RU181086U1 - Линза - Google Patents
Линза Download PDFInfo
- Publication number
- RU181086U1 RU181086U1 RU2017138150U RU2017138150U RU181086U1 RU 181086 U1 RU181086 U1 RU 181086U1 RU 2017138150 U RU2017138150 U RU 2017138150U RU 2017138150 U RU2017138150 U RU 2017138150U RU 181086 U1 RU181086 U1 RU 181086U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- particles
- mesoscale
- particle
- lens according
- refractive index
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- TVUBDAUPRIFHFN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4].O=[Si]=O TVUBDAUPRIFHFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxanes Polymers 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/58—Optics for apodization or superresolution; Optical synthetic aperture systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель может использоваться для фокусировки в локальную область с субдифракционными размерами, например, в ближнепольных микроскопах, в фотоприемниках. Линза состоит из прозрачного для падающего излучения диэлектрического слоя, в котором размещена одна или несколько мезоразмерных диэлектрических частиц, оптический фокус каждой из которых находится вне диэлектрического слоя. Частицы выполнены из материала с относительным показателем преломления по отношению к показателю преломления среды, окружающей частицу, примерно от 1.2 до 2 и с характерным размером не менее λ, где λ - длина волны падающего излучения. Частицы формируют непосредственно на своей теневой границе фотонную струю с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел. Технический результат - упрощение устройства линзы. 10 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Полезная модель относится к линзам и, в частности, хотя и не исключительно, к оптическим объективам для фокусировки электромагнитного излучения в локальную область с субдифракционными размерами и может быть применено, например, в ближнепольных микроскопах, в фотоприемниках.
Известны оптические системы на основе диэлектрических линз (Зелкин Е.Г., Петрова Р.А. Линзовые антенны. М.: Советское радио, 1974). Для построения оптических систем используются также более сложные линзы, например, линза Ротмана и линза Люнеберга (Корнблит С., СВЧ оптика, М.: «Связь», 1980).
Диаметр пятна Эйри h определяется так называемым критерием Рэлея, который устанавливает предел концентрации (фокусировки) электромагнитного поля с помощью оптических систем [Борн М., Вольф Э., Основы оптики // - М.:Наука. - 1970]:
h=2.44 λFD-1,
где λ - длина волны излучения, D - диаметр первичного зеркала или линзы оптической системы, F - фокусное расстояние оптической системы.
Диаметр пятна Эйри h является важным параметром оптической системы, который определяет ее собственную разрешающую способность в фокальной плоскости и определяет качество получаемого изображения. Он показывает минимальное расстояние между полем точечных источников в фокальной плоскости, которое способна зарегистрировать данная оптическая система. Максимальное разрешение идеальной оптической системы не может превышать величины λ/2.
Недостатком данных линзовых устройств является низкое пространственное разрешение, ограниченное дифракционным пределом формирующей системы.
Преодолеть дифракционный предел в оптике можно различными способами, например, с помощью эффекта «фотонной наноструи» (например, см. A.Heifetz et al. Experimental confirmation of backscattering enhancement induced by a photonic jet // Appl.Phys.Lett., 89, 221118 (2006)). Поперечный размер фотонной наноструи составляет 1/3…1/4 длины волны излучения, что меньше дифракционного предела классической линзы.
Известна сферическая линза, выполненная в виде слабопоглощающей диэлектрической частицы с диаметром, сравнимым с длиной волны падающего излучения для формирования фотонной струи, обладающей свойствами сверхразрешения [Гейнц Ю.Э., Земляное А.А., Панина Е.К. Сравнительный анализ пространственных форм фотонных струй от сферических диэлектрических микрочастиц // Оптика атмосферы и океана. 2012. Т. 25, №5, С. 417-424].
Фотонная струя возникает в области теневой поверхности диэлектрических микросферических частиц - в т.н. ближней зоне дифракции - и характеризуется сильной пространственной локализацией и высокой интенсивностью оптического поля в области фокусировки.
