RU199011U1 - GAS SENSOR - Google Patents

GAS SENSOR Download PDF

Info

Publication number
RU199011U1
RU199011U1 RU2019137523U RU2019137523U RU199011U1 RU 199011 U1 RU199011 U1 RU 199011U1 RU 2019137523 U RU2019137523 U RU 2019137523U RU 2019137523 U RU2019137523 U RU 2019137523U RU 199011 U1 RU199011 U1 RU 199011U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dielectric substrate
working area
gas sensor
contact pads
gas
Prior art date
Application number
RU2019137523U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Константин Юрьевич Облов
Николай Николаевич Самотаев
Майя Оразгельдыевна Этрекова
Евгений Михайлович Онищенко
Дмитрий Валерьевич Филипчук
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" filed Critical федеральное государственное бюджетное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ"
Priority to RU2019137523U priority Critical patent/RU199011U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU199011U1 publication Critical patent/RU199011U1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Использование: для определения типов различных газов и их количественного содержания в воздухе. Сущность полезной модели заключается в том, что диэлектрическая подложка, содержит рабочую область, на одной стороне последней расположен тонкопленочный газочувствительный элемент, связанный платиновыми пленочными дорожками с информационными контактными площадками, а на другой стороне рабочей области - тонкопленочный нагревательный элемент, связанный токопроводящими дорожками с контактными площадками нагревателя, имеет существенно меньшую толщину, чем остальные части диэлектрической подложки, что достигается с помощью прецизионной лазерной обработки. Технический результат полезной модели - снижение потребления мощности в процессе эксплуатации. 3 ил.Usage: to determine the types of various gases and their quantitative content in the air. The essence of the utility model lies in the fact that the dielectric substrate contains a working area, on one side of the latter there is a thin-film gas-sensitive element connected by platinum film tracks with information contact pads, and on the other side of the working area there is a thin-film heating element connected by conductive tracks with contact pads heater, has a significantly smaller thickness than the rest of the dielectric substrate, which is achieved by precision laser processing. The technical result of the utility model is a reduction in power consumption during operation. 3 ill.

Description

Полезная модель относится к области микроэлектронных и микромеханических устройств, а более конкретно к газовым сенсорам и может найти широкое применение в измерительной технике, предназначенной для определения типов различных газов и их количественного содержания в воздухе.The utility model relates to the field of microelectronic and micromechanical devices, and more specifically to gas sensors and can find wide application in measuring technology designed to determine the types of various gases and their quantitative content in air.

Из существующего уровня техники известен полупроводниковый газовый сенсор [1], в котором шарообразный полупроводниковый газочувствительный элемент (пеллистор), внутри которого размещен нагреватель в виде цилиндрический пружины, установлен на контактных проводниках в центре корпуса. Полупроводниковый элемент, представляющий собой оксид олова SnO2 (80% масс) с добавкой оксида индия In2O3 (20% масс.), обладает достаточно высокой чувствительностью и быстродействием. Чувствительный полупроводниковый элемент при взаимодействии с газом меняет электрическую проводимость. Недостатком газового сенсора является недостаточная механическая прочность газочувствительного элемента, что также уменьшает долговременную стабильность, быстродействие и устойчивость к воздействию внешних факторов.A semiconductor gas sensor [1] is known from the prior art, in which a spherical semiconductor gas sensor (pellistor), inside which a heater in the form of a cylindrical spring is placed, is mounted on contact conductors in the center of the housing. The semiconductor element, which is tin oxide SnO 2 (80% of the mass) with the addition of indium oxide In 2 O 3 (20% of the mass), has a fairly high sensitivity and speed. A sensitive semiconductor element, when interacting with a gas, changes its electrical conductivity. The disadvantage of the gas sensor is the insufficient mechanical strength of the gas sensor, which also reduces long-term stability, speed and resistance to external factors.

