RU180030U1 - Resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures - Google Patents
Resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures Download PDFInfo
- Publication number
- RU180030U1 RU180030U1 RU2017141583U RU2017141583U RU180030U1 RU 180030 U1 RU180030 U1 RU 180030U1 RU 2017141583 U RU2017141583 U RU 2017141583U RU 2017141583 U RU2017141583 U RU 2017141583U RU 180030 U1 RU180030 U1 RU 180030U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- germanium
- bar
- evaporator
- resistive
- Prior art date
Links
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical group [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 59
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- H01L21/2033—
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к технологическому оборудованию для эпитаксии кремний-германиевых структур с помощью атомарных пучков, формируемых в результате испарения кремния и расплава германия с помощью одного резистивного испарителя, и может быть использована в качестве последнего в вакуумных установках для формирования общего потока сублимационных паров кремния и паров расплава германия. Технический результат от использования предлагаемого резистивного испарителя - повышение технологичности его изготовления и варьирования составов получаемых эпитаксиальных кремний-германиевых структур в более широком интервале получаемых составов за счет исключения необходимости изготовления его бруска из кремния, содержащего германий, в результате выполнения предлагаемого резистивного испарителя в предлагаемом виде. Для достижения указанного результата в резистивном испарителе для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур, выполненном в виде обеспечивающего одновременное образование сублимационных паров кремния и паров расплава германия бруска с источниками указанных паров, образуемых при резистивном нагреве указанного бруска, к концам которого подведен электрический ток, брусок предлагаемого испарителя изготовлен из кремния для выполнения функции источника сублимационных паров кремния и содержит изготовленную в нем полую испарительную секцию под расплав германия. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.The utility model relates to technological equipment for epitaxy of silicon-germanium structures using atomic beams formed as a result of evaporation of silicon and germanium melt using a single resistive evaporator, and can be used as the latter in vacuum installations for the formation of a total flow of freeze-dried silicon vapors and vapors Melt Germany. The technical result from the use of the proposed resistive evaporator is to increase the manufacturability of its manufacture and to vary the compositions of the obtained epitaxial silicon-germanium structures in a wider range of the compositions obtained by eliminating the need to manufacture its bar from silicon containing germanium as a result of the implementation of the proposed resistive evaporator in the proposed form. To achieve this result in a resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures, made in the form of providing the simultaneous formation of sublimation silicon vapors and vapor of a germanium bar melt with sources of these vapors formed by resistive heating of the specified bar, the ends of which are supplied with electric current, the bar of the proposed the evaporator is made of silicon to perform the function of a source of sublimation silicon vapors and contains a hollow evaporator made in it Germany section under the melt. 3 s.p. f-ly, 3 ill.
Description
Полезная модель относится к технологическому оборудованию для эпитаксии кремний-германиевых структур с помощью атомарных пучков, формируемых в результате испарения кремния и расплава германия с помощью одного резистивного испарителя, и может быть использована в качестве последнего в вакуумных установках для формирования общего потока сублимационных паров кремния и паров расплава германия.The utility model relates to technological equipment for epitaxy of silicon-germanium structures using atomic beams formed as a result of evaporation of silicon and germanium melt using a single resistive evaporator, and can be used as the latter in vacuum installations for the formation of a total flow of freeze-dried silicon vapors and vapors Melt Germany.
Известен технологичный и экономичный резистивный испаритель для вакуумной эпитаксии двухкомпонентной полупроводниковой структуры на кремниевой основе (см. статью Павлова Д.А. и др. «Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния» - Физика и техника полупроводников. 1995, т. 29, вып. 2, с. 287), представляющий собой пластину, изготовленную из монокристаллического кремния, легированного мышьяком, сурьмой, бором, алюминием или галлием, и разогреваемую проходящим через нее электрическим током.A well-known technological and economical resistive evaporator for vacuum epitaxy of a two-component silicon-based semiconductor structure (see the article by D. Pavlov et al. “Sublimation of doped polycrystalline silicon films by sublimation” - Physics and Technology of Semiconductors. 1995, v. 29, no. 2, p. 287), which is a plate made of monocrystalline silicon doped with arsenic, antimony, boron, aluminum or gallium, and heated by an electric current passing through it.
