RU2001468C1

RU2001468C1 - Process of manufacture of semiconductor crystals

Info

Publication number: RU2001468C1
Authority: RU
Inventors: Николай Григорьевич Коломицкий; Борис Александрович Астапов
Original assignee: Kolomitskij Nikolaj G; Astapov Boris A
Priority date: 1992-02-24
Filing date: 1992-02-24
Publication date: 1993-10-15

Description

панно гор чей деионизопанной воды и сушат . Осуществл ют вжи аиио парного сло никел п среде водорода или азота при С90 С в точение 10 мин. После вжигзнп нанос т второй слой никеле в тех же уело- ви х. При времени никелировани 20 мин получают слой пике/т 2,0 ммк. Операции промывки ie. же. что и при мерном никелировании . Из всех стади х промывки в депо- низоваимой воде качество промывки контролировали омностью воды на протоке, котора должна составл ть величину не менее 1 10 °0м. На сплои)ном слое никел с обеих сторон пластины формируют необходимый рисунок из фоторезиста ФП-383. На незащищенные фоторезистивмые поверхности нанос т слой гальванического свинца . Состав ванны свинцевани : свинец борфтористоводородчый 220 мл/л, кислота бортористосодородна 50 мл/л, слей мезд- ровый 0,5 г/л. режим свинцевани : температура 18 - 25Г1С, плотность тока / Л/дм, напр жение 3 В. отношение поверхности анодной к катодной 2 : 1, При времени выдержки в ванне 3 мин получают свинцовое покрытие толщиной - мкм. Пластины промывают о холодной и гор чей депоннзиро- ванио й воде и сушат. После сушки и сн тии фоторезиста в гор чем диметилформамиде провод т химическое разделение пластин на кристаллы отравителе: НР:НМОз:: 1 : 9 в течение 25 мин. После промывки кристаллов в деионизироп ннй воде с них снимают верхний слой свинца в растворе Н202 .СМпСООН:1Ъ:0 2 : 1 : 1. г-поммгаюгв деионизооанной воде и обрабатывают раствором NaOH 20%-ной концентрации в те- чсние 5 мин. Поеме щелочного травлени кристаллы промывают п холодной и гор чей деионизовзнной воде, сушат п передают на сборку п герметизацию.panel of hot deionized water and dried. A nickel paired layer of nickel was subjected to hydrogen or nitrogen at C90 C for 10 minutes. After firing, a second layer of nickel is deposited in the same condition. At a nickel plating time of 20 minutes, a pike / t layer of 2.0 µm was obtained. Flushing operations ie. same. as with measured nickel plating. Of all the washing stages in the depot water, the washing quality was controlled by the water flow in the duct, which should be at least 1 10 ° 0 m. On a continuous nickel layer, the required pattern of photoresist FP-383 is formed on both sides of the plate. An unprotected photoresistive surface is coated with a layer of galvanic lead. The composition of the lead bath is: lead hydrofluoride 220 ml / l, hydrofluoric acid 50 ml / l, slurry 0.5 g / l. lead mode: temperature 18-25G1S, current density / L / dm, voltage 3 V. The ratio of the surface of the anode to cathode is 2: 1. When holding in the bath for 3 minutes, a lead coating with a thickness of um is obtained. The plates are washed with cold and hot water and dried. After drying and removal of the photoresist in hot dimethylformamide, the plates are separated into the poison crystals: НР: НМОз :: 1: 9 for 25 min. After washing the crystals in deionized water, the upper layer of lead in the H202 solution is removed from them. After alkaline etching, the crystals are washed with cold and hot deionized water, dried and transferred to the assembly for sealing.