Известен планарный адсорбционно-резистивный газовый сенсор сенсор горючих газов [2], содержащий диэлектрическую подложку с отделенной от нее сквозной перфорацией рабочей областью, в которой на одной ("лицевой") стороне диэлектрической подложки нанесена пленка газочувствительного материала, связанная с информационными контактными площадками токопроводящими дорожками, на обратной стороне диэлектрической подложки в рабочей области сформирован тонкопленочный нагревательный элемент, связанный токопроводящими дорожками с контактными площадками нагревательного элемента, причем последние через металлизированные отверстия соединены с контактными площадками, размещенными над ними на "лицевой" стороне диэлектрической подложки, что обеспечивает "стандартное" подключение к выводам корпуса с помощью тонких золотых проволочек и чувствительного элемента и нагревателя. Недостатком устройства является усложнение технологии изготовления газового сенсора из-за необходимости использования металлизированных отверстий и снижение надежности прибора из-за значительного числа паянных или точечных сварных соединений золотых проволочек с контактными площадками (два соединения на каждый контакт).Known planar adsorption-resistive gas sensor sensor of combustible gases [2], containing a dielectric substrate separated from it through perforation of the working area, in which on one ("front") side of the dielectric substrate is applied a film of gas-sensitive material associated with information contact pads with conductive tracks , on the reverse side of the dielectric substrate in the working area, a thin-film heating element is formed, connected by conductive tracks with the contact pads of the heating element, the latter through metallized holes are connected to the contact pads located above them on the "front" side of the dielectric substrate, which provides a "standard" connection to the body leads using thin gold wires and a sensing element and heater. The disadvantage of the device is the complication of the technology of manufacturing a gas sensor due to the need to use plated holes and a decrease in the reliability of the device due to a significant number of soldered or spot welded joints of gold wires with contact pads (two connections for each contact).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению, принятым за прототип, является газовый сенсор [3], содержащий диэлектрическую подложку, в которой с помощью сквозной перфорации сформирована рабочая область, в которой на одной из ее сторон тонкопленочный чувствительный элемент, связанный платиновыми пленочными дорожками с информационными контактными площадками, а на другой стороне рабочей области сформирован тонкопленочный нагревательный элемент, связанный токопроводящими дорожками с контактными площадками нагревателя, помещается в керамический корпус, в нижней и верхней частях которой с помощью прецизионной лазерной микрофрезеровки созданы продольные пазы и направляющие выступы, позволяющие ориентировать подложку с чувствительным элементом и нагревателем строго вертикально и совместить контактные площадки на обеих сторонах подложки с соответствующими пазами на боковых стенках нижней части корпуса. На внешней стороне боковых стенок нижней части корпуса имеются наклонные выступы, также совмещенные с боковыми пазами. Благодаря такому решению удается осуществлять надежный контакт нагревателя и чувствительного элемента газового сенсора с внешними выводами без применения сквозных металлизированных отверстий в подложке и паянных соединений контактных площадок сенсора с выводами корпуса с помощью тонких золотых проволочек, используя для этой цели платиновую пасту и последующую термообработку, что обеспечивает повышение надежности устройства. Недостатком прототипа является потребление большой мощности для нагревания чувствительного элемента рабочей области газового сенсора до рабочей температуры, которая, в зависимости от используемого материала чувствительной пленки и от детектируемого газа, лежит обычно в диапазоне 250-550°С, вследствие того, что диэлектрическая подложка в рабочей области имеет ту же толщину, что и остальная часть диэлектрической подложки. Толщина последней должна быть достаточной для обеспечения механической прочности чипа газового сенсора.The closest in technical essence to the proposed solution, taken as a prototype, is a gas sensor [3] containing a dielectric substrate, in which a working area is formed with the help of through perforation, in which on one of its sides a thin-film sensing element connected by platinum film tracks with information contact pads, and on the other side of the working area a thin-film heating element is formed, connected by conductive tracks with the contact pads of the heater, is placed in a ceramic case, in the lower and upper parts of which, using precision laser micro-milling, longitudinal grooves and guide protrusions are created, allowing to orient the substrate with the sensitive element and heater strictly vertically and align the contact pads on both sides of the substrate with the corresponding grooves on the side walls of the lower part of the case. On the outer side of the side walls of the lower part of the body, there are inclined projections, also aligned with the side slots. Thanks to this solution, it is possible to establish reliable contact between the heater and the sensitive element of the gas sensor with external leads without the use of metalized through holes in the substrate and soldered connections of the sensor contact pads with the body leads using thin gold wires, using platinum paste for this purpose and subsequent heat treatment, which provides increasing the reliability of the device. The disadvantage of the prototype is the consumption of high power for heating the sensitive element of the working area of the gas sensor to the operating temperature, which, depending on the used material of the sensitive film and on the detected gas, usually lies in the range 250-550 ° C, due to the fact that the dielectric substrate in the working the region has the same thickness as the rest of the dielectric substrate. The thickness of the latter must be sufficient to ensure the mechanical strength of the gas sensor chip.