Позднее возможность получения фотонных наноструй были изучены для диэлектрических осесимметричных тел, например, эллиптических цилиндрических частиц [Минин И.В., Минин О.В. Квазиоптика: современные тенденции развития - Новосибирск: СГУГиТ, 2015. - 163 с.; T. Jalalia and D. Erni. Highly confined photonic nanojet from elliptical particles // Journal of Modern Optics, Vol. 61, No. 13, 1069-1076 (2014).], многослойных слоисто-неоднородных микросферических частиц с радиальным градиентом коэффициента преломления [César Méndez Ruiz and Jamesina J. Simpson. Detection of embedded ultrasubwavelength-thin dielectric features using elongated photonic nanojets // 2 August 2010 / Vol. 18, No. 16 / OPTICS EXPRESS 16805], а также полусфер [Cheng-Yang Liu. Photonic nanojet shaping of dielectric non-spherical microparticles // Physica E 64 (2014), pp. 23-28.], дисков [B. Luk`yanchuk, N. I.Zheludev, S. A. Maier, N. J. Halas, P. Nordlander, H. GiessenandT.C. Chong. The Fano resonance in plasmonic nanostructures and metamaterials. Nat. Mater.9, 707-715 (2010); C-Y. Liu and C-C. Li. Photonic nanojet induced modes generated by a chain of dielectric microdisks. Optik 127, 267-273 (2016).], цилиндра-сферы [Jinlong Zhu and Lynford L. Goddard. Spatial control of photonic nanojets // Optics Express, Vol. 24, No. 26, 2016, 30445].
Так же было обнаружено, что фотонные струи могут быть сформированы несимметричными мезоразмерными диэлектрическими частицами, например, куб, усеченный шар, пирамида, усеченная пирамида, круговой конус, призма, объемный шестигранник и т.д. [I.V.Minin and O.V.Minin. Diffractive optics and nanophotonics: Resolution below the diffraction limit, Springer, 2016 http://www.springer.com/us/book/9783319242514#aboutBook; V. Pacheco-Pena, M. Beruete, I. V. Minin and O. V. Minin. Terajets produced by 3D dielectric cuboids. Appl. Phys. Lett. 105, 084102 (2014); I.V. Minin,O. V. Minin and Geintz Y.E. Localized EM and photonic jets from non-spherical and non-symmetrical dielectric mesoscale objects: brief review. Annalen der Physik (AdP), May 2015 DOI: 10.1002/andp.201500132; Yu. E. Geintz, A. A. Zemlyanov and E. K. Panina. Photonic Nanonanojets from Nonspherical Dielectric Microparticles. Russian Physics Journal 58, 904-910 (2015); Yu. E. Geints, A. A. Zemlyanov and E. K. Panina. Characteristics of photonic jets from microcones. Optics and Spectroscopy 119, 849-854 (2015); И.В.Минин, О.В.Минин. Фотоника изолированных диэлектрических частиц произвольной трехмерной формы - новое направление оптических информационных технологий // "Вестник НГУ. Серия: Информационные технологии". 2014, №4, С.4-10.].
В результате проведенных исследований, было обнаружено, что диэлектрические мезочастицы, например в форме куба или сферы, с характерным размером не менее λ/2, где λ - длина волны используемого излучения, с коэффициентом преломления материала лежащего в диапазоне примерно от 1.2 до 2.0, при ее облучении электромагнитной волной со сферически сходящимся или плоским волновым фронтом, формируют на ее внешней границе с противоположной стороны от падающего излучения локальную область с повышенной интенсивностью излучения с поперечными размерами порядка λ/3-λ/4 и протяженностью не более 10 λ.
При характерных размерах мезоразмерной частицы менее λ/2, локальная концентрация электромагнитного поля вблизи поверхности частицы не возникает.
При коэффициенте преломления материала мезоразмерной частицы менее 1.2, поперечный размер локальной области концентрации поля становится порядка дифракционного предела и может быть обеспечен формирующей системой. При коэффициенте преломления материала мезоразмерной частицы более 2.0, локальная концентрация электромагнитного поля возникает внутри частицы и не может быть использована для облучения исследуемого объекта.
Однако такие мезоразмерные диэлектрические частицы сложно использовать в качестве фокусирующих устройств, как по отдельности, так и в качестве монослоя из-за трудности их закрепления в реальных устройствах.
В качестве прототипа выбрана линза по патенту WO 2015025174 A1. Линза содержит твердый и прозрачный для используемого излучения слой, в котором размещено множество сферических или сфероидных прозрачных частиц, образуя монослой, так что соответствующий оптический фокус каждой из частиц находится вне слоя.
Линза согласно прототипа приспособлена для работы в режиме виртуального изображения ближнего поля, в котором объект расположен в пределах фокусного расстояния прозрачной частицы.
Недостатком линзы является сложность устройства и трудность обеспечения совместимости с другими микро- и нано-устройствами.
Задачей настоящей полезной модели является устранение указанных недостатков, а именно упрощения устройства линзы.
