конденсатор и девятый резистор, первый вывод которого подключен к коллектору четвертого транзистора, а второй - к первой обкладке конденсатора и к базе пятого транзистора, коллектор которого соединен с вторым выводом пятого резистора, а эмиттер через первый диод в прямом направлении - с выходной шиной и коллектором первого транзистора, база которого подключена к эмиттеру четвертого транзистора и к коллектору третьего транзистора, при этом второй вывод третьего резистора подключен к базе четвертого транзистора, второй вывод второго резистора подключен к базе второго транзистора, второй вывод седьмого резистора подключен к шине питания, а второй вывод шестого резистора и вторая обкладка конденсатора - к общей шине.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в него введены входная шина контроля, подключенная через последовательно соединенные второй диод в прямом направлении и десятый резистор к базе пятого транзистора.