Технический результат заявляемой полезной модели направлен на снижение потребления мощности, необходимой для нагревания чувствительного элемента в рабочей области газового сенсора до рабочей температуры.The technical result of the claimed utility model is aimed at reducing the power consumption required to heat the sensitive element in the working area of the gas sensor to the operating temperature.

Раскрытие сущности полезной моделиDisclosure of the essence of a utility model

Технический результат достигается тем, что газовый сенсор, содержащий диэлектрическую подложку с рабочей областью, которая отделена от диэлектрической подложки сквозной перфорацией, на одной из сторон диэлектрической подложки сформированы информационные контактные площадки, связанные информационными токопроводящими дорожками с нанесенной в рабочей области пленкой газочувствительного материала, на обратной стороне диэлектрической подложки в рабочей области сформирован тонкопленочный нагревательный элемент, связанный токопроводящими дорожками нагревательного элемента с контактными площадками нагревательного элемента, характеризуется тем, что диэлектрическая подложка в рабочей области газового сенсора имеет в три и более раз меньшую толщину, чем все остальные части диэлектрической подложки.The technical result is achieved in that the gas sensor containing a dielectric substrate with a working area, which is separated from the dielectric substrate by through perforation, on one of the sides of the dielectric substrate formed information contact pads connected by information conductive tracks with a film of a gas-sensitive material applied in the working area, on the reverse On the side of the dielectric substrate in the working area, a thin-film heating element is formed, connected by conductive tracks of the heating element with the contact pads of the heating element, characterized in that the dielectric substrate in the working area of the gas sensor has a thickness three or more times smaller than all other parts of the dielectric substrate.

Ниже приведен пример конкретной реализации устройства. Он поясняется чертежами, приведенными на фиг. 1-3.Below is an example of a specific device implementation. It is illustrated by the drawings shown in FIG. 1-3.

На фиг. 1 представлен вид на разрез газового сенсора по диэлектрической подложке в зоне рабочей области.FIG. 1 shows a sectional view of a gas sensor along a dielectric substrate in the working area.

На фиг. 2 представлен вид на газовый сенсор со стороны чувствительного элемента.FIG. 2 shows a view of the gas sensor from the side of the sensing element.

На фиг. 3 представлен вид на газовый сенсор со стороны нагревателя.FIG. 3 shows a view of the gas sensor from the side of the heater.

Позициями на чертежах обозначены:Positions in the drawings indicate:

1 - диэлектрическая подложка;1 - dielectric substrate;

2 - рабочая область;2 - work area;

3 - информационные контактные площадки3 - information contact pads

4 - информационные токопроводящие дорожки;4 - information conductive tracks;

5 - пленка газочувствительного материала (чувствительный элемент);5 - film of a gas-sensitive material (sensitive element);

6 - нагревательный элемент;6 - heating element;

7- токопроводящие дорожки нагревательного элемента; 8 - контактные площадки нагревательного элемента.7- conductive tracks of the heating element; 8 - contact pads of the heating element.

