RU169415U1 - Магнитоплазмонный сенсор - Google Patents

Магнитоплазмонный сенсор Download PDF

Info

Publication number
RU169415U1
RU169415U1 RU2016117864U RU2016117864U RU169415U1 RU 169415 U1 RU169415 U1 RU 169415U1 RU 2016117864 U RU2016117864 U RU 2016117864U RU 2016117864 U RU2016117864 U RU 2016117864U RU 169415 U1 RU169415 U1 RU 169415U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
mirror
layer
sensor
dielectric
Prior art date
Application number
RU2016117864U
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Николаевич Шапошников
Анатолий Романович Прокопов
Андрей Викторович Каравайников
Владимир Наумович Бержанский
Татьяна Владиславовна Михайлова
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского"
Priority to RU2016117864U priority Critical patent/RU169415U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU169415U1 publication Critical patent/RU169415U1/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B1/008—Nanostructures not provided for in groups B82B1/001 - B82B1/007
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/34—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 reflector
    • G02F2201/346—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 reflector distributed (Bragg) reflector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/32—Photonic crystals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

Техническое решение относится к области приборостроения и может быть использовано при создании сенсоров (датчиков) технического и медико-биологического применения.Магнитоплазмонный сенсор, содержащий диэлектрическое зеркало Брэгга, нанесенное на подложку из плавленого кварца и состоящее из N пар чередующихся диэлектрических слоев с большим и малым показателями преломления, буферный слой с малым показателем преломления с нанесенным на него зеркалом, выполненным в виде пленки золота, призму для ввода излучения со стороны подложки, дополнительно содержит двухслойную пленку висмут-содержащего железо-иттриевого граната толщиной, кратной половине длины волны зондирующего излучения, и буферный слой из диэлектрика с малым показателем преломления, расположенные между диэлектрическим зеркалом Брэгга и зеркалом, выполненным в виде пленки из золота или серебра толщиной от 10 до 100 нм.Магнитоплазмонный сенсор обеспечивает повышенные значения коэффициента усиления МО эффекта, оптической и магнитооптической добротности и, следовательно, чувствительности сенсора.

