RU173140U1

RU173140U1 - Поглотитель электромагнитных волн

Info

Publication number: RU173140U1
Application number: RU2016149949U
Authority: RU
Inventors: Владимир Викторович Старостенко; Сергей Павлович Арсеничев; Евгений Павлович Таран; Сергей Александрович Зуев; Ибраим Шевкетович Фитаев; Дмитрий Александрович Полетаев
Priority date: 2016-12-19
Filing date: 2016-12-19
Publication date: 2017-08-14

Abstract

Полезная модель относится к поглотителям электромагнитных волн (ЭВМ). Поглотитель электромагнитных волн включает диэлектрические слои, между которыми расположены резонансные элементы, причем резонансные элементы выполнены в виде металлических пленок толщиной от 1 до 20 нм, расположенных между диэлектрическими слоями. Технический результат заключается в увеличении диапазона поглощения электромагнитных волн. 1 ил.

Description

Полезная модель относится к поглотителям электромагнитных волн (ЭВМ) и предназначено для уменьшения радиолокационной видимости защищаемых объектов радиолокационными средствами сантиметрового и дециметрового диапазонов ЭВМ.

В качестве прототипа выбран поглотитель электромагнитных волн (пат. России №2119216, опубл. 20.09.1998, МПК H01Q 17/00), включающий расположенные на металлической подложке диэлектрик из двух слоев и расположенные на внешней поверхности каждого слоя решетки резонансных элементов, соответствующих длине волны согласования поглощаемого поддиапазона частот, в него введены дополнительно N-2 слоя диэлектрика с решетками резонансных элементов, при этом слои диэлектрика имеют переменную толщину, а их суммарная толщина меньше четверти максимальной длины волны согласования поглощаемых поддиапазонов частот, где N - число слоев диэлектрика.

Недостатком технического решения является узкий диапазон поглощения электромагнитных волн.

Задачей технического решения является усовершенствование поглотителя электромагнитных волн за счет увеличения диапазона поглощения электромагнитных волн.

Поставленная задача решается за счет выполнения поглотителя электромагнитных волн, включающего диэлектрические слои, между которыми расположены резонансные элементы, резонансные элементы выполнены в виде металлических пленок толщиной от 1 до 20 нм, расположенных между диэлектрическими слоями.

Заявляемый поглотитель электромагнитных волн обладает улучшенными характеристиками по сравнению с прототипом за счет введения металлических пленок толщиной от 1 до 20 нм.

Общими с прототипом признаками являются:

- наличие диэлектрических слов,

- наличие резонансных элементов.

Отличительными признаками технического решения являются:

- резонансные слои выполнены в виде металлических пленок,

- толщина металлических слоев составляет от 1 до 20 нм.

Совокупность существенных признаков обеспечивает увеличение диапазона поглощения электромагнитных волн, упрощение выполнения резонансных элементов.

На фиг. 1 представлена схема поглотителя электромагнитных волн.

Поглотитель электромагнитных волн содержит (фиг. 1) диэлектрические слои 1, металлическую пленку 2, которая располагается между диэлектрическими слоями.

Поглотитель электромагнитных волн работает следующим образом. При попадании электромагнитной волны на поглотитель электромагнитных волн диэлектрический слой 1 пропускает электромагнитную волну к металлической пленке 2. Тонкая металлическая пленка 2 преобразует энергию электромагнитных волн в энергию акустических волн. Преобразование энергии определяется наличием электрической компоненты поля и толщиной металлической пленки и не зависит от частоты. Подобные преобразования энергии имеют место от оптического диапазона и до постоянных напряжений. Толщина металлической пленки должна быть от 1 до 20 нм. При меньших либо больших значениях толщины эффект поглощения не проявляется. При необходимости увеличения степени поглощения электромагнитных колебаний применяются несколько диэлектрических слоев, между которыми находится металлическая пленка.

Пример исполнения 1. Для металлической пленки из алюминия толщиной 1 нм, помещенной между двумя диэлектрическими слоями из полиэтилена, поглощение электромагнитных волн составляет 15%.

Пример исполнения 2. Для металлической пленки из алюминия толщиной 10 нм, помещенной между двумя диэлектрическими слоями из полиэтилена, поглощение электромагнитных волн составляет 20%.

Пример исполнения 3. Для металлической пленки из алюминия толщиной 20 нм, помещенной между двумя диэлектрическими слоями из полиэтилена, поглощение электромагнитных волн составляет 23%.

Пример исполнения 4. Для металлической пленки из алюминия толщиной 0,1 нм, помещенной между двумя диэлектрическими слоями из полиэтилена, поглощение электромагнитных волн составляет 0%.

Пример исполнения 5. Для металлической пленки из алюминия толщиной 100 нм, помещенной между двумя диэлектрическими слоями из полиэтилена, поглощение электромагнитных волн составляет 0%.

Claims

Поглотитель электромагнитных волн, включающий диэлектрические слои, между которыми расположены резонансные элементы, отличающийся тем, что резонансные элементы выполнены в виде металлических пленок толщиной от 1 до 20 нм, расположенных между диэлектрическими слоями.