П р и м е р 4. На обе сшроны кремни:.:- вой пластины с р-п-пепоходом нанос слой химического никел . Состав панны и услови нанесени те же, что и iipnr.ir.pe 3. При времени никелировани Л.Ъ мин получают слой никел толщиной 0.5 мкм. После никелировани и промывки на слон нок.е/п Формируют из фоюрезнста необходимы рисунок. На незащищенные Фогсопсгом участки нанос т слой гальванического спи - ца. Состав ванны свинцевани и услови те же, что и в приг-iepe З. При плотности тока 3 А/дм , напр жении 5 В и продолжительности свинцевани 12 мин получают евин- ц о в о е г; о к р и т п е толщиной 3 0 м км. Промывку пластин, разделенно на отдельные кристаллы и сн тие верхнего слеъ. провод т так же, как и в примере 1. После. сн ти свинца кристаллы обг;а: чтыпаю - .:PRI me R 4. On both flanks of silicon:.: - a layer of chemical nickel was deposited with a wafer with a pn duct. The composition of the panel and the application conditions are the same as iipnr.ir.pe 3. At a nickel time of L. b min, a nickel layer 0.5 μm thick is obtained. After nickel-plating and washing on an elephant nock. E / p Formed from the foyureznst necessary picture. Unprotected Fogsopsg areas are coated with a layer of galvanic wires. The composition of the lead bath and the conditions are the same as in the pri-iepe Z. At a current density of 3 A / dm, a voltage of 5 V and a lead duration of 12 minutes, a lead is obtained; about r r and t p e thickness of 3 0 m km. Washing the plates, separated into individual crystals and removing the upper layer. carried out in the same manner as in Example 1. After. remove lead crystals obg; a: I read -.:

. pnCTfJOpe KUH Р течение 10 мин, промывают в деионизопанной роде сушат и :лают на сборку и (ерметиэацию.. pnCTfJOpe KUH P for 10 min, washed in a deionized form, dried and: poured onto the assembly and (sealing.

П р и м е р 5. На обе поверхности коем- ниег.ой пластины с p-n-переходом методом химического осаждени нанос т слой воль- пама толкциной 0,2 мкм. Режим осажде- ;чы: температура кремниевой подложки , температура лодочки с гекс хлори- ,ior.i сольфрама 100°С, температура угольного нагревател 700ПС, скорость подачи водорода 2 л/мин, рассто ние от угольного Hr.ii певател до пластины 1 см. На сплошной г, 1зо.) на обе стороны пластины формируют из фоторезиста необходимый рисунок. На незащищенную поверхность -молом вакуумного напылени при разр - ::--емпп 1 -10 ° торр и температуре 100°С нанос т слой алюмини толщиной 1 ммк. Удаление Фоторезиста, разделение пласти- . :. на (. ристапль и промыпка как в примере ,. .еленнь е кристаллы промывают в , У Л г/аст-воре NaOH в течение 20 мин, а : т of- i холодной и гор чей деионизованной и сушат Кристаллы с вольфрамовым М -..рг.пием в качест ве омического контакта передают на сборку и герметизацию п/п грнборов.Example 5. On both surfaces of a pn-junction plate by chemical deposition, a wolpam layer with a thickness of 0.2 μm is applied. Precipitation mode; temperature: temperature of the silicon substrate, temperature of the boat with hex chloride, ior.i tungsten 100 ° С, temperature of the coal heater 700PS, hydrogen feed rate 2 l / min, distance from the coal Hr.ii singer to the plate 1 cm . For continuous g, 1 °.) On both sides of the plate, the necessary pattern is formed from the photoresist. A 1 mm thick aluminum layer is applied to an unprotected surface with a grinding jet of vacuum spraying with a discharge of - :: - empt 1 -10 ° Torr and a temperature of 100 ° C. Photoresist removal, plast separation. :. on (. the distillation and washing as in the example,. the green crystals are washed in NaL g / asth NaOH for 20 min, and: t of- i cold and hot deionized and dried Crystals with tungsten M -. .rgpium as an ohmic contact is transferred to the assembly and sealing of the subassembly.