Газовый сенсор содержит диэлектрическую подложку 1 с рабочей областью 2, отделенной от диэлектрической подложки 1 с помощью сквозной перфорации, причем диэлектрическая подложка в рабочей области 2 газового сенсора имеет в три и более раз меньшую толщину, чем все остальные части диэлектрической подложки 1. На одной из сторон диэлектрической подложки сформированы информационные контактные площадки 3, связанные информационными токопроводящими дорожками 4 с нанесенной пленкой газочувствительного материала 5. На обратной стороне диэлектрической подложки 1 в рабочей области 2 сформирован тонкопленочный нагревательный элемент 6, связанный токопроводящими дорожками 7 нагревательного элемента с контактными площадками 8 нагревательного элемента 6. Предлагаемое устройство функционирует следующим образомThe gas sensor contains a dielectric substrate 1 with a working area 2, separated from the dielectric substrate 1 by means of through perforation, and the dielectric substrate in the working area 2 of the gas sensor is three or more times thinner than all other parts of the dielectric substrate 1. On one of the the sides of the dielectric substrate formed information contact pads 3, connected by information conductive tracks 4 with the applied film of gas-sensitive material 5. On the reverse side of the dielectric substrate 1 in the working area 2, a thin-film heating element 6 is formed, connected by conductive tracks 7 of the heating element with the contact pads 8 of the heating element 6 . The proposed device operates as follows

Диэлектрическая подложка 1 из Al2O3 керамики толщиной 60 мкм с рабочей областью 2, отделенной от диэлектрической подложки 1 с помощью сквозной перфорации, причем на одну из сторон рабочей области 2 нанесена пленка газочувствительного материала 5 (чувствительный элемент), соединенная с помощью токопроводящих дорожек 4 с информационными контактными площадками 3, расположенными на той же стороне диэлектрической подложки 1, а на обратной стороне рабочей области 2 размещен тонкопленочный нагревательный элемент 6, связанный токопроводящими дорожками 7 нагревательного элемента 6 с контактными площадками 8 нагревательного элемента 6, представляет собой первичный газовый сенсор (фиг. 1-3). Диэлектрическая подложка 1 в рабочей области 2 благодаря прецизионной лазерной обработке имеет в три и более раз меньшую толщину, чем все остальные части диэлектрической подложки 1 (фиг. 1).Dielectric substrate 1 made of Al 2 O 3 ceramics with a thickness of 60 μm with a working area 2 separated from the dielectric substrate 1 by through perforation, and on one side of the working area 2 a film of gas-sensitive material 5 (sensitive element) is applied, connected by means of conductive tracks 4 with information contact pads 3 located on the same side of the dielectric substrate 1, and on the reverse side of the working area 2 there is a thin-film heating element 6 connected by conductive tracks 7 of the heating element 6 with the contact pads 8 of the heating element 6, is a primary gas sensor ( Fig. 1-3). The dielectric substrate 1 in the working area 2, due to precision laser processing, has three or more times less thickness than all other parts of the dielectric substrate 1 (Fig. 1).

