RU1827707C - Single-ended transistor converter - Google Patents
Single-ended transistor converterInfo
- Publication number
- RU1827707C RU1827707C SU904844108A SU4844108A RU1827707C RU 1827707 C RU1827707 C RU 1827707C SU 904844108 A SU904844108 A SU 904844108A SU 4844108 A SU4844108 A SU 4844108A RU 1827707 C RU1827707 C RU 1827707C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- winding
- power transistor
- saturation
- base
- diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Использование: преобразование посто нного напр жени в переменное дл систем вторичного электропитани , электропривода и автоматики. Сущность изобретени : силовой транзистор 1 коммутируетс при изменении пол рности напр жени на первой вторичной обмотке 3 управл ющего трансформатора 2. Втора вторична обмотка 5 этого трансформатора осуществл ет автоматическое регулирование глубины насыщени силового транзистора 1 с помощью дроссел насыщени 7 и первого диода 6. Треть вторична обмотка 11, имеюща на один-два пор дка большее число витков, чем втора вторична обмотка 5, размагничивает дроссель насыщени 7 и форсирует запирание силового транзистора 1 по переходу коллектор-база благодар малому числу витков обмотки 9 этого дроссел . 2 ил.Usage: DC to AC conversion for secondary power systems, electric drives and automation. The inventive power transistor 1 is switched when the voltage polarity changes on the first secondary winding 3 of the control transformer 2. The second secondary winding 5 of this transformer automatically adjusts the saturation depth of the power transistor 1 using saturation dross 7 and the first diode 6. The third is secondary winding 11, having one or two orders of magnitude more turns than the second secondary winding 5, demagnetizes the saturation inductor 7 and forces the locking of the power transistor 1 at the junction the collector-base thanks to the small number of turns of the winding 9 of this throttle. 2 ill.
Description
0000
ю VJ VIYu VJ VI
ОABOUT
Изобретение относитс к преобразовательной технике и может быть использовано при разработке источников вторичного электропитани переключающего типа.The invention relates to a conversion technique and can be used in the development of switching power supplies.
Цель изобретени - повышение КПД за счет уменьшени статических потерь в силовом ключе во включенном состо нии транзистора и динамических потерь при включении силового транзистора.The purpose of the invention is to increase the efficiency by reducing the static losses in the power key when the transistor is on and the dynamic losses when the power transistor is turned on.
На фиг.1 представлена схема устройства; на фиг.2 - временные диаграммы, пока- зывающие сравнительный анализ по временам включени , рассасывани избыточного зар да, формировани положительного фронта коллекторного напр жени и напр жени статических потерь во включенном состо нии.Figure 1 presents a diagram of a device; Fig. 2 is a timing chart showing a comparative analysis of on-time, absorption of excess charge, formation of a positive collector voltage front and on-state static loss voltage.
Устройство однотактного транзисторного силового ключа содержит силовой транзистор 1, управл ющий трансформатор 2, первую вторичную обмотку 3 управл ющего трансформатора 2, ограничительный резистор 4, вторую вторичную обмотку 5 управл ющего трансформатора 2, первый диод 6, дроссель насыщени 7, состо щий из двух магнитосв занных обмоток 8 и 9, второй диод 10, третью вторичную обмотку 11 управл ющего трансформатора 2.The single-ended transistor power switch device comprises a power transistor 1, a control transformer 2, a first secondary winding 3 of a control transformer 2, a limiting resistor 4, a second secondary winding 5 of a control transformer 2, a first diode 6, a saturation inductor 7, consisting of two magnetos windings 8 and 9, a second diode 10, a third secondary winding 11 of the control transformer 2.
Устройство работает следующим образом .The device operates as follows.