Однако, технологичность изготовления такого испарителя снижена в связи с необходимостью изготовления его пластины из легированного кремния.However, the manufacturability of such an evaporator is reduced due to the need to manufacture its plate of doped silicon.
Наиболее близким аналогом (прототипом) предлагаемого резистивного испарителя является известный резистивный испаритель для вакуумной эпитаксии кремний-германиевой структуры (см. п.п. 6-8 формулы изобретения и описание изобретения по патенту РФ № 2511279, H01L 21/203, С23С 14/26, 2014), выполненный в виде бруска (имеющего форму пластины, при этом понятие брусок применимо к полупроводниковому изделию в более широком смысле по отношению к понятию пластина в связи с уже сложившейся практикой: см., например, «полупроводниковое изделие выполнено в виде бруска» в патенте РФ № 2120684, а также см., например, «брусок - простейшая деталь, бывает разных размеров, сечений и формы» на сайте в Интернет http://delta-qrup.ru/bibliot/99/33.htm), изготовленного из кремния с содержанием германия и снабженного выполненным продольным выступом на его рабочей поверхности для образования на поверхности этого выступа при резистивном нагреве указанного бруска и удержания на нем расплава германия - источника паров расплава германия.The closest analogue (prototype) of the proposed resistive evaporator is a known resistive evaporator for vacuum epitaxy of a silicon-germanium structure (see paragraphs 6-8 of the claims and the description of the invention according to RF patent No. 2511279, H01L 21/203, C23C 14/26 , 2014), made in the form of a bar (having the shape of a plate, while the concept of a bar is applicable to a semiconductor product in a broader sense in relation to the concept of a plate in connection with already established practice: see, for example, “a semiconductor product is made in the form of a bar in the patent of the Russian Federation No. 2120684, and also see, for example, “a bar is the simplest part, it can be of different sizes, sections and shapes” on the Internet site http://delta-qrup.ru/bibliot/99/33.htm), made of silicon with germanium content and equipped with a longitudinal protrusion on its working surface for the formation of the protrusion on the surface of this protrusion during resistive heating of the specified bar and holding on it a germanium melt - a source of germanium melt vapor.
Недостатком этого резистивного испарителя является недостаточная технологичность его изготовления и варьирования составов, получаемых эпитаксиальных кремний-германиевых структур в связи с необходимостью изготовления его бруска из кремния, содержащего германий, например, в интервале 4-8%, в зависимости от требуемого состава в пределах 30-70% германия в получаемой кремний-германиевой структуре.The disadvantage of this resistive evaporator is the lack of manufacturability and variation of the compositions obtained epitaxial silicon-germanium structures in connection with the need to manufacture its bar of silicon containing germanium, for example, in the range of 4-8%, depending on the required composition within 30- 70% germanium in the resulting silicon-germanium structure.
Технический результат от использования предлагаемого резистивного испарителя - повышение технологичности его изготовления и варьирования составов, получаемых эпитаксиальных кремний-германиевых структур в более широком интервале получаемых составов за счет исключения необходимости изготовления его бруска из кремния, содержащего германий, в результате выполнения предлагаемого резистивного испарителя в виде кремниевого бруска, представляющего собой источник сублимационных паров кремния и содержащего изготовленную в нем полую испарительную секцию под расплав германия.The technical result from the use of the proposed resistive evaporator is to increase the manufacturability of its manufacture and to vary the compositions obtained by epitaxial silicon-germanium structures in a wider range of the compositions obtained by eliminating the need to manufacture its bar from silicon containing germanium, as a result of the implementation of the proposed resistive evaporator in the form of silicon bar, which is a source of freeze-dried silicon vapors and containing hollow ispa made in it The melt section for germanium.
Кроме того, актуальна составляющая указанного технического результата, заключающаяся в расширении арсенала современных эффективных резистивных испарительных средств в технологии вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур.In addition, the relevant component of the specified technical result, which consists in expanding the arsenal of modern effective resistive evaporative means in the technology of vacuum epitaxy of silicon-germanium structures.
