Claims (20)
1. Устройство для избирательного воздействия на процессы выживаемости патологических клеток in vitro и in vivo, содержащее средства для генерации статических магнитных полей (С), пронизывающих рабочую среду, и средства для генерации электромагнитных полей экстремально низкой частоты (ЭНЧ) в рабочей среде в дополнение к С-полям, отличающееся тем, что устройство дополнительно содержит средства для модулирования С-полей, связанные со средствами для генерации С-полей и устанавливающие напряженность С-полей от 1 до 100 мТ в соответствии с заданной функцией напряженности от времени, а также средства для модулирования ЭНЧ-полей, связанные со средствами для генерации ЭНЧ-полей и устанавливающие ЭНЧ-поля в соответствии с заданной функцией амплитуды напряженности от 1 до 100 мТ и частоты от 1 до 1000 Гц в зависимости от времени.1. A device for the selective impact on the survival processes of pathological cells in vitro and in vivo, containing means for generating static magnetic fields (C) penetrating the working environment, and means for generating electromagnetic fields of extremely low frequency (ELF) in the working environment in addition to C-fields, characterized in that the device further comprises means for modulating C-fields associated with means for generating C-fields and setting the strength of C-fields from 1 to 100 mT in accordance with a predetermined function by means of intensity versus time, as well as means for modulating ELF fields associated with means for generating ELF fields and setting ELF fields in accordance with a given function of amplitude of intensity from 1 to 100 mT and frequency from 1 to 1000 Hz depending on time .
2. Устройство для избирательного воздействия на процессы выживаемости патологических клеток in vitro и in vivo, содержащее средства для генерации статических магнитных полей (С-полей), пронизывающих рабочую среду, отличающееся тем, что оно также содержит средства для модулирования С-полей, связанные со средствами их генерации и устанавливающие напряженность С-полей от 1 до 100 мТ в соответствии с заданной функцией напряженности от времени. 2. A device for the selective impact on the survival processes of pathological cells in vitro and in vivo, containing means for generating static magnetic fields (C-fields), penetrating the working environment, characterized in that it also contains means for modulating C-fields associated with by means of their generation and setting the intensity of C-fields from 1 to 100 mT in accordance with a given function of the intensity from time to time.
3. Устройство для избирательного воздействия на процессы выживаемости патологических клеток in vitro и in vivo, отличающееся тем, что оно также содержит средства для генерации электромагнитных полей экстремально низкой частоты (ЭНЧ-полей) в названной рабочей среде и средства для модулирования ЭНЧ-полей, связанные со средствами для их генерации и устанавливающие ЭНЧ-поля в соответствии с заданной функцией амплитуды напряженности в диапазоне 1 до 100 мТ и частоты в диапазоне 1 до 1000 Гц от времени. 3. A device for the selective effect on the survival processes of pathological cells in vitro and in vivo, characterized in that it also contains means for generating electromagnetic fields of extremely low frequency (ELF fields) in the said working medium and means for modulating ELF fields associated with means for their generation and setting the ELF fields in accordance with a given function of the amplitude of the tension in the range of 1 to 100 mT and frequencies in the range of 1 to 1000 Hz from time to time.
4. Устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что средства для модулирования С-полей включают программные средства, устанавливающие напряженность согласно множеству заданных с пошаговым интервалом величин IС1, IС2 . . . , IСn для соответствующих временных интервалов T1, Т2, . . . , Тn.4. The device according to claim 1 or 2, characterized in that the means for modulating the C-fields include software that sets the tension according to the set of values I C1 , I C2 set with a step-by-step interval. . . , I Сn for the corresponding time intervals T 1 , T 2 ,. . . , T n .
5. Устройство по п. 1 или 3, отличающееся тем, что средства для модулирования ЭНЧ-полей включают программные средства, устанавливающие амплитуду напряженности согласно множеству заданных с пошаговым интервалом величин IЭНЧ1, IЭНЧ2, . . . , IЭНЧn для соответствующих временных интервалов T1, Т2, . . . , Тn.5. The device according to claim 1 or 3, characterized in that the means for modulating the ELF fields include software that sets the amplitude of the tension according to the set of values I ELF1 , I ELF2 , specified with a step-by-step interval. . . , I ELFn for the corresponding time intervals T 1 , T 2 ,. . . , T n .