При по влении на первой вторичной обмотке 3 управл ющего трансформатора 2 пр моугольного импульса положительной пол рности (интервал времени ti-t4, фиг.2а) на его второй 11 и третьей 5 вторичных обмотках и на обмотках 8 и 9 дроссел насыщени 7 навод тс ЭДС, пол рность которых указана на фиг.1 без скобок, Под воздействием пр моугольного импульса положительной пол рности переход база- эмиттер силового транзистора 1 смещаетс в пр мом направлении и через него начинает протекать базовый открывающий ток JGH, величина которого ограничиваетс резистором 4. В, результате этого начинаетс про- цесс открывани силового транзистора 1 (интервал времени ti-t2, фиг,2) и через него начинает протекать коллекторный ток, В это же врем под воздействием ЭДС, наведенной в обмотке 11 и ЭДС, наведенной в обмотке 3, начинает протекать ток по следующей цепи: начало обмотки 11 управл ющего трансформатора 2 - обмотка 8 дроссел насыщени 7 - первый диод 10 - переход коллектор-эмиттер силового транзистора V - конец обмотки 3. В результате протекани этого тока в обмотке 8 дроссел насыщени 7 возникает ЭДС, котора вместе с падением напр жени на открытомWhen a rectangular pulse of positive polarity (time interval ti-t4, Fig. 2a) appears on the first secondary winding 3 of the control transformer 2, on its second 11 and third 5 secondary windings and on the windings 8 and 9 saturation throttle 7 induce EMF , the polarity of which is shown in Fig. 1 without brackets, Under the influence of a rectangular pulse of positive polarity, the base-emitter junction of the power transistor 1 is shifted in the forward direction and the base opening current JGH starts to flow through it, the value of which is limited to torus 4. B, as a result of this, the process of opening the power transistor 1 begins (time interval ti-t2, FIG. 2) and the collector current starts flowing through it. At the same time, under the influence of the EMF induced in the winding 11 and the EMF induced in winding 3, the current begins to flow along the following circuit: the beginning of the winding 11 of the control transformer 2 - winding 8 saturation throttle 7 - the first diode 10 - the collector-emitter junction of the power transistor V - the end of winding 3. As a result of the flow of this current in the winding 8 throttle saturation 7 there is an EMF, which in Este a voltage drop in the open
переходе диода 10 компенсирует ЭДС, наводимую в обмотке 11. В это врем ток Е цепи поддерживаетс за счет открытого состо ни диода 10. Компенсаци ЭДС обмоткаthe transition of the diode 10 compensates the EMF induced in the winding 11. At this time, the current E of the circuit is maintained due to the open state of the diode 10. Compensation of the EMF winding
11 управл ющего трансформатора 2 предотвращает смещение перехода база - коллектор силового транзистора 1 в обратном направлении, т.е. предотвращает активный режим работы силового транзистора 1. В реО зультате этого силовой транзистор 1 входит в режим насыщени (переход база - коллектор смещаетс в пр мом направлении) и поддерживаетс в этом режиме до тех пор, пока дроссель 7 не войдет в режим насыще5 ни (интервал времени t2-ta фиг.2). Вхождение силового транзистора 1 в режим насыщени при включении улучшает отрицательный фронт импульса коллекторного напр жени (уменьшает интервал времени11 of the control transformer 2 prevents the shift of the base-collector junction of the power transistor 1 in the opposite direction, i.e. prevents the active operation of the power transistor 1. As a result, the power transistor 1 enters saturation mode (the base-collector transition is shifted in the forward direction) and is maintained in this mode until the inductor 7 enters saturated mode5 (interval time t2-ta of FIG. 2). The power transistor 1 entering saturation mode when turned on improves the negative edge of the collector voltage pulse (reduces the time interval
0 ti-t2, фиг.2), уменьшает потери мощности на включение (повышает КПД), уменьшает мгновенную мощность, рассеиваемую на силовом транзисторе 1 при включении, т.е. повышает надежность и КПД. Нахождение0 ti-t2, Fig. 2), reduces the loss of power to turn on (increases efficiency), reduces the instantaneous power dissipated by the power transistor 1 when turned on, i.e. increases reliability and efficiency. Finding
5 силового транзистора 1 в период времени t2-t3 в режиме насыщени уменьшает статические потери мощности на силовом транзисторе 1 по сравнению с прототипом за счет уменьшени падени напр жени на5 power transistor 1 in the time period t2-t3 in saturation mode reduces the static power loss on the power transistor 1 compared with the prototype by reducing the voltage drop by
0 переходе база-коллектор силового транзистора 1. Количество витков первой обмотки 8 и индуктивность первой обмотки U дроссел насыщени 7 выбираютс такими, чтобы насыщение дроссел происходило заAt the base-collector junction of the power transistor 1. The number of turns of the first winding 8 and the inductance of the first winding U of the saturation choke 7 are chosen so that saturation of the choke occurs after
