RU170009U1 - SPIN TRANSISTOR - Google Patents

SPIN TRANSISTOR Download PDF

Info

Publication number
RU170009U1
RU170009U1 RU2016140439U RU2016140439U RU170009U1 RU 170009 U1 RU170009 U1 RU 170009U1 RU 2016140439 U RU2016140439 U RU 2016140439U RU 2016140439 U RU2016140439 U RU 2016140439U RU 170009 U1 RU170009 U1 RU 170009U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
spin
base
semiconductor
transistor
emitter
Prior art date
Application number
RU2016140439U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Иван Андреевич Шелых
Иван Владимирович Иорш
Александра Сергеевна Шеремет
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО)
Priority to RU2016140439U priority Critical patent/RU170009U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU170009U1 publication Critical patent/RU170009U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Использование: для создания оптически управляемых спиновых логических элементов. Сущность полезной модели заключается в том, что спиновый транзистор содержит эмиттер и коллектор, которые выполнены из ферромагнитного материала, базу в виде тонкого слоя полупроводника нецентросимметричного класса и источник управляющего поля, выполненный в виде источника электромагнитного излучения с плотностью мощности от 1÷10 Вт/сми длиной волны излучения от 1 до 100 микрон. Технический результат: обеспечение возможности увеличения эффективности управления спиновым током транзистора. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.Use: to create optically controlled spin logic gates. The essence of the utility model lies in the fact that the spin transistor contains an emitter and collector made of ferromagnetic material, a base in the form of a thin layer of a semiconductor of a noncentrosymmetric class, and a control field source made in the form of an electromagnetic radiation source with a power density of 1 ÷ 10 W / cm radiation wavelength from 1 to 100 microns. Effect: providing the possibility of increasing the efficiency of controlling the spin current of the transistor. 1 s.p. f-ly, 2 ill.

Description

Полезная модель относится к области спинтроники, в частности к спиновым транзисторам, и может быть использована для создания оптически управляемых спиновых логических элементов.The utility model relates to the field of spintronics, in particular to spin transistors, and can be used to create optically controlled spin logic elements.

Из уровня техники известен спиновый транзистор, представляющий собой слоистую структуру из слоя ферромагнетика, изолятора и широкозонного полупроводника [Патент РФ №2387047, МПК H01L 29/82, дата приоритета 23.09.2008, опубликовано 20.04.2010]. В данном устройстве инжектор спинов представляет собой ферромагнетик (Fe, допированный Eu), а приемник спинов представляет собой широкозонный полупроводник (GaAs). Выходные характеристики устройства управляются внешним магнитным полем за счет изменения спиновой поляризации носителей, инжектируемых из ферромагнитного эмиттера. Недостатком данного решения является необходимость использования относительно высоких магнитных полей (десятые доли Тесла) для управления выходными характеристиками транзистора.The prior art spin transistor, which is a layered structure of a layer of a ferromagnet, insulator and wide-gap semiconductor [RF Patent No. 2387047, IPC H01L 29/82, priority date 09/23/2008, published 04/20/2010]. In this device, the spin injector is a ferromagnet (Fe doped with Eu), and the spin receiver is a wide-gap semiconductor (GaAs). The output characteristics of the device are controlled by an external magnetic field due to changes in the spin polarization of carriers injected from a ferromagnetic emitter. The disadvantage of this solution is the need to use relatively high magnetic fields (tenths of Tesla) to control the output characteristics of the transistor.