Токопроводящие дорожки 4 и информационные контактные площадки 3, расположенные на одной стороне диэлектрической подложке 1, и токопроводящие дорожки 7 нагревательного элемента и контактные площадки 8 нагревательного элемента, размещенные на обратной стороне диэлектрической подложки 1, сформированы методом прецизионной лазерной микрофрезеровки предварительно нанесенной платиновой металлизации, причем нагревательный элемент 6 представляет собой узкий участок токопроводящей дорожки. Благодаря высокому сопротивлению этого участка при протекании тока на нем рассеивается «основная» часть энергии, поступающей от внешнего источника, что, в свою очередь, вызывает локальный нагрев рабочей области 2 и, следовательно, пленки газочувствительного материала 5 и обеспечивает перевод чувствительного элемента в рабочий режим и поддержание этого состояния в процессе эксплуатации. Выбором состава пленки газочувствительного материала 5 и путем ее последующей термической обработки обеспечивается селективность газового сенсора к определенному газу. Для калибровки газового сенсора используется стандартная процедура на основе предварительных исследований температурных и концентрационных зависимостей S=f(C,T) газовой чувствительности. По достижению заданных рабочих температур проводится серия измерений значений электрического сопротивления газочувствительного элемента в чистом воздухе с помощью внешней измерительной схемы. После стабилизации значений электрического сопротивления газочувствительного элемента 5 при определенной рабочей температуре, полученные результаты составляют базовые зависимости (опорный сигнал) сенсора. Под воздействием анализируемой смеси газов происходит изменение электрического сопротивления пленки газочувствительного элемента 5 вследствие адсорбции молекул газов ее поверхностью. По истечению времени отклика сопротивление газового сенсора достигает стабильного значения. Аналитический сигнал S от чувствительного элемента 5 определяются как отношение его сопротивления в газовой смеси к базовой зависимости S=Rcм/Raтм. С помощью концентрационных и температурных зависимостей чувствительности S=f(C,T) газового сенсора и данных измерений определяются концентрации детектируемого газа в анализируемой смеси.The conductive tracks 4 and information contact pads 3 located on one side of the dielectric substrate 1, and the conductive tracks 7 of the heating element and the contact pads 8 of the heating element located on the reverse side of the dielectric substrate 1 are formed by the method of precision laser micro-milling of pre-applied platinum metallization, and the heating element 6 is a narrow section of the conductive track. Due to the high resistance of this section during the current flow, the "main" part of the energy coming from an external source is dissipated on it, which, in turn, causes local heating of the working area 2 and, consequently, the film of the gas-sensitive material 5 and ensures the transfer of the sensitive element to the operating mode and maintaining this state during operation. By choosing the composition of the film of the gas-sensitive material 5 and by its subsequent heat treatment, the selectivity of the gas sensor to a certain gas is ensured. A standard procedure is used to calibrate the gas sensor based on preliminary studies of the temperature and concentration dependences S = f (C, T) of the gas sensitivity. Upon reaching the specified operating temperatures, a series of measurements of the electrical resistance of the gas-sensitive element in clean air is carried out using an external measuring circuit. After stabilization of the electrical resistance values of the gas sensitive element 5 at a certain operating temperature, the results obtained form the basic dependences (reference signal) of the sensor. Under the influence of the analyzed gas mixture, the electrical resistance of the film of the gas-sensitive element 5 changes due to the adsorption of gas molecules by its surface. After the response time has elapsed, the resistance of the gas sensor reaches a stable value. The analytical signal S from the sensitive element 5 is defined as the ratio of its resistance in the gas mixture to the basic dependence S = R cm / R atm . Using the concentration and temperature dependences of the sensitivity S = f (C, T) of the gas sensor and the measurement data, the concentration of the detected gas in the analyzed mixture is determined.