Description

Техническое решение относится к области приборостроения и может быть использовано при создании сенсоров (датчиков) технического и медико-биологического применения.
Известен сенсор на основе магнитооптического (МО) поверхностного плазмонного резонанса (ППР) [Jun Qin, Longjiang Deng, Jianliang Xie, Tingting Tang, and Lei Bi / Highly sensitive sensors based on magneto-optical surface plasmon resonance in Ag/CeYIG heterostructures // AIP Advances 5, 017118 (2015)]. Работа сенсора основана на существенном изменении условий резонанса поверхностных плазмон-поляритонов (ППП) под воздействием вариаций параметров окружающей среды, а именно изменения показателя преломления.
В состав сенсора входят стеклянная призма для ввода излучения, металлическая пленка из серебра и тонкая диэлектрическая магнитооптическая пленка состава Ce1Y2Fe5O12 (CeYIG). ППР возникает на интерфейсе Ag/CeYIG. Выбор комбинации из этих двух материалов в составе сенсора обусловлен тем, что CeYIG обладает высокими значениями удельного фарадеевского вращения (2⋅104°/см на длине волны 1,0 мкм) и показателя преломления (n=2,3 на длине волны 1,1 мкм), а серебро в этой области длин волн обладает низкими оптическими потерями (диэлектрическая проницаемость серебра ε=-62.485+4.331i). Для регистрации изменения показателя преломления используется поперечный магнитооптический эффект Керра (Transversal Magneto-Optical Kerr Effect - TMOKE). Оптимизация структуры Ag/CeYIG путем аналитического и численного моделирования показала, что наибольшая чувствительность к изменению показателя преломления достигается на длине волны падающего излучения 1160 нм при толщине слоя CeYIG 25 нм.
Недостатками устройства на основе такого сенсора является относительно невысокая чувствительность, обусловленная считыванием сигнала вне условий оптического резонанса.
Известен ППР-сенсор на основе магнитофотонной плазмонной гетероструктуры [Enhancement of SPR-sensor sensitivity in magnetophotonic plasmonic heterostructures / D.O. Ignatyeva, S.K. Sekatskii, A.N. Kalish and V.I. Belotelov. // Progress In Electromagnetics Research Symposium (PIERS), Prague, 2015, July 6-9: proceedings. - 2015. - P. 2296-2300].
Гетероструктура содержит одномерный фотонный кристалл (ФК), состоящий из 16 пар слоев Ta2O5 и SiO2, слой Ta2O5, играющий в кристалле роль дефекта, пленку кобальта и нанесенную на нее пленку золота, с которой контачит анализируемая среда (газы или жидкости). В этом сенсоре ввод излучения для возбуждения ППР также осуществляется с помощью призмы, считывание осуществляется с помощью регистрации сигнала ТМОКЕ, однако, в отличие от предыдущей структуры, ФК обеспечивает усиление МО эффектов в условиях резонанса, что повышает чувствительность данного сенсора по сравнению с предыдущим. Кроме того, одномерный ФК рассчитан на такой эффективный показатель преломления, что структура ФК - металл - анализируемая среда может поддерживать т.н. диннопробежные плазмоны (long-range surface plasmon-polariton - LRSPP).
Недостатком такого сенсора является использование в качестве МО слоя пленки ферромагнитного металла, обладающего высокими оптическими потерями, что снижает оптическую добротность структуры и ведет к снижению чувствительности.
Задачей полезной модели является разработка структуры магнитоплазмонного сенсора (МПС), обеспечивающего повышенные значения коэффициента усиления МО эффекта, оптической и магнитооптической добротности и, следовательно, чувствительности сенсора за счет возбуждения и наложения в структуре резонансов различной природы, а именно, резонанса Фабри-Перо и резонанса на оптических Таммовских состояниях (ОТС) в условиях распространения в структуре LRSPP.
Сущность технического решения характеризуется тем, что МПС, содержащий диэлектрическое зеркало Брэгга, нанесенное на подложку из плавленого кварца и состоящее из N пар чередующихся диэлектрических слоев с большим и малым показателями преломления, зеркало, выполненное в виде пленки из золота, призму для ввода излучения, дополнительно содержит двухслойную пленку висмут-замещенного железо-иттриевого граната толщиной, кратной половине длины волны зондирующего излучения, нижний слой которой имеет состав с низким до 1 ат./ф.е., а верхний с высоким до 3 ат./ф.е. содержанием висмута, нанесенные на двухслойную пленку висмут-замещенного железо-иттриевого граната буферный слой из диэлектрика с малым показателем преломления и зеркало, выполненным в виде пленки из золота толщиной от 10 до 100 нм.
Магнитоплазмонный сенсор обеспечивает повышенные значения коэффициента усиления МО эффекта, оптической и магнитооптической добротности и, следовательно, чувствительности сенсора.