Наиболее близким аналогом является спиновый транзистор Датта-Даса [Патент США №5654566, МПК H01L 29/66, дата приоритета 21.04.1995, опубликовано 05.08.1997] с базой, представляющей собой тонкий полупроводниковый слой нецентросимметричного материала, заключенной между двумя ферромагнитными обкладками, представляющими собой эмиттер и коллектор. Ферромагнитные обкладки необходимы для генерации и приема спин-поляризованного электрического тока. Коэффициент прохождения спин-поляризованного тока через базу определяется, в частности, силой спин-орбитального взаимодействия. Таким образом, путем изменения спин-орбитального взаимодействия можно управлять прохождением спин-поляризованного тока через устройство. Сила спин-орбитального взаимодействия изменяется приложением постоянного электрического поля, перпендикулярного плоскости структуры. Для этих целей к двумерному электронному газу подводится электрический контакт (затвор). Таким образом, управление спин-поляризованным током происходит посредством изменения электрического напряжения на затворе. Недостатком известного технического решения является ограничение по скорости включения и выключения затворного напряжения. В частности, время включения и выключения ограничено единицами наносекунд.The closest analogue is the Datta-Dasa spin transistor [US Patent No. 5654566, IPC H01L 29/66, priority date 04/21/1995, published 05/08/1997] with a base, which is a thin semiconductor layer of non-centrosymmetric material, enclosed between two ferromagnetic plates representing emitter and collector. Ferromagnetic plates are necessary for the generation and reception of spin-polarized electric current. The coefficient of passage of the spin-polarized current through the base is determined, in particular, by the strength of the spin-orbit interaction. Thus, by changing the spin-orbit interaction, it is possible to control the passage of the spin-polarized current through the device. The strength of the spin-orbit interaction is changed by applying a constant electric field perpendicular to the plane of the structure. For these purposes, an electrical contact (gate) is applied to a two-dimensional electron gas. Thus, the control of the spin-polarized current occurs by changing the gate voltage. A disadvantage of the known technical solution is the speed limit on and off the gate voltage. In particular, the on and off times are limited to units of nanoseconds.

Решается задача увеличения эффективности управления спиновым током.The problem of increasing the efficiency of spin current control is being solved.

Технический результат достигается тем, что предлагаемый спиновый транзистор содержит эмиттер и коллектор, которые выполнены из ферромагнитного материала, базу в виде тонкого слоя полупроводника нецентросимметричного класса и источник управляющего поля, выполненный в виде источника электромагнитного излучения с плотностью мощности от 1÷10 Вт/см2 и длиной волны излучения от 1 до 100 микрон. В качестве ферромагнитного материала используется железно-иттриевый гранат, а база выполнена из дихалкогенида переходного металла MoS2.The technical result is achieved by the fact that the proposed spin transistor contains an emitter and collector made of ferromagnetic material, a base in the form of a thin layer of a semiconductor of a noncentrosymmetric class, and a control field source made in the form of an electromagnetic radiation source with a power density of 1 ÷ 10 W / cm 2 and a wavelength of radiation from 1 to 100 microns. Iron-yttrium garnet is used as the ferromagnetic material, and the base is made of transition metal dichalcogenide MoS 2 .

Сущность предлагаемой полезной модели поясняется рисунками, гдеThe essence of the proposed utility model is illustrated by drawings, where

на фиг. 1 представлено схематическое изображение спинового транзистора;in FIG. 1 is a schematic representation of a spin transistor;

на фиг. 2 представлена зависимость кондактанса системы от интенсивности облучения.in FIG. Figure 2 shows the dependence of the conductance of the system on the radiation intensity.

Устройство состоит из ферромагнитной пластины с функцией эмиттера 1 и идентичной ей ферромагнитной пластины с функцией коллектора 2, с контактами, к которым прикладывается напряжение питания. Эмиттер 1 и коллектор 2 соединены посредством тонкого полупроводникового слоя с функцией базы 3. Над базой 3 расположен управляющий элемент 4, выполненный в виде источника электромагнитного поля.The device consists of a ferromagnetic plate with emitter function 1 and an identical ferromagnetic plate with collector function 2, with contacts to which a supply voltage is applied. The emitter 1 and the collector 2 are connected through a thin semiconductor layer with the function of the base 3. Above the base 3 is a control element 4, made in the form of an electromagnetic field source.