5 врем меньше половины периода, т.е. количество витков обмотки первой обмотки 8 и индуктивность LS дроссел насыщени 7 будут меньшими количества витков и индуктивности второй вторичной обмотки 55 time is less than half the period, i.e. the number of turns of the winding of the first winding 8 and the inductance LS saturation choke 7 will be less than the number of turns and inductance of the second secondary winding 5
0 управл ющего трансформатора 2. Кроме этого, количество витков первой обмотки 8 индуктивность дроссел насыщени 7 выбираютс такими, чтобы ЭДС обмотки 8 дроссел насыщени 7 была меньше ЭДС0 of the control transformer 2. In addition, the number of turns of the first winding 8, the inductance of the saturation choke 7 is chosen so that the EMF of the winding 8 of the saturation choke 7 is less than the EMF
5 второй вторичной обмотки 11 управл ющего трансформатора 2 на падение напр жени на диоде 10 с целью обеспечени протекани тока через дроссель насыщени 7, т.е. ток через дроссель насыщени 7 и5 of the second secondary winding 11 of the control transformer 2 for voltage drop across the diode 10 in order to ensure that the current flows through the saturation inductor 7, i.e. current through saturation inductor 7 and
0 насыщенный режим работы силового транзистора 1 в интервале времени t2-ta (фиг.2г) обеспечиваютс за счет открытого состо ни диода 10. После насыщени дроссел насыщени 7 (момент времени ta, фиг.2) на50 the saturated mode of operation of the power transistor 1 in the time interval t2-ta (Fig.2d) is provided due to the open state of the diode 10. After saturation, the saturation choke 7 (time ta, Fig.2) is 5
пр жение на нем становитс равным нулю. Тогда под воздействием ЭДС на второй вторичной обмотке 11 переход база-коллектор силового транзистора 1 смещаетс в обратном направлении и он входит в ненасыщенный (активный) режим работы (интервалthe voltage on it becomes zero. Then, under the influence of the EMF on the second secondary winding 11, the base-collector junction of the power transistor 1 is shifted in the opposite direction and it enters an unsaturated (active) mode of operation (interval
времени t3-t4, фиг.2), который позвол ет значительно уменьшить врем рассасывани избыточного зар да (интервал времени t4-ts, фиг.2), длительность положительного фронта (интервал времени ts-te, фиг,2), и как следствие, позвол ет уменьшить потери мощности на выключение в интервале времени t4-t5, фиг,2) и мгновенную мощность в этом интервале времени. Т.е. в этом интервале времени предлагаемое устройство со- хран ет все преимущества прототипа.time t3-t4, FIG. 2), which can significantly reduce the absorption time of the excess charge (time interval t4-ts, FIG. 2), the duration of the positive edge (time interval ts-te, FIG. 2), and as a consequence , reduces the power loss on shutdown in the time interval t4-t5, Fig. 2) and the instantaneous power in this time interval. Those. in this time interval, the proposed device retains all the advantages of the prototype.
При изменении тока коллектора силового транзистора 1 устройство ненасыщенного ключа обеспечивает перераспределение тока базы силового транзистора 1 и тока, протекающего через обмотку 8 дроссел насыщени 7 и диод 10, Например, с уменьшением тока коллектора силового транзистора 1 ток в его базу уменьшаетс , а ток через обмотку 8 дроссел насыщени 7 и диод 10 увеличиваетс , в результате чего дроссель быстрее входит в режим насыщени (уменьшаетс интервал времени t2-ta, фиг.2). Поскольку при широтно-импульсном регулировании уменьшение тока коллектора соответствует уменьшению времени открытого состо ни силового транзистора 1 (интервал времени t2-t4, фиг.2), то при применении устройства в источниках вторичного электропитани , построенных на основе однотактных широтно-импульсных преобразователей, в случае изменени тока нагрузки в широких пределах функционирование предлагаемого устройства не нарушаетс ,When the collector current of the power transistor 1 changes, the device of the unsaturated key provides a redistribution of the base current of the power transistor 1 and the current flowing through the winding 8 saturation dross 7 and the diode 10, for example, with a decrease in the collector current of the power transistor 1, the current to its base decreases, and the current through the winding 8, saturation throttle 7 and diode 10 increase, as a result of which the inductor enters saturation mode faster (the time interval t2-ta decreases, Fig. 2). Since, in case of pulse-width regulation, a decrease in the collector current corresponds to a decrease in the open time of the power transistor 1 (time interval t2-t4, Fig. 2), when using the device in secondary power sources based on single-cycle pulse-width converters, in the case of changes in the load current over a wide range, the functioning of the proposed device is not disturbed,