Для достижения указанного результата в резистивном испарителе для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур, выполненном в виде обеспечивающего одновременное образование сублимационных паров кремния и паров расплава германия бруска с источниками указанных паров, образуемых при резистивном нагреве указанного бруска, к концам которого подведен электрический ток, брусок предлагаемого испарителя изготовлен из кремния для выполнения функции источника сублимационных паров кремния и содержит изготовленную в нем полую испарительную секцию под расплав германия.To achieve this result in a resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures, made in the form of providing the simultaneous formation of sublimation silicon vapors and vapor of a germanium bar melt with sources of these vapors formed by resistive heating of the specified bar, the ends of which are supplied with electric current, the bar of the proposed the evaporator is made of silicon to perform the function of a source of sublimation silicon vapors and contains a hollow evaporator made in it Germany section under the melt.
Для увеличения равномерности вакуумного осаждения испарительная секция в кремниевом бруске предлагаемого резистивного испарителя может состоять из нескольких расположенных вдоль продольной оси указанного бруска укороченных испарительных выемок под отдельные источники паров распределенного в испарительных выемках расплава германия, одновременно участвующих в формировании общего потока испаряемого кремния и расплава германия.To increase the uniformity of vacuum deposition, the evaporation section in the silicon bar of the proposed resistive evaporator can consist of several shortened evaporation recesses located along the longitudinal axis of the indicated bar for individual vapor sources of the molten germanium distributed in the evaporation recesses, simultaneously participating in the formation of a common flow of evaporated silicon and germanium melt.
Для повышения производительности осаждения кремний-германиевых структур на подложках повышенной площади кремниевый брусок с испарительной секцией под расплав германия может быть оснащен средством его линейного возвратно-поступательного относительно подложки движения.To increase the deposition rate of silicon-germanium structures on substrates of increased area, a silicon bar with an evaporation section for a germanium melt can be equipped with its linear reciprocating motion relative to the substrate.
Для повышения стабильности нагрева предлагаемого резистивного испарителя в результате снижения нежелательного эксплуатационного изменения контактного сопротивления (появления нагаров в условиях высокой температуры нагрева) бруска этого испарителя в местах подвода электрического тока токоподводы его кремниевого бруска с испарительной секцией под расплав германия могут быть выполнены в виде острых концов указанного бруска, контактирующих с поверхностями подводных проводников электрического тока.To increase the stability of heating of the proposed resistive evaporator as a result of reducing the undesirable operational change in contact resistance (occurrence of soot under conditions of a high heating temperature), the bar of this evaporator at the points of electric current supply to the current leads of its silicon bar with the evaporation section for the germanium melt can be made in the form of sharp ends of bar in contact with the surfaces of underwater electric current conductors.
На фиг. 1 схематически показан вид сбоку предлагаемого резистивного испарителя; на фиг. 2 - расчетная кривая температурной зависимости давления атомарных паров кремния и германия и на фиг. 3 - расчетная кривая температурной зависимости содержания кремния и германия в эпитаксиальном слое на подложке.In FIG. 1 schematically shows a side view of the proposed resistive evaporator; in FIG. 2 is a calculated curve of the temperature dependence of the pressure of atomic vapors of silicon and germanium, and in FIG. 3 - calculated curve of the temperature dependence of the content of silicon and germanium in the epitaxial layer on the substrate.
Предлагаемый резистивный испаритель для вакуумной эпитаксии кремний-германиевых структур (см. фиг. 1) выполнен в виде обеспечивающего одновременное образование сублимационных паров кремния и паров расплава германия кремниевого бруска 1, представляющего собой источник сублимационных паров кремния и содержащего изготовленную в нем полую испарительную секцию под расплав германия, состоящую из нескольких расположенных вдоль продольной оси кремниевого бруска 1 укороченных испарительных выемок 2 под отдельные источники паров распределенного в испарительных выемках расплава германия, одновременно участвующих в формировании общего потока испаряемого кремния и расплава германия.The proposed resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures (see Fig. 1) is made in the form of providing the simultaneous formation of sublimation silicon vapors and germanium vapor of
При этом токоподводы кремниевого бруска 1 с испарительной секцией под расплав германия выполнены в виде острых (конических) концов указанного бруска, контактирующих с поверхностями 3 подводных проводников электрического тока.In this case, the current leads of the
Работоспособность предлагаемого резистивного испарителя при проведении вакуумной эпитаксии кремния и германия на оксиде кремния подтверждается следующим обоснованием.The performance of the proposed resistive evaporator during vacuum epitaxy of silicon and germanium on silicon oxide is confirmed by the following justification.