Работа спинового транзистора осуществляется следующим образом. При подаче напряжения питания в эмиттере 1 возникает спин-поляризованный ток электронов. Далее электроны инжектируются в тонкий полупроводниковый слой 3. В двумерном полупроводнике вектора спина электронов начинает вращаться относительно оси, сонаправленной с направлением движения электрона. Скорость вращения вектора спина пропорциональна величине спин-орбитального взаимодействия. Спин-орбитальное взаимодействие определяется двумя механизмами: механизмом Рашбы и Дрессельхауза. Причиной обоих механизмов является возникновение эффективного магнитного поля при движении электрона, которое и взаимодействует со спином электрона. Взаимодействие Дрессельхауза присутствует в объемных и низкоразмерных полупроводниковых кристаллах, в которых отсутствует центр инверсии (нецентросимметричных кристаллах). Взаимодействие Рашбы присутствует только в низкоразмерных полупроводниковых структурах, в которых толщина структуры хотя бы в одном направлении сравнима с волной Де Бройля электрона в материале. Сила спин-орбитального взаимодействия Рашбы и Дрессельхауза определяется константами α и β соответственно. При достижении электроном коллектора 3 он частично отражается от него, а частично проходит, формируя интегральный ток в цепи. Коэффициент пропускания электрона на границе базы 3 и коллектора 2 зависит от угла между направлением намагниченности в коллекторе 2 (таким же, как в эмиттере 1) и направлением спина электрона: если два направления совпадают, то пропускание максимально и через схему течет ток, если же намагниченность и спин противонаправлены, то пропускание минимально, и ток через систему не течет. Направление спина электрона на границе с коллектором 2 определяется временем пролета электронов от эмиттера 1 до коллектора 2 и скоростью вращения вектора спина. Таким образом, током через систему можно управлять, изменяя скорость вращения вектора спина, то есть меняя величину спин-орбитального взаимодействия. Изменение величины спин-орбитального взаимодействия обеспечивается посредством управляющего элемента 4, представляющего собой источник сильного электромагнитного поля, например лазер. Возможность изменения констант спин-орбитального взаимодействия внешним электромагнитным полем была показана в [Phys. Rev. Lett. 99, 047401 2007]. Изменение скорости вращения проекции спина под действием электромагнитного поля достигается вследствие эффекта «одевания» электронов полем, при котором происходит перенормировка констант спин-орбитального взаимодействия. Согласно проведенным оценкам константы спин-орбитального взаимодействия перенормируются таким образом, что константы спин-орбитального взаимодействия убывают с интенсивностью управляющего поля. Таким образом, изменяя интенсивность управляющего электромагнитного поля, можно включать или выключать спин-поляризованный ток через систему. Отличием предлагаемой схемы от прототипа является использование в качестве управляющего элемента не затвора, создающего постоянное электрическое поле, а источника электромагнитного поля, что позволяет увеличить скорость включения и выключения транзистора, обеспечивая технический результат. В частности, время, за которое происходит перенормировка значений спин-орбитального взаимодействия и которое определяет время переключения транзистора, составляет 10 спектральных периодов одевающего поля и, следовательно, ограничено сверху значением 1 пикосекунда. Моделирование изменения кондактанса системы, результаты которого представлены на фиг. 2, проводилось для случая его выполнения на базе эмиттера 1 и коллектора 2, выполненных из железно-иттриевого граната, соединенных базой 3, выполненной из тонкого слоя нецентросимметричного полупроводника с длиной L=2.3 мкм. Управляющим элементом является источник электромагнитного поля с длиной волны 300 мкм.The operation of the spin transistor is as follows. When a supply voltage is applied to emitter 1, a spin-polarized electron current arises. Then, the electrons are injected into a thin semiconductor layer 3. In a two-dimensional semiconductor of a vector, the electron spin begins to rotate about an axis aligned with the direction of electron motion. The rotation speed of the spin vector is proportional to the magnitude of the spin-orbit interaction. Spin-orbit interaction is determined by two mechanisms: the Rashba mechanism and Dresselhaus. The reason for both mechanisms is the appearance of an effective magnetic field during the motion of an electron, which interacts with the electron spin. Dresselhouse interaction is present in bulk and low-dimensional semiconductor crystals, in which there is no center of inversion (noncentrosymmetric crystals). Rashba interaction is present only in low-dimensional semiconductor structures, in which the thickness of the structure is at least in one direction comparable to the De Broglie wave of the electron in the material. The strength of the spin-orbit interaction between Rashba and Dresselhaus is determined by the constants α and β, respectively. When the electron reaches collector 3, it partially reflects from it, and partially passes, forming an integral current in the circuit. The electron transmittance at the boundary of base 3 and collector 2 depends on the angle between the direction of magnetization in collector 2 (the same as in emitter 1) and the direction of the electron spin: if the two directions coincide, then the transmission is maximum and the current flows through the circuit, if the magnetization and the spin is opposite, then the transmission is minimal, and the current does not flow through the system. The direction of the electron spin at the boundary with collector 2 is determined by the time of flight of electrons from emitter 1 to collector 2 and the rotation speed of the spin vector. Thus, the current through the system can be controlled by changing the rotation speed of the spin vector, that is, changing the magnitude of the spin-orbit interaction. The change in the magnitude of the spin-orbit interaction is provided by the control element 4, which is a source of a strong electromagnetic field, such as a laser. The possibility of changing the constants of the spin-orbit interaction by an external electromagnetic field was shown in [Phys. Rev. Lett. 99,047,401 2007]. The change in the spin projection rotation speed under the influence of an electromagnetic field is achieved due to the effect of “dressing” the electrons by the field, in which the spin-orbit interaction constants are renormalized. According to estimates, the spin – orbit coupling constants are renormalized in such a way that the spin – orbit coupling constants decrease with the intensity of the control field. Thus, by changing the intensity of the control electromagnetic field, it is possible to turn on or off the spin-polarized current through the system. The difference between the proposed scheme and the prototype is to use as a control element not a gate that creates a constant electric field, but a source of an electromagnetic field, which allows to increase the speed of turning on and off the transistor, providing a technical result. In particular, the time during which the renormalization of the values of the spin-orbit interaction takes place and which determines the switching time of the transistor is 10 spectral periods of the dressing field and, therefore, is limited from above by a value of 1 picosecond. Modeling the change in conductance of the system, the results of which are presented in FIG. 2, was carried out for the case of its implementation on the basis of emitter 1 and collector 2 made of yttrium iron garnet, connected by a base 3 made of a thin layer of a non-centrosymmetric semiconductor with a length L = 2.3 μm. The control element is a source of an electromagnetic field with a wavelength of 300 microns.