Указанная задача достигается тем, что линза, состоящая из прозрачного для падающего излучения диэлектрического слоя, в котором размещена одна или несколько мезоразмерных диэлектрических частиц, при этом оптический фокус каждой частицы находится вне диэлектрического слоя, отличается тем, что частицы выполнены из материала с относительным показателем преломления по отношению к показателю преломления среды окружающей частицу, примерно от 1.2 до 2 и с характерным размером не менее λ, где λ - длина волны падающего излучения, и формирующие непосредственно на своей теневой границе фотонную струю с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел.
Кроме того, на поверхности мезоразмерные частички, обращенной к падающему оптическому излучению, может быть нанесен слой материала, не пропускающего падающее на частицу излучение, при этом поперечные размеры этого материала составляют 0,1-0,8 от максимального поперечного размера частицы.
Кроме того, все мезоразмерные частички имеют одинаковый характерный размер.
Кроме того, мезоразмерные частички имеют различный характерный размер.
Кроме того, мезоразмерные частички имеют форму, например, кубика.
Кроме того, мезоразмерные частички имеют форму, например, пирамиды.
Кроме того, мезоразмерные частички имеют форму, например, кругового конуса.
Кроме того, мезоразмерные частички имеют форму, например, цилиндра.
Кроме того, мезоразмерные частички имеют форму, например, кругового столба.
Кроме того, что все мезоразмерные частички имеют одинаковую форму.
Кроме того, мезоразмерные частички имеют различную форму.
Полезная модель поясняется чертежами.
На фиг. 1 показан пример формирования фотонной струи диэлектрическими частицами в виде сферы (а), куба (б), шестигранника (в-г), конуса (д-е).
На фиг. 2 приведен пример схемы предлагаемой линзы при показателе преломления материала подложки менее показателя преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы.
На фиг. 3 приведен вариант схемы предлагаемой линзы при показателе преломления материала подложки, равным показателю преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы, при этом частица может иметь, например, форму куба или кругового конуса или пирамиды или кругового столба.
На фиг. 4 пример мезоразмерной диэлектрической частицы в виде кругового столба с нанесенным слоем материала, не пропускающего падающее на частицу излучение.
На фигурах обозначены: 1 - падающее на линзу излучение, 2 - прозрачный слой с показателем преломления материала подложки менее показателя преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы, 3 - мезоразмерная диэлектрическая частица, 4 - фотонная струя, 5 - прозрачный слой с показателем преломления материала подложки равным показателя преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы, 6 - слой материала, не пропускающего падающее на мезоразмерную частицу излучение, при этом поперечные размеры этого материала составляют 0,1-0,8 от максимального поперечного размера частицы, 7 - мезоразмерная частица на теневой поверхности слоя 5.
Заявляемая линза работает следующим образом.
Падающее на линзу излучение 1, со сферически сходящимся или плоским волновым фронтом, попадает на прозрачный для излучения слой 2, в котором размещена одна или несколько мезоразмерных диэлектрических частиц 3, при этом показатель преломления материала слоя 2 менее показателя преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы 3 и относительный показатель преломления материала частицы, по отношению к показателю преломления материала частицы находится в интервале от 1.2 до 2.0, фиг. 2. В результате интерференции излучения и фокусировки поверхностных волн формируется фотонная струя 4 с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел. В качестве мезоразмерных частиц могут быть использованы частицы различной формы.
Мезоразмерные частички 3 могут быть выполнены из полупроводникового материала, прозрачные для освещающего излучения, например, кремния или германия или арсенида галлия.
В случае, когда показатель преломления материала слоя 5 равен показателю преломления мезоразмерной частицы 7 и относительный показатель преломления материала частицы, по отношению к показателю преломления окружающей среды, например, воздуха находится в интервале от 1.2 до 2.0, при освещении слоя 5 излучением 1 со сферически сходящимся или плоским волновым фронтом, частица 7 формирует фотонную струю 4, фиг. 3. В этом случае, мезоразмерные частицы 7 размещаются на теневой поверхности слоя 5. Выполнение линзы из одного материала упрощает технологию ее изготовления.
Закрепление мезоразмерных частиц с различной формой поверхности на или в слое материала прозрачного для освещающего излучения позволяет реализовать и упростить устройства сканирования сфокусированным излучением, за счет перемещения линзы, например, в оптических микроскопах.
Падающее на мезоразмерную частицу 3 излучение 1 линзу интерферирует материала частицы 3, формируя фотонную струю 4. Поскольку на входной (по отношению к направлению падения излучения) поверхности диэлектрической частицы располагается слой материала, не пропускающего падающее излучение 6 (маска), волновой фронт внутри частицы искажается более сильно, по сравнению с частицей без слоя материала, не пропускающего падающего излучения, и в результате конструктивной интерференции формируется область повышенной концентрации поля в виде фотонной струи 4, фиг. 4.