6. Устройство по п. 1 или 3, отличающееся тем, что средства для модулирования ЭНЧ-полей включают программные средства, устанавливающие частоту согласно множеству заданных с пошаговым интервалом величин f1, f2, . . . fn для соответствующих временных интервалов T1, T2, . . . , Тn, причем названные значения частоты варьируют в интервале от 10 до 100 гЦ.6. The device according to claim 1 or 3, characterized in that the means for modulating the ELF fields include software that sets the frequency according to the set of values f 1 , f 2 , set with a step-by-step interval. . . f n for the corresponding time intervals T 1 , T 2 ,. . . , T n , and these frequency values vary in the range from 10 to 100 Hz.
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средства для модулирования С- и ЭНЧ-полей включают программные средства, устанавливающие соотношение С/ЭНЧ полей согласно множеству заданных с пошаговым интервалом величин IС1/IЭНЧ1, IC2/IЭНЧ2, . . . , IСn/IЭНЧn для соответствующих временных интервалов T1, Т2, . . . , Тn.7. The device according to claim 1, characterized in that the means for modulating the C and ELF fields include software that sets the ratio of the C / ELF fields according to the set of values I C1 / I ELF1 , I C2 / I ELF2 specified with a step-by-step interval, . . . , I Сn / I ELFn for the corresponding time intervals T 1 , T 2 ,. . . , T n .
8. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что программные средства устанавливают С- и ЭНЧ-поля согласно суммарной напряженности в диапазоне от 1 до 30 мТ и соотношению С/ЭНЧ-полей от 0,1 до 10, соответственно. 8. The device according to claim 7, characterized in that the software sets the C- and ELF fields according to the total intensity in the range from 1 to 30 mT and the ratio of C / ELF fields from 0.1 to 10, respectively.
9. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что программные средства устанавливают С- и ЭНЧ-поля согласно суммарной напряженности в диапазоне от 1 до 10 мТ и соотношению С/ЭНЧ-полей от 0,5 до 5, соответственно. 9. The device according to p. 7, characterized in that the software sets the C - and ELF fields according to the total intensity in the range from 1 to 10 mT and the ratio of C / ELF fields from 0.5 to 5, respectively.
10. Устройство по любому из пп. 4-9, отличающееся тем, что программные средства устанавливают временные интервалы от 1 до 40 мин. 10. The device according to any one of paragraphs. 4-9, characterized in that the software sets the time intervals from 1 to 40 minutes
11. Устройство по любому из пп. 1-10, отличающееся тем, что по крайней мере одна часть рабочей среды ограничена стенками, проницаемыми для названных полей. 11. The device according to any one of paragraphs. 1-10, characterized in that at least one part of the working environment is limited by walls permeable to these fields.
12. Устройство по любому из пп. 1-11, отличающееся тем, что средства для создания С- и/или ЭНЧ-полей включают по крайней мере первую и вторую катушки индуктивности, окружающие соответственно по крайней мере часть рабочей среды, причем средства для модулирования обеспечивают подачу на катушки соответственно постоянного и переменного тока. 12. The device according to any one of paragraphs. 1-11, characterized in that the means for creating C - and / or ELF fields include at least the first and second inductor coils, respectively surrounding at least part of the working medium, and the modulating means provide, respectively, constant and variable supply to the coils current.
13. Устройство по любому из пп. 1-11, отличающееся тем, что средства для генерации С- и/или ЭНЧ-полей включают по крайней мере первую и вторую катушки, расположенные коаксиально, рабочая среда расположена между первой и второй катушкой, а средства для модулирования обеспечивают подачу к названным катушкам соответственно постоянного и переменного тока. 13. The device according to any one of paragraphs. 1-11, characterized in that the means for generating C - and / or ELF fields include at least the first and second coils located coaxially, the working medium is located between the first and second coils, and the means for modulating provide the supply to these coils, respectively direct and alternating current.
14. Устройство по любому из пп. 1-13, отличающееся тем, что в нем использованы средства, обеспечивающие внутри рабочей среды генерацию статического электрического поля или переменного электрического поля низкой частоты до 1000 Гц, имеющего напряженность до 20 кВ/м. 14. The device according to any one of paragraphs. 1-13, characterized in that it uses means that provide within the working environment the generation of a static electric field or an alternating electric field of low frequency up to 1000 Hz, having a voltage of up to 20 kV / m.