На фиг. 2 представлены результаты численного моделирования кондактанса системы в зависимости от интенсивности электромагнитного поля. В моделировании константа спин-орбитального взаимодействия Дрессельхауза β была выбрана равной 20000 м/с, что соответствует среднему значению этой величины в полупроводниках GaAs, InSb, а также в двумерных материалах MoS2, WSe2. Моделирование проводилось при разных значениях константы α, а именно при α=β/4, α=β/2, α=3β/4, что соответствует разным конкретным реализациям базы 3. При высоком кондактансе системы устройство находится в состоянии «включено», то есть при подаче напряжения, по устройству течет ток. При равенстве кондактанса нулю устройство находится в состоянии «выключено», то есть ток по системе не идет при подаче напряжения. Важной характеристикой устройства является минимальное значение интенсивности управляющего электромагнитного поля, переводящего устройство из состояния «включено» в состояние «выключено», называемое далее интенсивностью переключения. На фиг. 2 видно, что оптимальными с точки зрения минимизации интенсивности переключения являются полупроводниковые каналы, в которых α=β/4. Такие соотношения достигаются в двумерных полупроводниковых материалах MoS2, а также в полупроводниковых растворах InGaAs. При соотношении α=β/4 интенсивность переключения составляет 3 Вт/см2, что вполне достижимо в современных источниках электромагнитного излучения, таких как лазеры, и значительно ниже порога термического разрушения полупроводниковых слоев. Длина волны электромагнитного поля должна удовлетворять условию сильной связи, заключающемуся в том, что за время пролета электрона от истока до стока он должен испытать несколько осцилляций поля. Математически это условие может быть записано как λ<cτ, где λ - длина волны электромагнитного поля, а τ - время пролета электрона между истоком и стоком. Таким образом, для микронных размеров канала длина волны ограничена сверху величиной примерно 3 мм. При этом энергия фотона на спектральной частоте поля, должна быть меньше, чем энергии межзонных и межподзонных переходов в базе. Для случая тонких полупроводниковых материалов А3В5 это ограничение приводит к минимальной длине волны порядка 30 мкм. Для двумерных каналов на основе дихалкогенидов переходных металлов, в которых отсутствуют межподзонные переходы, максимальная частота должна быть меньше запрещенной зоны, что соответствует длине волны 2 мкм.In FIG. 2 presents the results of numerical simulation of the conductance of the system depending on the intensity of the electromagnetic field. In the simulation, the Dresselhaus constant of the spin-orbit interaction β was chosen to be 20,000 m / s, which corresponds to the average value of this value in semiconductors GaAs, InSb, as well as in two-dimensional materials MoS 2 , WSe 2 . The simulation was carried out for different values of the constant α, namely, for α = β / 4, α = β / 2, α = 3β / 4, which corresponds to different specific implementations of base 3. With a high conductivity of the system, the device is in the “on” state, then when voltage is applied, current flows through the device. If the conductance is equal to zero, the device is in the “off” state, that is, the current does not flow through the system when voltage is applied. An important characteristic of the device is the minimum value of the intensity of the control electromagnetic field, which transfers the device from the “on” state to the “off” state, hereinafter referred to as the switching intensity. In FIG. Figure 2 shows that semiconductor channels in which α = β / 4 are optimal from the point of view of minimizing the switching intensity. Such relationships are achieved in two-dimensional semiconductor materials MoS 2 , as well as in semiconductor InGaAs solutions. With the ratio α = β / 4, the switching intensity is 3 W / cm 2 , which is quite achievable in modern sources of electromagnetic radiation, such as lasers, and well below the threshold for thermal destruction of semiconductor layers. The wavelength of the electromagnetic field must satisfy the condition of strong coupling, which consists in the fact that during the passage of an electron from source to sink, it must experience several field oscillations. Mathematically, this condition can be written as λ <cτ, where λ is the wavelength of the electromagnetic field, and τ is the electron transit time between the source and the sink. Thus, for the micron dimensions of the channel, the wavelength is limited from above to about 3 mm. In this case, the photon energy at the spectral frequency of the field should be less than the energy of interband and interband transitions in the base. For the case of thin A 3 B 5 semiconductor materials, this limitation leads to a minimum wavelength of about 30 μm. For two-dimensional channels based on transition metal dichalcogenides, in which there are no interbands, the maximum frequency should be less than the band gap, which corresponds to a wavelength of 2 μm.