Так как в заявляемом газовом сенсоре толщина диэлектрика в рабочей области существенно меньше, чем в прототипе, где она одинакова для всех участков диэлектрической подложки, потребление мощности в процессе эксплуатации также сокращается. Для реализации предложенной конструкции сенсора используется операция прецизионной лазерной микрофрезеровки. Учитывая тот факт, что для тонкой диэлектрической пластины распределение температуры по ее толщине для идеального случая носит линейный характер, снижение мощности было бы пропорционально уменьшению толщины диэлектрика в рабочей области. Это предположение не является строгим, поскольку рассматриваемый случай не является идеальным, так как "узкая" дорожка нагревателя не охватывает всю площадь рабочей области, ширина рабочей области превосходит ее толщину в конечное число раз и т.п. Однако, как показывает испытания экспериментального образца газового сенсора с предложенной конструкцией, при уменьшении толщины диэлектрика в рабочей области сенсора до 20 мкм потребляемая мощность снижается в 2 раза. При этом диэлектрическая подложка сохраняет достаточную механическую прочность. Таким образом, заявляемое устройство благодаря уменьшению толщины диэлектрика в рабочей области газового сенсора обеспечивает по сравнению с прототипом существенное снижение потребляемой мощности.Since in the inventive gas sensor the dielectric thickness in the working area is significantly less than in the prototype, where it is the same for all sections of the dielectric substrate, the power consumption during operation is also reduced. To implement the proposed sensor design, the operation of precision laser micro-milling is used. Taking into account the fact that for a thin dielectric plate the temperature distribution over its thickness for the ideal case is linear, the decrease in power would be proportional to the decrease in the thickness of the dielectric in the working area. This assumption is not strict, since the case under consideration is not ideal, since the "narrow" track of the heater does not cover the entire area of the working area, the width of the working area exceeds its thickness by a finite number of times, etc. However, as shown by tests of an experimental sample of a gas sensor with the proposed design, with a decrease in the thickness of the dielectric in the working area of the sensor to 20 μm, the power consumption is reduced by 2 times. In this case, the dielectric substrate retains sufficient mechanical strength. Thus, the claimed device, due to the decrease in the thickness of the dielectric in the working area of the gas sensor, provides, in comparison with the prototype, a significant reduction in power consumption.

Список литературных источниковList of literary sources

1. Патент на изобретение 2509303 Российская Федерация, МПК G01N 27.14. Полупроводниковый газовый сенсор / Сердюк И.В., Смирнов М.С. Заявл. 10.03.2012, опубл. 10.03.2014, Бюл. №7.1. Patent for invention 2509303 Russian Federation, IPC G01N 27.14. Semiconductor gas sensor / Serdyuk I.V., Smirnov M.S. Appl. 10.03.2012, publ. 03/10/2014, Bul. No. 7.

2. Патент на полезную модель BY U №10187, Республика Белоруссия. Адсорбционно-резистивный газовый сенсор, Патент на полезную модель / Авторы: Мухуров Н.И., Денисюк С.В., Куданович О.Н. Номер заявки U 20131038, опубл. 30.06.2014.2. Patent for a useful model BY U No. 10187, Republic of Belarus. Adsorption-resistive gas sensor, Patent for utility model / Authors: Mukhurov N.I., Denisyuk S.V., Kudanovich O.N. Application number U 20131038, publ. 30.06.2014.

3. Патент на полезную модель 192938 Российская Федерация, МПК G01N 27/14 (2006/01). Газовый сенсор / Авторы: Облов К.Ю., Самотаев Н.Н., Этрекова М.О., Онищенко Е.М. Заявка: 2019120319 от 28.06.2019, опубл. 08.10.2019. Бюл. №28.3. Patent for utility model 192938 Russian Federation, IPC G01N 27/14 (2006/01). Gas sensor / Authors: Oblov K.Yu., Samotaev N.N., Etrekova M.O., Onishchenko E.M. Application: 2019120319 dated 06/28/2019, publ. 08.10.2019. Bul. No. 28.

Claims (1)