15. Способ использования нетепловых СЭНЧ-полей для избирательного воздействия на выживание патологических клеток, в частности пораженных раком, вирусными инфекциями, аутоиммунными заболеваниями, нейродегенеративными расстройствами, СПИДом и т. д. , характеризующийся тем, что нетепловые СЭНЧ-поля имеют напряженность от 1 до 100 мТ и представляют собой различные последовательности С- и/или ЭНЧ-полей, т. е. С-поля, за которыми следуют ЭНЧ-поля, ЭНЧ-поля, за которыми следуют С-поля, С- и ЭНЧ-поля, действующие совместно, а также С- и ЭНЧ-поля, действующие по отдельности, причем ЭНЧ-поля обладают частотой в диапазоне от 1 до 1000 Гц. 15. The method of using non-thermal SENF fields for the selective effect on the survival of pathological cells, in particular those affected by cancer, viral infections, autoimmune diseases, neurodegenerative disorders, AIDS, etc., characterized in that non-thermal SENF fields have a strength from 1 to 100 mT and represent different sequences of C- and / or ELF fields, i.e., C-fields followed by ELF fields, ELF fields, followed by C-fields, C- and ELF fields acting together, as well as C- and ELF fields, acting separately, moreover, the ELF fields have a frequency in the range from 1 to 1000 Hz.
16. Способ использования нетепловых СЭНЧ-полей для биотехнологической модификации генов, в частности для модификации гена-мутанта р53, характеризующийся тем, что нетепловые СЭНЧ-поля имеют напряженность от 1 до 100 мТ и представляют собой различные последовательности С- и/или ЭНЧ-полей, т. е. С-поля, за которыми следуют ЭНЧ-поля, ЭНЧ-поля, за которыми следуют С-поля, С- и ЭНЧ-поля, действующие совместно, а также С- или ЭНЧ-поля, действующие по отдельности, причем ЭНЧ-поля обладают частотой в диапазоне от 1 до 1000 Гц. 16. The method of using non-thermal SENF fields for biotechnological modification of genes, in particular for modifying the p53 mutant gene, characterized in that non-thermal SENF fields have a strength of 1 to 100 mT and are different sequences of C and / or ELF fields i.e., C-fields followed by ELF fields, ELF fields, followed by C-fields, C- and ELF fields acting together, as well as C- or ELF fields acting separately, moreover, the ELF fields have a frequency in the range from 1 to 1000 Hz.
17. Способ использования нетепловых СЭНЧ-полей по п. 15 или 16, отличающийся тем, что наряду с СЭНЧ-полями используются химические вещества. 17. The method of using non-thermal SENF fields according to claim 15 or 16, characterized in that along with SENF fields, chemicals are used.
18. Способ использования нетепловых СЭНЧ-полей по п. 15 или 16, отличающийся тем, что последовательности С- и/или ЭНЧ-полей устанавливаются в интервалах времени T1, T2, . . . , Tn, причем напряженность С- и/или ЭНЧ-полей в каждый интервал времени устанавливается на постоянном уровне значений IС1, IС2, . . . , IСn; IЭНЧ1, IЭНЧ2, . . . , IЭНЧn, и IС1/IЭНЧ1, IC2/IЭНЧ2, . . . , IСn/IЭНЧn соответственно.18. The method of using non-thermal SENF fields according to claim 15 or 16, characterized in that the sequences of C and / or ELF fields are set in time intervals T 1 , T 2 ,. . . , T n , and the intensity of the C- and / or ELF fields in each time interval is set at a constant level of values of I C1 , I C2 ,. . . , I Cn ; I ELF1 , I ELF2,. . . , I ELFn , and I C1 / I ELF1 , I C2 / I ELF2,. . . , I Cn / I ELFn, respectively.
19. Способ использования нетепловых СЭНЧ-полей по п. 15 или 16, отличающийся тем, что С- и ЭНЧ-поля устанавливаются с суммарной напряженностью в диапазоне от 1 до 30 мТ и, соответственно, соотношением С/ЭНЧ-полей от 0,1 до 10. 19. The method of using non-thermal SENF fields according to claim 15 or 16, characterized in that the C and ELF fields are set with a total strength in the range from 1 to 30 mT and, accordingly, the ratio of C / ELF fields from 0.1 to 10.
20. Способ использования нетепловых СЭНЧ-полей по п. 15 или 16, отличающийся тем, что С- и ЭНЧ-поля устанавливаются с суммарной напряженностью в диапазоне от 1 до 10 мТ и, соответственно, соотношением С/ЭНЧ-полей от 0,5 до 2,5. 20. The method of using non-thermal SENF fields according to claim 15 or 16, characterized in that the C and ELF fields are set with a total strength in the range from 1 to 10 mT and, accordingly, the ratio of C / ELF fields from 0.5 up to 2.5.