Таким образом, решается задача увеличения эффективности управления спиновым током заявляемого транзистора.Thus, the problem of increasing the efficiency of controlling the spin current of the inventive transistor is solved.

Claims (2)

1. Спиновый транзистор, содержащий эмиттер и коллектор, выполненные из ферромагнитного материала, базу в виде тонкого слоя полупроводника нецентросимметричного класса и источника управляющего поля, отличающийся тем, что источник управляющего поля выполнен в виде источника электромагнитного излучения с плотностью мощности от 1÷10 Вт/см2 и длиной волны излучения от 1 до 100 микрон.1. A spin transistor containing an emitter and collector made of ferromagnetic material, a base in the form of a thin layer of a semiconductor of a noncentrosymmetric class and a control field source, characterized in that the control field source is made in the form of an electromagnetic radiation source with a power density of 1 ÷ 10 W / cm 2 and a wavelength of radiation from 1 to 100 microns. 2. Спиновый транзистор по п. 1, отличающийся тем, что в качестве ферромагнитного материала используется железно-иттриевый гранат, а база выполнена из дихалкогенида переходного металла MoS2.2. The spin transistor according to claim 1, characterized in that iron-yttrium garnet is used as the ferromagnetic material, and the base is made of transition metal dichalcogenide MoS 2 .
RU2016140439U 2016-10-13 2016-10-13 SPIN TRANSISTOR RU170009U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016140439U RU170009U1 (en) 2016-10-13 2016-10-13 SPIN TRANSISTOR

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016140439U RU170009U1 (en) 2016-10-13 2016-10-13 SPIN TRANSISTOR