Газовый сенсор, содержащий диэлектрическую подложку с рабочей областью, которая отделена от диэлектрической подложки сквозной перфорацией, на одной из сторон диэлектрической подложки сформированы информационные контактные площадки, связанные информационными токопроводящими дорожками с нанесенной в рабочей области пленкой газочувствительного материала, на обратной стороне диэлектрической подложки в рабочей области сформирован тонкопленочный нагревательный элемент, связанный токопроводящими дорожками нагревательного элемента с контактными площадками нагревательного элемента, отличающийся тем, что диэлектрическая подложка в рабочей области газового сенсора имеет в три и более раз меньшую толщину, чем все остальные части диэлектрической подложки.A gas sensor containing a dielectric substrate with a working area, which is separated from the dielectric substrate by through perforation, information contact pads are formed on one of the sides of the dielectric substrate, connected by information conductive tracks with a film of a gas-sensitive material applied in the working area, on the reverse side of the dielectric substrate in the working area a thin-film heating element is formed, connected by conductive tracks of the heating element with the contact pads of the heating element, characterized in that the dielectric substrate in the working area of the gas sensor has three or more times less thickness than all other parts of the dielectric substrate.
RU2019137523U 2019-11-21 2019-11-21 GAS SENSOR RU199011U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019137523U RU199011U1 (en) 2019-11-21 2019-11-21 GAS SENSOR

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019137523U RU199011U1 (en) 2019-11-21 2019-11-21 GAS SENSOR

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU199011U1 true RU199011U1 (en) 2020-08-07

Family

ID=71950282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019137523U RU199011U1 (en) 2019-11-21 2019-11-21 GAS SENSOR

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU199011U1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5546787A (en) * 1992-02-18 1996-08-20 Roth-Technik Gmbh & Co. Housing for gas sensors
RU2137117C1 (en) * 1996-10-10 1999-09-10 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Hybrid integrated circuit of gas sensor
RU120775U1 (en) * 2012-06-04 2012-09-27 Общество с ограниченной ответственностью "Политех-Информ" GAS SENSOR
RU2509303C1 (en) * 2012-10-29 2014-03-10 Открытое акционерное общество "Авангард" Semiconductor gas sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5546787A (en) * 1992-02-18 1996-08-20 Roth-Technik Gmbh & Co. Housing for gas sensors
RU2137117C1 (en) * 1996-10-10 1999-09-10 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Hybrid integrated circuit of gas sensor
RU120775U1 (en) * 2012-06-04 2012-09-27 Общество с ограниченной ответственностью "Политех-Информ" GAS SENSOR
RU2509303C1 (en) * 2012-10-29 2014-03-10 Открытое акционерное общество "Авангард" Semiconductor gas sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2730798B2 (en) Temperature control for portable diagnostic systems
DE502005007186D1 (en) TEST ELEMENT ANALYSIS SYSTEM WITH HARDWARE-COATED CONTACT SURFACES
US9500615B2 (en) Fast response humidity sensor
TW200538724A (en) Chemical-sensing devices
DE50015673D1 (en) MICROSENSOR FOR POSITION MEASUREMENT OF FLUIDS IN CAPILLARES
CN101156063B (en) Method and apparatus for providing an electrochemical sensor at an adjustable temperature
CN103323486A (en) Test chip for Seebeck coefficient of high resistance material
RU199011U1 (en) GAS SENSOR
RU192938U1 (en) GAS SENSOR
RU196983U1 (en) GAS SENSOR
CN206573523U (en) A kind of highly integrated type pH sensors
Belford et al. Thick-film hybrid pH sensors
RU192819U1 (en) GAS SENSOR
IL48045A (en) Method and apparatus for detecting the presence of alcohol and measuring its concentration
EP1050756A2 (en) Device for measuring the thermal conductivity of a fluid
US6467950B1 (en) Device and method to measure mass loss rate of an electrically heated sample
RU22557U1 (en) SENSOR FOR MEASURING CARBON OXIDE CONCENTRATION
JP2000206081A (en) Gas sensor with two electrodes
RU196427U1 (en) CERAMIC HOUSING FOR GAS-SENSITIVE SEMICONDUCTOR SENSOR
RU2178558C1 (en) Gas transducer
PL229704B1 (en) Integrated matrix of gas sensors
RU75052U1 (en) THERMOANEMOMETRIC SENSOR
RU1805367C (en) Dew-point hygrometer
JP2023157201A (en) gas sensor
SU741125A1 (en) Device for measuring solid material heat conductivity