Общими признаками заявляемого устройства и прототипа являются наличие диэлектрического зеркала Брэгга, нанесенного на подложку из плавленого кварца и
состоящего из N пар чередующихся диэлектрических слоев с большим и малым показателями преломления, и зеркала, выполненного в виде пленки золота.
Отличительными признаками технического решения является наличие диэлектрической двухслойной пленки висмут-содержащего железо-иттриевого граната и буферного слоя из диэлектрика с малым показателем преломления, расположенных между диэлектрическим зеркалом Брэгга и зеркалом, выполненным в виде пленки золота. Диэлектрическая пленка висмут-содержащего железо-иттриевого граната обладает высокими значениями показателя преломления, коэффициента пропускания и удельного фарадеевского вращения в видимой и ближней ИК-областях оптического спектра, что обеспечит, соответственно, высокие значения магнитооптической добротности, а следовательно, и чувствительности заявляемого МПС по сравнению с прототипом. Например, для пленки висмутсодержащего феррита-граната иттрия состава Bi2,8Y0,2Fe5O12 на длине волны 1 мкм показатель преломления n=2,51, коэффициент поглощения α=1600 см-1, удельное фарадеевское вращение ΘF=2⋅104°/см.
Совокупность признаков обеспечивает повышение коэффициента усиления МПС на резонансной длине волны по сравнению с прототипом при измерении ТМОКЕ и, соответственно, чувствительности МПС, благодаря использованию в качестве МО слоя двухслойной пленки висмут-содержащего железо-иттриевого граната, обеспечивающей более высокие значения магнитооптической добротности в условиях возникновения и наложения резонанса Фабри-Перо в микрорезонаторном магнитофотонном кристалле, образованном зеркалом Брэгга и зеркалом из золота, и резонанса на ОТС, существующих на интерфейсе между буферным слоем и пленкой золота. Кроме того, в МПС реализованы условия для распространения LRSPP, что также способствует увеличению чувствительности МПС.
На фиг. 1 приведено схематическое изображение заявляемого магнитоплазмонного сенсора.
Магнитоплазмонный сенсор (фиг. 1) изготовлен на кварцевой подложке 1 и содержит диэлектрическое зеркало Брэгга 2, выполненное из N пар чередующихся четвертьволновых (λR/4) слоев с высоким nB (TiO2) 3 и низким nH (SiO2) 4 показателями преломления, и зеркало 5 толщиной h, выполненное в виде пленки из золота. Здесь λR - длина волны, соответствующая середине фотонной запрещенной зоны зеркала Брэгга. Между зеркалами размещена двухслойная пленка висмут-содержащего железо-иттриевого граната, состоящая из слоя M1 с низким содержанием висмута 6 и слоя М2 с высоким содержанием висмута 7. Слой 8 - буферный слой из SiO2, 9 - анализируемый материал, 104 - призма, служащая для ввода излучения в МПС. Параметры ФК, буферного слоя из SiO2 и зеркала из золота рассчитаны таким образом, что структура поддерживает LRSPP.
МПС работает следующим образом. К структуре прикладывается внешнее магнитное поле Н, направленное вдоль плоскости МО слоев M1 и М2 перпендикулярно плоскости падающего излучения, т.е. в геометрии ТМОКЕ. На МПС через призму под фиксированным углом направляется коллимированный поток линейно поляризованного излучения оптического диапазона с длиной волны λR. В структуре между зеркалом Брэгга и пленкой золота на длине волны λR возникает резонанс Фабри-Перо, а на интерфейсе буферный слой-пленка золота - резонанс на ОТС. Кроме того, на интерфейсах буферный слой из SiO2 - пленка золота - анализируемый материал возникают длиннопробежные плазмоны LRSPP. Параметры ПМС рассчитаны таким образом, что указанные резонансы налагаются на длине волны λR, что обеспечивает более значительное повышение коэффициента усиления МО эффекта по сравнению с прототипом. За счет LRSPP также происходит усиление МО эффекта. Кроме того, малые потери в МО слоях ферритов-гранатов заявляемого МПС по сравнению с ферромагнитными металлами сенсора-прототипа приводят к увеличению добротности структуры и увеличению МО отклика. Таким образом, вариации показателя преломления анализируемого материала будут приводить к более значительному росту сигнала ТМОКЕ, в сравнении с прототипом.
В магнитоплазмонном сенсоре в качестве МО пленок используются двухслойные пленки висмутсодержащего железо-иттриевого граната. Применение двухслойных пленок (подслоя с низким содержанием висмута ~ 1 ат./ф.е. и основного слоя с содержанием висмута до 3 ат./ф.е.) при нанесении на негранатовые слои-подложки позволяет достигать высоких значений МО эффекта и добротности [Microcavity One-Dimensional Magnetophotonic Crystals with Double Layer Iron Garnet / V.N. Berzhansky, T.V. Mikhailova, A.V. Karavainikov, A.R. Prokopov, A.N. Shaposhnikov, I.N. Lukienko, Yu.N. Kharchenko, О.V. Miloslavskaya, N.F. Kharchenko//J. Magn. Soc. Jpn., 2012, vol. 36, No 1, 2, р. 42].