На фиг. 2 представлена зависимость давления атомарных паров р (давление насыщенного пара, мм. рт.ст.) кремния (от источника сублимационных паров кремния - непосредственно, кремниевого бруска 1) и расплава германия (в испарительных выемках 2 кремниевого бруска 1) от температуры указанных паров Т (абсолютная температура, К), рассчитанная на основе известного соотношения между указанными параметрами:In FIG. Figure 2 shows the dependence of the atomic vapor pressure p (saturated vapor pressure, mm Hg) of silicon (directly from the source of silicon sublimation vapors directly, silicon bar 1) and the germanium melt (in the
где А и В - эмпирические константы кремния или германия в заданном температурном интервале (см. книгу авторов Бибик Е.Е. и др. «Новый справочник химика и технолога». Санкт-Петербург, НПО «Профессионал», 2006, с. 228).where A and B are empirical constants of silicon or germanium in a given temperature range (see the book of authors Bibik E.E. et al. “A New Handbook of a Chemist and Technologist.” St. Petersburg, NPO Professional, 2006, p. 228) .
При этом скорость осаждения кремния и германия пропорциональна давлению их паров.In this case, the deposition rate of silicon and germanium is proportional to the vapor pressure.
В предлагаемом резистивном испарителе температуры нагрева кремниевого бруска 1 и расплава германия в его испарительных выемках 2 одинаковы, однако зависимости давлений паров от температуры для кремния и германия отличаются. Соответственно, будут отличаться отношения скоростей осаждения кремния и германия для разных температур. Таким образом, температуру можно использовать для управления составом растущего слоя.In the proposed resistive evaporator, the heating temperatures of the
При высокой температуре кремний и германий начинают интенсивно испаряться. Увеличивается давление паров кремния и расплава германия в области между предлагаемым резистивным испарителем и подложкой с поверхностным слоем оксида кремния (на фигурах не показана). Если скорость осаждения материала на подложку (скорость роста) пропорциональна давлению паров материала, то содержание материала в эпитаксиальном слое пропорционально относительной концентрации материала в парах испаряемых веществ.At high temperatures, silicon and germanium begin to evaporate intensively. The vapor pressure of silicon and germanium melt increases in the region between the proposed resistive evaporator and the substrate with a surface layer of silicon oxide (not shown in the figures). If the deposition rate of the material on the substrate (growth rate) is proportional to the vapor pressure of the material, then the content of the material in the epitaxial layer is proportional to the relative concentration of the material in the vapor of the vaporized substances.
Причем концентрацию германия в указанном слое можно оценить по формуле:Moreover, the concentration of germanium in the specified layer can be estimated by the formula:
и кремния по формуле:and silicon according to the formula:
где pGe и pSi - давления паров германия и кремния, соответственно.where p Ge and p Si are the vapor pressure of germanium and silicon, respectively.
Вывод формулы (2):The derivation of formula (2):
Абсолютное значение количества осажденного материала на подложку пропорционально парциальному давлению данного материала вблизи подложки. Т.е. количество осажденных атомов германия можно вычислить по формуле NGe=K*pGe, где K -эмпирический коэффициент. Аналогично для кремния NSi=K*pSi. Тогда, относительная концентрация германия будет вычисляться по формуле: nGe=NGe/(NGe+NSi)=pGe/(pGe+pSi).The absolute value of the amount of deposited material on the substrate is proportional to the partial pressure of this material near the substrate. Those. the number of deposited germanium atoms can be calculated by the formula N Ge = K * p Ge , where K is the empirical coefficient. Similarly for silicon, N Si = K * p Si . Then, the relative concentration of germanium will be calculated by the formula: n Ge = N Ge / (N Ge + N Si ) = p Ge / (p Ge + p Si ).
С учетом формул (1), (2) и (3) рассчитана зависимость содержания кремния и германия в эпитаксиальном слое в зависимости от температуры, которая на фиг. 3 представлена в графическом виде.Taking into account formulas (1), (2) and (3), the dependence of the silicon and germanium contents in the epitaxial layer on the temperature, which is shown in FIG. 3 is presented in graphical form.