ЭДС наведенна в обмотке 5 управл ю- щего трансформатора 2, поддерживает диод 6 в закрытом состо нии в течение всего полупериода положительного управл ющего импульса (интервал времени trt4, фиг.2) и накапливаетэнергиюдл форсированного закрывани силового транзистора 1 в течение полупериода отрицательного управл ющего импульса (интервал времени t4-ty, фиг.2,а). Т.к. дл достижени большей эффективности рассасывани избыточного за- р да в переходе база-колл%ктор силового транзистора 1 во врем полупериода отрицательного управл ющего импульса (увеличени запирающего тока по переходу база-коллектор) обмотка 5 управл ющего трансформатора 2 выполн етс с большим количеством витков по сравнению с обмоткой 11 управл ющего трансформатора 2 (напр жение на обмотке 11 имеет величину пор дка 2 В дл достижени оптимального ненасыщенного режима с точки зрени величины статических потерь и времени рассасывани избыточного зар да, т.к. дальнейшее увеличение напр жени на обмотке 5 лишь незначительно уменьшаетThe EMF induced in the winding 5 of the control transformer 2, keeps the diode 6 closed during the entire half-cycle of the positive control pulse (time interval trt4, Fig. 2) and accumulates energy for forced closing of the power transistor 1 during the half-cycle of the negative control pulse (time interval t4-ty, Fig. 2, a). Because to achieve greater efficiency of the absorption of the excess charge in the base-call% cto junction of the power transistor 1 during the half-cycle of the negative control pulse (increasing the blocking current at the base-collector junction), the winding 5 of the control transformer 2 is made with a large number of turns in compared with the winding 11 of the control transformer 2 (the voltage on the winding 11 has a value of the order of 2 V to achieve the optimal unsaturated mode in terms of static losses and time absorbed overcharge, since further increase in the voltage at the coil 5 decreases only insignificantly
врем рассасывани избыточного зар да и длительность положительного фронта коллекторного напр жени при возрастании статических потерь, а напр жение на обмотке 11 может приближатьс к напр жению питани силового транзистора 1), а обмотка 8 дроссел насыщени 7 с целью обеспечени насыщени дроссел и открытого состо ни диода 10 имеет меньше количество витков и индуктивность по сравнению с обмоткой 11 управл ющего трансформатора 2 (напр жение на обмотке 8 дроссел насыщени 7 меньше напр жени на обмотке 11 управл ющего трансформатора 2 на величину падени напр жени на диоде 10) при том же материале и типоразмере сердечников , то размагничивающа обмотка 9 дроссел насыщени 7 будет иметь небольшое количество витков и незначительную индуктивность по сравнению с обмоткой 5 управл ющего трансформатора 2. При больших значени х напр жени на обмотке 5 управл ющего трансформатора 2 ток рассасывани избыточного зар да из перехода база-коллектор силового транзистора 1 во врем полупериода отрицательного управл ющего импульса может превышать ток базы силового транзистора 1 и ток через обмотку 8 дроссел насыщени 7 в несколько раз, поэтому количество витков и индуктивность размагничивающей обмотки 9 дроссел насыщени 7 не будут превышать количества витков и индуктивности его обмотки 8. Напр жение на размагничивающей обмотке 9 дроссел насыщени 7 будет незначительным по сравнению с напр жением на обмотке 5 и в результате этого размагничивающа обмотка 9 дроссел насыщени 7 не будет вли ть на функционирование обмотки 5 во врем как положительного , так и отрицательного управл ющего импульсов.the time of absorption of the excess charge and the duration of the positive front of the collector voltage with increasing static losses, and the voltage on the winding 11 can approach the supply voltage of the power transistor 1), and the winding 8 is the saturation choke 7 to ensure saturation of the interrogator and the open state of the diode 10 has fewer turns and inductance compared to the winding 11 of the control transformer 2 (voltage on the winding 8 saturation throttle 7 is less than the voltage on the winding 11 of the control transformer 2 n and the magnitude of the voltage drop across the diode 10) with the same material and the size of the cores, the demagnetizing winding 9 saturating throttle 7 will have a small number of turns and a small inductance compared to the winding 5 of the control transformer 2. At high voltage values on the winding 5 of the control transformer 2, the absorption current of the excess charge from the base-collector junction of the power transistor 1 during the half-cycle of the negative control pulse may exceed the base current of the power transistor 1 and the current through the winding 8 throttle saturation 7 several times, so the number of turns and the inductance of the demagnetizing winding 9 throttle saturation 7 will not exceed the number of turns and the inductance of its winding 8. The voltage on the demagnetizing winding 9 throttle saturation 7 will be insignificant compared to the voltage on winding 5 and, as a result, the demagnetizing winding 9, saturation throttle 7 will not affect the functioning of winding 5 during both positive and negative control pulses.