При моделировании структуры заявляемого МПС были определены параметры слоев зеркала Брэгга, слоев с низким (M1) и высоким (М2) содержанием висмута, а также зеркала, выполненного в виде пленки из золота, при которых на λR реализуются резонанс Фабри-Перо и резонанс на ОТС. Параметры определены численным решением уравнений Максвелла методом матриц переноса 4×4 [Theoretical analysis of optical and magneto-optical properties of one-dimensional magnetophotonic crystals, H. Kato, T. Matsushita, A. Takayama, M. Egawa, K. Nishimura, M. Inoue J. Appl. Phys., vol. 93, No. 7, 1, 3906, 2003] с учетом условий распространения LRSPP [Konopsky V.N., Plasmon-polariton waves in nanofilms on one-dimensional photonic crystal surfaces, New J. of Phys., vol. 12, No. 9, 093006, 2010.]. При расчетах параметров МПС использовались результаты, полученные ранее при расчете структур плазмонного сенсора [патент RU № 158802, опубл. 20.01.2016 г., бюл. №2].
Эффективность структуры определена с помощью параметра МО добротности
Q=2⋅⎜ΘF⎜/α[°],
где ΘF - удельное фарадеевское вращение;
Figure 00000001
- коэффициент поглощения;
K1 - коэффициент пропускания;
hM - суммарная толщина магнитооптических слоев.
В расчете использованы следующие параметры слоев:
TiO2 - диэлектрическая проницаемость 5,354; показатель преломления 2,314, оптическая толщина (λR/4), λR - середина фотонной запрещенной зоны фотонного кристалла (TiO2/SiO2)N.
SiO2 - диэлектрическая проницаемость 2,123; показатель преломления 1,457, оптическая толщина (λR/4).
M1 - состав Bi1,0Y0,5Gd1,5Fe4,2Al0,8O12, диэлектрическая проницаемость - диагональная компонента εxx=6,843+0,094*i, недиагональная компонента εxy=8,224∙10-3-1,864∙10-3∙i; показатель преломления 2,616.
М2 - состав Bi2,8Y0,2Fe5,0O12, диэлектрическая проницаемость - диагональная компонента εxx=8,72+0,112∙i, недиагональная компонента εxy=0,055-9,971∙10-3∙i; показатель преломления 2,852.
Зеркало из Au: толщина слоя hAu изменялась в диапазоне от 10 до 100 нм, диэлектрическая проницаемость ε=-10,729+1,33∙i; показатель преломления 0,37, коэффициент экстинкции 2,82.
Согласно расчетам оптимальные значения оптической толщины слоев M1 и М2 составили λR/4 и 3λR/4 соответственно. Для N=2-7 оптимальные толщины зеркала, выполненного в виде пленки из золота, составляют hAu,=20-50 нм.
Аналогичным образом могут быть рассчитаны структуры МПС, в которых в качестве фотонного кристалла использованы структуры (Ta2O5/SiO2)N или (TiO2/Al2O3)N.
Примеры конкретного исполнения, заявляемого ПМС представлены ниже.
Пример 1. Нижний слой M1 висмут-замещенного железо-иттриевого граната, наносимый и кристаллизуемый на слое диэлектрического зеркала с низким показателем преломления, имеет состав Bi1,0Y2,0Fe5,0O12. Верхний слой М2, наносимый и кристаллизуемый на слое M1, имеет состав Bi3,0Fe5,0O12. В качестве слоев зеркала Брэгга с высоким и низким показателями преломления использованы соответственно слои TiO2 (nB=2,3) и SiO2 (nH=1,45). Количество пар зеркал N=7. В качестве металлического зеркала используется пленка толщиной hAu=20 нм, выполненная из золота.
Пример 2. Нижний слой M1 висмутзамещенного железо-иттриевого граната, наносимый и кристаллизуемый на слое диэлектрического зеркала с низким показателем преломления, имеет состав Bi1,0Y0,5Gd1,5Fe4,2Al0,8O12. Верхний слой М2, наносимый и кристаллизуемый на слое M1, имеет состав Bi2,8Y0,2Fe5,0O12. В качестве слоев зеркала Брэгга с высоким и низким показателями преломления использованы соответственно слои Ta2O5 (nB=2,1) и SiO2 (nH=1,45). Количество пар зеркал N=5. В качестве металлического зеркала используется пленка толщиной hAu=30 нм, выполненная из золота.
Пример 3. Нижний слой M1 висмутзамещенного железо-иттриевого граната, наносимый и кристаллизуемый на слое диэлектрического зеркала с низким показателем преломления, имеет состав Bi0,7Y2,3Fe5,0O12. Верхний слой М2, наносимый и кристаллизуемый на слое M1, имеет состав Bi2,3Dy0,7Fe4,2Ga0,8O12. В качестве слоев зеркала Брэгга с высоким и низким показателями преломления использованы соответственно слои TiO2 (nB=2,3) и Al2O3 (nH=1,6). Количество пар зеркал N=7. В качестве металлического зеркала используется пленка толщиной hAu=40 нм, выполненная из золота.
Расчеты показывают, что магнитоплазмонный сенсор характеризуется магнитооптической добротностью и чувствительностью к изменению показателя преломления анализируемого материала в несколько раз выше, чем в прототипе.
Преимуществом предлагаемого магнитоплазмонного сенсора является более высокие значения магнитооптической добротности и чувствительности к изменению показателя преломления анализируемого материала по сравнению с прототипом.