Поэтому, обеспечивается в более технологичном режиме (с помощью резистивного регулирования температуры) варьирование получаемых составов эпитаксиального слоя на подложке в более широком интервале получаемых составов с помощью предлагаемого резистивного испарителя в сравнении с резистивным испарителем - прототипом, в соответствии с которым регулируют концентрацию германия в получаемой эпитаксиальной кремний-германиевой структуре соответственно от 30 до 70% в зависимости от содержания германия в материале второй пластины (в интервале 4-8%).Therefore, it is ensured in a more technological mode (using resistive temperature control) that the obtained compositions of the epitaxial layer on the substrate are varied over a wider range of the compositions obtained using the proposed resistive evaporator in comparison with the resistive evaporator - prototype, according to which the concentration of germanium in the resulting epitaxial is controlled silicon-germanium structure, respectively, from 30 to 70%, depending on the germanium content in the material of the second plate (in the range 4-8%).
Следует учитывать, что формула (1) - для насыщенных паров испаряемого материала. Вообще говоря, это давление будет только около испарителя, давление около подложки будет меньше, но пропорционально давлению около испарителя. Чем больше испаряемая поверхность, тем медленнее падает давление при удалении от испарителя. Таким образом, давление паров испаряемых материалов и, соответственно, скорость осаждения каждого из них должны зависеть от площади испаряемых поверхностей источников -пропорционально площади. То есть, меняя относительные площади источников кремния и германия, можно менять относительные концентрации кремния и германия в слое. Далее в таблице представлены оценки относительных концентраций данных материалов в слое при различных относительных площадях испарения источников кремния и расплава германия.It should be noted that formula (1) is for saturated vapors of the vaporized material. Generally speaking, this pressure will be only near the evaporator, the pressure near the substrate will be less, but proportional to the pressure near the evaporator. The larger the evaporated surface, the slower the pressure drops when moving away from the evaporator. Thus, the vapor pressure of the evaporated materials and, accordingly, the deposition rate of each of them should depend on the area of the evaporated surfaces of the sources, proportionally to the area. That is, by changing the relative areas of the sources of silicon and germanium, it is possible to change the relative concentrations of silicon and germanium in the layer. The table below provides estimates of the relative concentrations of these materials in the layer at various relative areas of evaporation of silicon sources and germanium melt.
Причем расчетные оценки изменения получаемых составов в зависимости от температуры нагрева резистивного испарителя при различных соотношениях его размеров, обеспечивающих поверхности испарения кремния и расплава германия (см. следующую таблицу) проделаны с учетом пропорциональной зависимости между площадью испаряемой поверхности материала и концентрацией материала в получаемой эпитаксиальной кремний-германиевой структуре.Moreover, the calculated estimates of the change in the obtained compositions depending on the heating temperature of the resistive evaporator at various ratios of its sizes, providing the surface of silicon and germanium melt evaporation (see the following table) were made taking into account the proportional relationship between the area of the evaporated surface of the material and the concentration of the material in the resulting epitaxial silicon germanium structure.
Таким образом, обеспечивается повышение в более технологичном режиме варьирование получаемых составов эпитаксиального слоя на подложке в более широком интервале получаемых составов с помощью предлагаемого резистивного испарителя в сравнении с резистивным испарителем - прототипом за счет возможности регулирования как резистивного нагрева температуры предлагаемого резистивного испарителя, так и соотношений его размеров, обеспечивающих поверхности испарения кремния и расплава германия.Thus, it is possible to increase in a more technological mode the variation of the obtained compositions of the epitaxial layer on the substrate in a wider range of the obtained compositions using the proposed resistive evaporator in comparison with the resistive evaporator - prototype due to the possibility of controlling both the resistive heating of the temperature of the proposed resistive evaporator and its ratios sizes, providing the surface of evaporation of silicon and molten germanium.