Конкретное значение величины экранирования поверхности частицы определяется в зависимости от назначения устройства и требуемых оптимальных параметров струи и находится в диапазоне от 0.1 до 0.8 характерного размера частицы.
В результате экспериментов сравнивались диэлектрические частицы с коэффициентом преломления равным 1.46, формирующие фотонные струи сферической формы диаметром L=3λ, в форме куба с величиной ребра L=3λ и в форме круглого столба с диаметром равным длине цилиндра и равным 3λ. Во всех случаях поперечные размеры слоя материала, не пропускающего излучения, равнялись 3/2λ.
В результате исследования было установлено, что диэлектрическая частица с характерным размером 3λ в форме круглого столба с маской формирует непосредственно на ее теневой границе интенсивность поля на 18.9% больше, чем у сферической частицы и более чем в 2 раза больше для частицы в форме куба.
Толщину слоя 2 предпочтительнее выбирать порядка характерного размера частицы 3, чтобы предлагаемую линзу можно было бы поместить в область фокуса объектива микроскопа или иной системе формирования изображения.
Устройство линзы при показателе преломления материала подложки менее показателя преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы фиксирует мезоразмерные частицы различной формы в диэлектрический, прозрачный для падающего излучения слой и защищает их от воздействия окружающей среды.
Устройство линзы, при показателе преломления материала подложки равным показателю преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы, позволяет упростить устройство линзы и технологию ее изготовления.
Изготовление линзы при показателе преломления материала подложки, равным показателю преломления материала мезоразмерной диэлектрической частицы возможно методами литографии.
В качестве материала слоя могут быть использованы материалы с показателем преломления примерно около 1.5, например, стекло или эластомер, например, силиконовый эластомер (например, полидиметилсилоксаны, «PDMS», показатель преломления 1,4).
Относительный показатель преломления материала частиц может составлять, около от 1,2 до 2.0. Например, могут быть использованы частицы диоксида кремния (SiO2) (показатель преломления около 1,5), или могут быть использованы частицы Al2O3 (показатель преломления около 1,76), или стеклянные частицы BaTiO3 (показатель преломления около 1,9-2,0), или могут быть использованы частицы TiO2 (например, показатель преломления от 2,4 до 3,0), или композиционный материал из диоксида кремния-диоксид титана (показатель преломления от 1,4 до 2,7).
Заявляемая линза, кроме того, обеспечивает актуальное расширение приборного арсенала современных фокусирующих систем с субволновыми размерами, формирующих фотонные струи.
Техническим результатом является упрощение устройства линзы для фокусировки фотонной струи.
Claims (11)
1. Линза, состоящая из прозрачного для падающего излучения диэлектрического слоя, в котором размещена одна или несколько мезоразмерных диэлектрических частиц, при этом оптический фокус каждой частицы находится вне диэлектрического слоя, отличается тем, что частицы выполнены из материала с относительным показателем преломления по отношению к показателю преломления среды окружающей частицу, примерно от 1.2 до 2 и с характерным размером не менее λ, где λ - длина волны падающего излучения, и формирующие непосредственно на своей теневой границе фотонную струю с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел.
2. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что на поверхности мезоразмерные частички, обращенной к падающему оптическому излучению, нанесен слой материала, не пропускающего падающее на частицу излучение, при этом поперечные размеры этого материала составляют 0,1-0,8 от максимального поперечного размера частицы.
3. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что все мезоразмерные частички имеют одинаковый характерный размер.
4. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что мезоразмерные частички имеют различный характерный размер.
5. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что мезоразмерные частички имеют форму, например, кубика.
6. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что мезоразмерные частички имеют форму, например, пирамиды.
7. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что мезоразмерные частички имеют форму, например, кругового конуса.
8. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что мезоразмерные частички имеют форму, например, цилиндра.
9. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что мезоразмерные частички имеют форму, например, кругового столба.
10. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что все мезоразмерные частички имеют одинаковую форму.