При по влении на обмотке 3 пр моугольного импульса отрицательной пол рности (интервал времени t4-t, фиг,2,а) на второй 11 и третьей 5 обмотках управл ющего тра форматора 2 и обмотках 8 и 9 дроссел насыщени 7 навод тс ЭДС, пол рность которых на фиг.1 указана в скобках .When a rectangular pulse of negative polarity appears on winding 3 (time interval t4-t, Fig. 2, a) on the second 11 and third 5 windings of the control transformer 2 and windings 8 and 9, saturation throttle 7 induces an EMF, the field The figure of which is indicated in parentheses in FIG.
Под воздействием ЭДС, наведенной в обмотке 3 управл ющего трансформатора 2, силовой транзистор 1 закрываетс по переходу база-эмиттер.Under the influence of the EMF induced in the winding 3 of the control transformer 2, the power transistor 1 closes at the base-emitter junction.
Под воздействием ЭДС, наведенной в обмотке 11 управл ющего трансформатора 2, силовой транзистор 1 закрываетс по переходу база-эмиттер.Under the influence of the EMF induced in the winding 11 of the control transformer 2, the power transistor 1 closes at the base-emitter junction.
Под воздействием ЭДС. наведенной в обмотке 11 управл ющего трансформатора 2 происходит форсированное закрываниеUnder the influence of EMF. induced in the winding 11 of the control transformer 2 is forced closing
диода 10 вследствие того, что напр жение на обмотке 11 больше напр жени на обмотке 8 дроссел насыщени 7, что способствует форсированному закрыванию перехода база-коллектор силового транзи- стора 1,т.к. процесс рассасывани неосновных носителей диода 6 не будет вли ть на процесс рассасывани неосновных носителей в переходе база-коллектор силового транзистора 1.diode 10 due to the fact that the voltage on the winding 11 is greater than the voltage on the winding 8 of the saturation choke 7, which contributes to the forced closing of the base-collector junction of the power transistor 1, because. the process of resorption of minority carriers of the diode 6 will not affect the process of resorption of minority carriers in the base-collector junction of the power transistor 1.
Под воздействием ЭДС, наведенной в обмотке 5 диод 6 открываетс . В результате к переходу база-коллектор силового транзистора 1 прилагаетс обратное напр жение, способствующее быстрому рассасыванию неосновных носителей в этом переходе (уменьшение времени рассасывани избыточного зар да), уменьшению потерь мощности на выключение в интервале времени t4-te (фиг.2), т.е. повышение КПД, уменьше- нию длительности положительного фронта (интервал времени ts-t6, фиг.2г), уменьшению мгновенной мощности на этапе выключени (повышению надежности). Таким образом введение размагничивающей об- мотки 9 дроссел насыщени 7 не вли ет на работу форсирующей обмотки 5 управл ющего трансформатора 2. Под воздействием ЭДС, наведенной в обмотке 5 управл ющего трансформатора 2-во врем действи уп- равл ющего импульса отрицательной пол рности, происходит размагничивание дроссел насыщени 7 за счет протекани через его обмотку 9 тока рассасывани неосновных носителей в переходе база-кол- лектор силового транзистора 1 по следующей цепи: конец обмотки 5-обмотка 9 дроссел насыщени 7 - диод 6 - переход коллектор-база силового транзистора 1 - начало обмотки 5. Т.к. величина тока расса- сывани неосновных носителей в переходе база-коллектор будет определ тьс величиной напр жени обмотки 5 и сопротивлением цепи, по которой протекает этот ток, то при больших значени х напр жени на обмотке 5 ток рассасывани может превышать ток базы и ток через обмотку 8 в несколько раз, что гарантирует полное размагничивание дроссел насыщени 7 даже при меньшем количестве витков его размагничивающей обмотки 9 по сравнению с его основной обмоткой 8. Наличие форсирующей обмотки 5 управл ющего трансформатора 2 позвол ет в некоторой степени уменьшить врем рассасывани избыточного зар да и формировани положительного фронта коллекторного напр жени по сравнению с прототипом.Under the influence of the EMF induced in the winding 5, the diode 6 opens. As a result, the reverse voltage is applied to the base-collector junction of the power transistor 1, which contributes to the fast absorption of minority carriers in this transition (reduction of the absorption time of the excess charge), reduction of shutdown power losses in the time interval