Г1 р и м е р G. Нанесение никелевого по. ; -Iгп . промывка и фотолитографи как : п:ч,и. ере 3 Толщина сло никел 1 мкм. На п; ,- г:(Ищонн 1О поверхность никелевого по- с;.ь:тп- напыление. в вакууме нанос т слой а к нир толщиной 3 мкм. Сн тие фоторе- .v..:. разделение пластины на кристаллы и г-..,.г .- ак в примере 3 Злтсг.ч кристаллы оГр т1 .ты.,.1ют а 20% растворе КОН в течение 2 мин. промывают в холодной и гор чей /;- нонилоьанной м.одн и . Готовые кри- : i r..i передают на сборку и герметизацию.G1 example G. Application of Nickel. ; -Igp. washing and photolithography as: p: h, and. Epere 3 Nickel layer thickness 1 μm. On p; , - g: (Ischonn 1O surface of nickel strip;. b: tp-deposition. In a vacuum a layer is applied to nir with a thickness of 3 μm. Removing the photoref.. ..:. separation of the plate into crystals and g-. ., .g.- ak in Example 3 Zlts.h. crystals of ОГр т1 .т.,. 1yut and in a 20% solution of KOH for 2 minutes washed in cold and hot /; - non-uniloyed one. Ready crystals : i r..i transfer to assembly and sealing.

Кремниезые п/п кристаллы, получен- 01 о г.о предлагаемому способу (примеры 3 .) о:;- аналогу (пример 1) п прототипу (при- ; . i i были использованы при сборке дио- ;,.:;.: К Л - . 2 6 в п л п с т м п с с. о в ы х к с; р п у с а х. : . и герме пз; 1.;ию oiTHi opoB проводи- ;. ; -; едином те o;ic;riH с использованием ::..:..:, те жо мат с-рпалов.Silica n / a crystals obtained 01 about the proposed method (examples 3.) About:; - an analogue (example 1) to the prototype (-;. Ii were used in the assembly of di-;,.:;.: K L -. 2 6 in p lp with t m p s.s. about xy; rp u s a x.:. And herme pz; 1.; ju oiTHi opoB conduct-;.; -; unified te o; ic; riH using :: ..: ..:, the same as s-rpal.

о зул.-тоты к пасснф1 кпцп 1 готовых r;..fioB ппи.аеден1.-: в таблице. o zul.-toty to passnf1 kptsp 1 ready r; .. fioB ppi.aeden1.-: in the table.

.-.:; сл.-дуот гз х таблицы, предла- ;/i-iMi :й способ разделении п/п пластин на .; :-. г т.члы позвол ет получать с бо/н-шим , ,.--.одом п/п приборы (диоды) высовокольт- : :: rpvin без ncno/ib . nB. : in; дрпгоь.енных г т:1 vKi ifiB. При этом получаом.«е п)иборы ,.;..солько не уступают по своим лектрофи- пч- :1,кит.1, параметрам ripa1 борам, получае- t i ,1 м с и С п о л ь з о в -ч и и е м к р и с ч а л л о в,.-.:; sl.-duot gz x tables, offer-; / i-iMi: th way of dividing the order plate into.; : -. This allows you to receive high-voltage devices (diodes): :: rpvin without ncno / ib with a b / w-shim. nB. : in; other reasons: 1 vKi ifiB. At the same time, we get. "E p) ibor,.; .. are not so inferior in their electrophysics: 1, kit. 1, to the parameters ripa1 of bora, you get ti, 1 ms and - and and e mk r and with challov,

..О,-;- :: Г.ЯЩИл ЗОЛОТО...Oh, -; - :: G. DRAWED GOLD.

(56) Патент США № 3878008. кл. 156-11, 1975. Патент Великобритании № 1024633, кл Н1 К 196&(56) U.S. Patent No. 3,878,008. 156-11, 1975. British Patent No. 1024633, CL H1 K 196 &

Авторское свидетельство СССР N 893085, Н О L 21/308. 1980.USSR author's certificate N 893085, Н О L 21/308. 1980.

Claims

1. METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTALS, including application

onto a semiconductor wafer with the formed structures of the lower metal layer, forming a photoresist mask, applying the upper metal layer to the mask, removing it, chemical separation of the plate into crystals, characterized in that after separation the upper metal layer is chemically removed, followed by washing the crystals into

etcher. moreover, metals of the secondary subgroup of groups III and IV are used as the metal of the upper layer, and base metals of groups VI-VIII or their alloys are used as the metal of the lower layer.

2. Particularly claim 1, characterized in that the thickness of the lower metal layer is 0.2-2.5 microns.

3. The method according to claim 1, characterized in that the thickness of the upper metal layer is 1.0-30.0 microns,