11. Линза по п. 1, отличающаяся тем, что мезоразмерные частички имеют различную форму.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017138150U RU181086U1 (ru) | 2017-11-01 | 2017-11-01 | Линза |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017138150U RU181086U1 (ru) | 2017-11-01 | 2017-11-01 | Линза |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU181086U1 true RU181086U1 (ru) | 2018-07-04 |
Family
ID=62813522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017138150U RU181086U1 (ru) | 2017-11-01 | 2017-11-01 | Линза |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU181086U1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU192565U1 (ru) * | 2019-04-18 | 2019-09-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Устройство для лазерной сварки с помощью лазерного излучения |
| RU2786780C1 (ru) * | 2022-06-30 | 2022-12-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" | Способ определения суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015025174A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Bangor University | Improvements in and relating to lenses |
| WO2016020831A1 (en) * | 2014-08-06 | 2016-02-11 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | System for optical detection and imaging of sub-diffraction-limited nano-objects |
| RU160810U1 (ru) * | 2015-10-15 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Субволновой датчик волнового фронта |
| WO2017007431A1 (en) * | 2015-07-09 | 2017-01-12 | National University Of Singapore | Microsphere for generating a photonic nanojet |
| RU2631006C1 (ru) * | 2016-10-26 | 2017-09-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Способ формирования изображения объектов с субдифракционным разрешением в миллиметровом, терагерцевом, инфракрасном и оптическом диапазонах длин волн |
-
2017
- 2017-11-01 RU RU2017138150U patent/RU181086U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015025174A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Bangor University | Improvements in and relating to lenses |
| WO2016020831A1 (en) * | 2014-08-06 | 2016-02-11 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | System for optical detection and imaging of sub-diffraction-limited nano-objects |
| WO2017007431A1 (en) * | 2015-07-09 | 2017-01-12 | National University Of Singapore | Microsphere for generating a photonic nanojet |
| RU160810U1 (ru) * | 2015-10-15 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Субволновой датчик волнового фронта |
| RU2631006C1 (ru) * | 2016-10-26 | 2017-09-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Способ формирования изображения объектов с субдифракционным разрешением в миллиметровом, терагерцевом, инфракрасном и оптическом диапазонах длин волн |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU192565U1 (ru) * | 2019-04-18 | 2019-09-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Устройство для лазерной сварки с помощью лазерного излучения |
| RU2786780C1 (ru) * | 2022-06-30 | 2022-12-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" | Способ определения суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы |
| RU2790963C1 (ru) * | 2022-06-30 | 2023-02-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" | Способ фокусировки электромагнитного излучения |
| RU2806895C1 (ru) * | 2023-07-14 | 2023-11-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" | Способ создания магнитных полей в мезоразмерных диэлектрических сферических двухслойных частицах |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Minin et al. | Localized EM and photonic jets from non‐spherical and non‐symmetrical dielectric mesoscale objects: brief review | |
| CN107315206B (zh) | 基于全介质超表面结构的高效红外光学透镜及其制备方法 | |
| CN109164574B (zh) | 基于介质共形超颖表面实现波前调制的方法 | |
| US11163175B2 (en) | Device for forming a field intensity pattern in the near zone, from incident electromagnetic waves | |
| US20190049632A1 (en) | Planar metalens and cover glass including the same | |
| RU178616U1 (ru) | Устройство для формирования фотонной струи | |
| EP2480921B1 (en) | Imaging device and method | |
| WO2015181818A1 (en) | Near-field imaging devices | |
| Wang et al. | Super-resolution imaging and microscopy by dielectric particle-lenses | |
| CN115166958A (zh) | 小型化层析成像系统 | |
| Geints | Minin IV. Controlling near-field focusing of a mesoscale binary phase plate in an optical radiation field with circular polarization | |
| RU181086U1 (ru) | Линза | |
| WO2015170080A1 (en) | Lens array and imaging device | |
| Kotlyar et al. | Sharp focus area of radially-polarized Gaussian beam propagation through an axicon | |
| RU2672980C1 (ru) | Микроскопное покровное стекло | |
| RU175684U1 (ru) | Акустический датчик | |
| RU191638U1 (ru) | Устройство для формирования фотонной струи | |
| Geints et al. | Comparative analysis of key parameters of photonic nanojets from axisymmetric nonspherical microparticles | |
| RU161592U1 (ru) | Оптический микродатчик на основе фотонных струй терагерцовых, ик или оптических волн | |
| RU2756882C1 (ru) | Устройство для формирования фотонной струи | |
| RU2809980C1 (ru) | Способ и устройство формирования наклонной фотонной струи, формируемой мезоразмерной частицей | |
| Geints et al. | Localized light jets from radially symmetric nonspherical dielectric microparticles | |
| Qi et al. | Focusing characteristics of graded photonic crystal waveguide lens based on interference lithography | |
| RU182548U1 (ru) | Полностью диэлектрический оптический диод | |
| Cartwright | Defeating diffraction |