Одновременно, предлагаемый резистивный испаритель более технологичен в изготовлении в сравнении с резистивным испарителем - прототипом в результате исключения необходимости изготовления его бруска из кремния, содержащего германий.At the same time, the proposed resistive evaporator is more technologically advanced to manufacture in comparison with the resistive evaporator - the prototype as a result of eliminating the need to manufacture its bar from silicon containing germanium.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017141583U RU180030U1 (en) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | Resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017141583U RU180030U1 (en) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | Resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU180030U1 true RU180030U1 (en) | 2018-05-31 |
Family
ID=62561281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017141583U RU180030U1 (en) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | Resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU180030U1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU92988U1 (en) * | 2009-10-26 | 2010-04-10 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) | PLANT FOR GROWING SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES |
| RU2407103C1 (en) * | 2009-10-26 | 2010-12-20 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) | Method for growing silicon-germanium heterostructures |
| RU2511279C1 (en) * | 2012-10-22 | 2014-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского" | Method for vacuum sputtering of structures for electronic devices, method of controlling dopant concentration when growing said structures and resistive source of vapour of sputtering material and dopant for realising said control method, and method for vacuum sputtering of silicon-germanium structures based on use of said vapour source |
| RU165625U1 (en) * | 2016-04-26 | 2016-10-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | GRAPHITE EVAPORATOR FOR VACUUM EPITAXIA GERMANY |
-
2017
- 2017-11-29 RU RU2017141583U patent/RU180030U1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU92988U1 (en) * | 2009-10-26 | 2010-04-10 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) | PLANT FOR GROWING SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES |
| RU2407103C1 (en) * | 2009-10-26 | 2010-12-20 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) | Method for growing silicon-germanium heterostructures |
| RU2511279C1 (en) * | 2012-10-22 | 2014-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского" | Method for vacuum sputtering of structures for electronic devices, method of controlling dopant concentration when growing said structures and resistive source of vapour of sputtering material and dopant for realising said control method, and method for vacuum sputtering of silicon-germanium structures based on use of said vapour source |
| RU165625U1 (en) * | 2016-04-26 | 2016-10-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | GRAPHITE EVAPORATOR FOR VACUUM EPITAXIA GERMANY |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7166523B2 (en) | Silicon carbide and method of manufacturing the same | |
| CN104599945B (en) | The formation of epitaxial layers containing silicon | |
| US3089794A (en) | Fabrication of pn junctions by deposition followed by diffusion | |
| RU2511279C1 (en) | Method for vacuum sputtering of structures for electronic devices, method of controlling dopant concentration when growing said structures and resistive source of vapour of sputtering material and dopant for realising said control method, and method for vacuum sputtering of silicon-germanium structures based on use of said vapour source | |
| JPH10507734A (en) | Method for producing silicon carbide single crystal | |
| JP5912383B2 (en) | Nitride semiconductor substrate | |
| Tricot et al. | Epitaxial ZnO thin films grown by pulsed electron beam deposition | |
| RU180030U1 (en) | Resistive evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures | |
| WO2012120497A4 (en) | Method for surfactant crystal growth of a metal-nonmetal compound | |
| RU165625U1 (en) | GRAPHITE EVAPORATOR FOR VACUUM EPITAXIA GERMANY | |
| JP2017218334A (en) | METHOD FOR GROWING Ga2O3 BASED CRYSTAL FILM, AND CRYSTAL LAMINATED STRUCTURE | |
| RU179741U1 (en) | Graphite resistance evaporator for vacuum epitaxy of silicon-germanium structures | |
| RU179740U1 (en) | Resistive Evaporative Block for Vacuum Epitaxy of Silicon-Germanium Heterostructures | |
| Borkowski et al. | Investigation of vacuum deposition of Bi2Te3-based thermoelectric materials | |
| JP2004343133A (en) | Manufacturing method of silicon carbide, silicon carbide, and semiconductor device | |
| US4201604A (en) | Process for making a negative resistance diode utilizing spike doping | |
| Yellin et al. | Vapor transport of nonstoichiometric CdTe in closed ampoules | |
| RU2585900C1 (en) | Method of growing silicon-germanium heterostructures | |
| Zhao et al. | Characteristics of atomic layer deposited transparent aluminum-doped zinc oxide thin films at low temperature | |
| Chiba et al. | Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reactions of PH3 and Si2H6 on strained Si1− xGex/Si (1 0 0) in ultraclean low-pressure CVD | |
| Yanagisawa et al. | Study on Preparation Conditions of High-Quality ZrN Thin Films Using a Low-Temperature Process | |
| Vasiliauskas et al. | Influence of twin boundary orientation on magnetoresistivity effect in free standing 3C–SiC | |
| RU2007115898A (en) | METHOD AND DEVICE FOR GROWING GROUP (III) METAL NITride FILM AND GROUP (III) METAL NITRIDE FILM | |
| RU2669159C1 (en) | Method of vacuum epitaxial growing of doped germanium layers | |
| Katagiri et al. | High temperature reproducible preparation of Mg2Si films on (001) Al2O3 substrates using RF magnetron sputtering method |