Claims (1)

  1. Магнитоплазмонный сенсор, содержащий диэлектрическое зеркало Брэгга, нанесенное на подложку из плавленого кварца и состоящее из N пар чередующихся диэлектрических слоев с большим и малым показателями преломления, зеркало, выполненное в виде пленки из золота, призму для ввода излучения, отличающийся тем, что дополнительно содержит двухслойную пленку висмутзамещенного железо-иттриевого граната толщиной, кратной половине длины волны зондирующего излучения, нижний слой которой имеет состав с низким до 1 ат./ф.е., а верхний - с высоким до 3 ат./ф.е. содержанием висмута, нанесенные на двухслойную пленку висмутзамещенного железо-иттриевого граната буферный слой из диэлектрика с малым показателем преломления и зеркало, выполненное в виде пленки из золота толщиной от 10 до 100 нм.
RU2016117864U 2016-05-05 2016-05-05 Магнитоплазмонный сенсор RU169415U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016117864U RU169415U1 (ru) 2016-05-05 2016-05-05 Магнитоплазмонный сенсор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016117864U RU169415U1 (ru) 2016-05-05 2016-05-05 Магнитоплазмонный сенсор

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016147603U Division RU173144U1 (ru) 2016-12-05 2016-12-05 Магнитоплазмонный сенсор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU169415U1 true RU169415U1 (ru) 2017-03-16

Family

ID=58450034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016117864U RU169415U1 (ru) 2016-05-05 2016-05-05 Магнитоплазмонный сенсор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU169415U1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7265845B2 (en) * 2003-01-27 2007-09-04 Lake Shore Cryotronics, Inc. Surface corrugation enhanced magneto-optical indicator film
RU154764U1 (ru) * 2014-11-19 2015-09-10 Федеральное госдарственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И.Вернадского" Плазмонный магнитофотонный кристалл
RU154720U1 (ru) * 2014-11-19 2015-09-10 Федеральное государственне автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" Магнитоплазмонный кристалл
RU158802U1 (ru) * 2015-08-20 2016-01-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" Плазмонный магнитофотонный кристалл

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7265845B2 (en) * 2003-01-27 2007-09-04 Lake Shore Cryotronics, Inc. Surface corrugation enhanced magneto-optical indicator film
RU154764U1 (ru) * 2014-11-19 2015-09-10 Федеральное госдарственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И.Вернадского" Плазмонный магнитофотонный кристалл
RU154720U1 (ru) * 2014-11-19 2015-09-10 Федеральное государственне автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" Магнитоплазмонный кристалл
RU158802U1 (ru) * 2015-08-20 2016-01-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" Плазмонный магнитофотонный кристалл

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IGNATYEVA D.O. et al, Enhancement of SPR-sensor Sensitivity in Magnetophotonic plasmonic Heterostructures, "PIERS Proceedings", 2015, p.p.2296-2300. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Alipour et al. High sensitivity and tunable nanoscale sensor based on plasmon-induced transparency in plasmonic metasurface
Ignatyeva et al. Magneto-optical plasmonic heterostructure with ultranarrow resonance for sensing applications
Shushama et al. Sensitivity enhancement of graphene coated surface plasmon resonance biosensor
Wu et al. Sensitivity enhanced by MoS 2–graphene hybrid structure in guided-wave surface plasmon resonance biosensor
Paliwal et al. Refractive index sensor using long-range surface plasmon resonance with prism coupler
Wan et al. Theoretical investigation of a sensor based on one-dimensional photonic crystals to measure four physical quantities
Ji et al. Polymer waveguide coupled surface plasmon refractive index sensor: A theoretical study
Wu et al. Near-perfect TMOKE in photonic crystal structures for sensing devices with high figure of merit
Li et al. Magneto-plasmonic sensor with one dimensional photonic crystal for methane detection
Merzlikin et al. Magneto-optical device based on polarization sensitivity for perspective biosensing applications
Mikhailova et al. Tamm plasmon-polaritons and Fabry-Perot excitation in a magnetophotonic structure
Ghasemi et al. Extraordinary magneto-optical Kerr effect via MoS 2 monolayer in Au/Py/MoS 2 plasmonic cavity
Zaky et al. Theoretical optimization of Tamm plasmon polariton structure for pressure sensing applications
Sharma et al. Design of a silicon-based plasmonic optical sensor for magnetic field monitoring in the infrared
Panda et al. Design of a Highly Sensitive Self-Reference Tamm-Plasmon-Polariton Sensor Employing Ti 3 C 2 Tx MXene
Ghanaatshoar et al. Magneto-optical magnetic field sensors based on compact magnetophotonic crystals
RU173144U1 (ru) Магнитоплазмонный сенсор
RU169415U1 (ru) Магнитоплазмонный сенсор
Li et al. Enhancement of transverse magneto-optical Kerr effect based on surface plasmon and its application in sensing
Zamani et al. Miniaturized magnetophotonic crystals for multifunction applications in infrared region
Zheng et al. A refractive index sensor based on magneto-optical surface plasmon resonance
Romodina et al. Magneto-optical switching of Bloch surface waves in magnetophotonic crystals
RU158802U1 (ru) Плазмонный магнитофотонный кристалл
Mikhailova et al. Nanostructures with magnetooptical and plasmonic response for optical sensors and nanophotonic devices
Yang et al. Highly sensitive Goos–Hänchen shift surface plasmon resonance sensor with tin selenide allotropes

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20200506