t4-te (Fig. 2), t .e. an increase in efficiency, a decrease in the duration of a positive edge (time interval ts-t6, Fig. 2d), a decrease in instantaneous power at the shutdown stage (increase in reliability). Thus, the introduction of a demagnetizing winding 9 saturating throttle 7 does not affect the operation of the boosting winding 5 of the control transformer 2. Under the influence of the EMF induced in the winding 5 of the control transformer 2, during the action of the control pulse of negative polarity, demagnetization of saturation 7 throttle due to the leakage of minority carriers through its winding 9 in the base-collector junction of the power transistor 1 along the following circuit: end of the winding 5-winding 9 saturation throttle 7 - diode 6 - transition od collector-base power transistor 1 - the beginning of the winding 5. Since the magnitude of the dissipation current of minority carriers in the base-collector junction will be determined by the magnitude of the voltage of the winding 5 and the resistance of the circuit along which this current flows, then at high voltage values on the winding 5, the resorption current can exceed the base current and the current through the winding 8 several times, which ensures complete demagnetization of saturation throttle 7 even with fewer turns of its demagnetizing winding 9 compared to its main winding 8. The presence of the boost winding 5 of the control transformer 2 allows To some extent, reduce the time of absorption of the excess charge and the formation of a positive front of the collector voltage compared with the prototype.
При поступлении импульса управлени положительной пол рности процессы, происход щие в устройстве, повтор ютс .When a positive polarity control pulse arrives, the processes occurring in the device are repeated.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904844108A RU1827707C (en) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | Single-ended transistor converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904844108A RU1827707C (en) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | Single-ended transistor converter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1827707C true RU1827707C (en) | 1993-07-15 |
Family
ID=21523612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904844108A RU1827707C (en) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | Single-ended transistor converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1827707C (en) |
-
1990
- 1990-07-02 RU SU904844108A patent/RU1827707C/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР Ns 1403272, кл. Н 02 М 1/08, 1986. Драбович Ю.И. и др. Транзисторные источники электропитани с бестрансформаторным входом. Наукова Думка, 1984,с. 93, рис. 35а. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5132889A (en) | Resonant-transition DC-to-DC converter | |
US5307005A (en) | Zero current switching reverse recovery circuit | |
US4007413A (en) | Converter utilizing leakage inductance to control energy flow and improve signal waveforms | |
US4004209A (en) | Wide range power conversion system | |
KR930000966B1 (en) | Non-linear resonant switch and converter | |
RU1827707C (en) | Single-ended transistor converter | |
US4680534A (en) | Drive method for switching power converter and apparatus using this method | |
Harada et al. | Ferroresonant converters with high-frequency drive | |
JPS627368A (en) | Power source circuit | |
RU2012982C1 (en) | Device for control over power transistor key | |
SU1275690A1 (en) | One-step d.c.voltage converter | |
SU1610570A1 (en) | Push-pull transistor inverter | |
SU1515286A1 (en) | Single-ended self-excited d.c. voltage converter | |
SU945854A1 (en) | Switch-type stabilizer | |
SU1598155A1 (en) | Transistor gate with inductive load | |
JPH0311574B2 (en) | ||
SU1676024A1 (en) | Device for controlling power transistor switch | |
SU1541723A1 (en) | Device for control of transistor power switch | |
RU1823101C (en) | Single-ended d c/d c converter | |
SU1390752A1 (en) | Transistor gate voltage converter | |
SU1195444A1 (en) | Current selector switch | |
RU2007853C1 (en) | Surge injector | |
SU1534681A1 (en) | Stabilized converter | |
RU2013849C1 (en) | Voltage converter | |
SU1417136A1 (en) | D.c. voltage single-ended transistor converter |