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU170009U1 true RU170009U1 (en) 2017-04-11

Family

ID=58641561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016140439U RU170009U1 (en) 2016-10-13 2016-10-13 SPIN TRANSISTOR

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU170009U1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU188856U1 (en) * 2018-12-20 2019-04-25 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) VALLEY TRANSISTOR

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432373A (en) * 1992-12-15 1995-07-11 Bell Communications Research, Inc. Magnetic spin transistor
US5565695A (en) * 1995-04-21 1996-10-15 Johnson; Mark B. Magnetic spin transistor hybrid circuit element
RU81598U1 (en) * 2008-10-15 2009-03-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский политехнический университет" (ГОУ СПбГПУ) SPIN TRANSISTOR WITH AN ADDITIONAL DIFFERENTIAL PHASE SHIFT STABILIZATION CHANNEL
RU2387047C1 (en) * 2008-09-23 2010-04-20 Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской Академии наук Spin transistor
US20110248325A1 (en) * 2004-06-16 2011-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Spin transistor, programmable logic circuit, and magnetic memory

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432373A (en) * 1992-12-15 1995-07-11 Bell Communications Research, Inc. Magnetic spin transistor
US5565695A (en) * 1995-04-21 1996-10-15 Johnson; Mark B. Magnetic spin transistor hybrid circuit element
US20110248325A1 (en) * 2004-06-16 2011-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Spin transistor, programmable logic circuit, and magnetic memory
RU2387047C1 (en) * 2008-09-23 2010-04-20 Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской Академии наук Spin transistor
RU81598U1 (en) * 2008-10-15 2009-03-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский политехнический университет" (ГОУ СПбГПУ) SPIN TRANSISTOR WITH AN ADDITIONAL DIFFERENTIAL PHASE SHIFT STABILIZATION CHANNEL

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU188856U1 (en) * 2018-12-20 2019-04-25 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) VALLEY TRANSISTOR

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7719070B2 (en) Non-magnetic semiconductor spin transistor
Dushenko et al. Experimental demonstration of room-temperature spin transport in n-type germanium epilayers
Sun et al. Spontaneous spin-polarized current in a nonuniform Rashba interaction system
US9136665B1 (en) Using tunnel junction and bias for effective current injection into terahertz magnon
Gilbert et al. Application of split-gate structures as tunable spin filters
Lu et al. Spin-and valley-dependent negative magnetoresistance in a ferromagnetic MoS 2 junction with a quantum well
Farghadan et al. Gate-voltage induced giant spin Seebeck effect in phosphorene nanoribbons
Wang et al. Ballistic spin transport through electronic stub tuners: Spin precession, selection, and square-wave transmission
Luo et al. Perfect in-plane CrI 3 spin-valve driven by photogalvanic effect
Rojas-Briseño et al. Tunneling magnetoresistance and spin-valley polarization in magnetic silicene superlattices
Wu et al. Rashba spin-orbit effect on traversal time in ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic heterojunction
US9132451B1 (en) Using tunnel junction and bias for effective current injection into magnetic phonon-gain medium
RU170009U1 (en) SPIN TRANSISTOR
JP5260810B1 (en) Rectifying device, transistor and rectifying method
Chang et al. Spin polarized tunneling through diluted magnetic semiconductor barriers
Jiang et al. Tunneling magnetoresistance properties in ballistic spin field-effect transistors
Sun et al. Spin injection, relaxation, and manipulation in GaN-based semiconductors
Wang et al. Voltage-controllable spin polarization of current: Model of three-terminal spin device
RU188856U1 (en) VALLEY TRANSISTOR
Chumak Magnon spintronics
JP5248446B2 (en) Electronic circuit
Hu et al. Conductance modulations in spin field-effect transistors under finite bias voltages
Chandrasekar et al. Effect of barrier width on spin-dependent tunneling in asymmetrical double barrier semiconductor heterostructures
Zhang et al. Nonvolatile spin field effect transistor based on VSi 2 N 4/Sc 2 CO 2 multiferroic heterostructure
Artemchuk et al. A resonance-type terahertz-frequency signal detector based on an antiferromagnetic tunnel junction