RU1526303C - Method of thermal treatment of zinc-selenide optical elements - Google Patents
Method of thermal treatment of zinc-selenide optical elementsInfo
- Publication number
- RU1526303C RU1526303C SU4378161A RU1526303C RU 1526303 C RU1526303 C RU 1526303C SU 4378161 A SU4378161 A SU 4378161A RU 1526303 C RU1526303 C RU 1526303C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- optical
- optical elements
- zinc
- heat treatment
- thermal treatment
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
11
(21)4378161/26 (22) 18.02.88 (46)07.05.93. Б юл. fvh 17 (72) Л.П.Гальчииецкий, В.Д.Рыжиков, Н.Г.Старжинский и М.Ш.Файнер (56) Карлов Ы.В., Сис кин Е.В. Оптические материалы дл СОа-лазеров. Извести АН СССР, сер. Физическа , 1980, т.44, № 8, с. 1631-1638.(21) 4378161/26 (22) 02/18/88 (46) 05/07/93. B yul. fvh 17 (72) L.P. Galchiyetsky, V.D. Ryzhikov, N.G. Starzhinsky and M.Sh. Feiner (56) Karlov Y.V., Siskin E.V. Optical materials for COa lasers. Lime of the USSR Academy of Sciences, ser. Fizicheskaya, 1980, v. 44, No. 8, p. 1631-1638.
Авторское свилетельство СССР М- 1111516, кл. С 30 В 33/00, 1Э82. (54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКАThe author's certificate of the USSR M-1111516, cl. With 30 V 33/00, 1E82. (54) METHOD FOR THERMAL PROCESSING OF OPTICAL ELEMENTS FROM ZINC SEENIDE
(57) Изобретение относитс к обработке кристаллов, конкретно селенида цинка, и позвол ет уменьшить их коэффициент оптического поглощени в инфракрасной области . Из кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент. Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при lOOO-IOSO C в течение 40-44 ч. Достигают уменьшени коэффициента оптического поглощени подлине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл.(57) The invention relates to the processing of crystals, in particular zinc selenide, and makes it possible to reduce their optical absorption coefficient in the infrared region. An optical element is obtained from a crystal of zinc selenide by cutting, grinding and polishing. The element is subjected to heat treatment in an atmosphere of saturated palladium vapor at lOOO-IOSO C for 40-44 hours. The optical absorption coefficient is reduced to a wavelength of 10.6 μm from 3.5 to 10 cm. 1 tab.
Изобретение оиюситс к получению материалов, примен емых и электронном приборостроении, лазерной силовой оптике и технике, в лазерной спектроскопии, и может быть использоиано, например,при разработке мощных С02-лазеров, оптических затворов и модул торов.The invention relates to the production of materials used in electronic instrumentation, laser power optics and technology, in laser spectroscopy, and can be used, for example, in the development of high-power CO2 lasers, optical shutters, and modulators.
Целью изобретени вл етс уменьшение коэффициента оптического поглои ени в инфракрасно области.The aim of the invention is to reduce the optical absorption coefficient in the infrared region.
П р и м ер i. Из кристалла селенида цинка, полученного выра1циванием из расплава под давлением аргона, вырезают диски диаметром 25 мм и юлщипой 6 мм. Провод т их шли(||С1ису и полироаку. Получают оптические элементы диаметром 25 мм и толщиной 5 мм с оптически полированными рабочими поверхност ми. Затем оптические элементы помещают о кварцевую ампулу 150 см , в которую добавл ют навеску теллура, достаточную получени насы1ценного пара. Ампулу с оптическими элементами и навеской теллура вакуумируют до 10 мм рт.ст. и помещают вPRI me R i. Disks 25 mm in diameter and 6 mm in diameter are cut out of a zinc selenide crystal obtained by growing from a melt under argon pressure. They were carried out (|| C1isu and polyacro. Optical elements were obtained with a diameter of 25 mm and a thickness of 5 mm with optically polished work surfaces. Then the optical elements were placed on a quartz ampoule of 150 cm into which a tellurium sample was added, which was sufficient to obtain saturated vapor. An ampoule with optical elements and a tellurium sample is evacuated to 10 mmHg and placed in
электропечь сопротивлени . Температуру в печи довод т до , выдерживают при этой температуре 40 ч, затем печь выключают . После остыоаник печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измер ют их коэффициенты поглощен и , которые оказываютс равными 3resistance electric furnace. The temperature in the furnace was brought to, maintained at this temperature for 40 hours, then the furnace was turned off. After the oven has cooled down to room temperature, the ampoule is taken out, broken, the optical elements are extracted and their absorbed coefficients are measured and, which turn out to be 3
П р и м е р 2. Процесс провод т, как в примере 1, но измен ют температуру и длительность термообработки. Полученные данные по коэффициентам поглощени элементов приведены в таблице.Example 2. The process is carried out as in Example 1, but the temperature and the duration of the heat treatment are changed. The data on the absorption coefficients of the elements are shown in the table.
Таким образом, из примеров оидно, что способ по изобретению позвол ет по сравнению с прототипом уменьшить коэ1)фици- ент оптического поглощени о(пч;ческих элементов из кристаллов селенида цинка нз 1-2 пор дка. Способ обеспечивает достижение высокой оптической однородности состава материала, что обусловливаетс увеличение его лучевой прочности.Thus, from the examples it is unfortunate that the method according to the invention allows, in comparison with the prototype, to reduce the coefficient of optical absorption coefficient o (cells; elements from zinc selenide crystals ns 1-2 orders of magnitude. The method ensures high optical uniformity of the material composition due to an increase in its radiation strength.
(Л(L
сwith
СЛSL
iK)iK)
о соoh co
iOiO
СА)CA)
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4378161 RU1526303C (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Method of thermal treatment of zinc-selenide optical elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4378161 RU1526303C (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Method of thermal treatment of zinc-selenide optical elements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1526303C true RU1526303C (en) | 1993-05-07 |
Family
ID=21355566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4378161 RU1526303C (en) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Method of thermal treatment of zinc-selenide optical elements |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1526303C (en) |
-
1988
- 1988-02-18 RU SU4378161 patent/RU1526303C/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101384953B (en) | Wavelength conversion optical element, method for fabricating wavelength conversion optical element, wavelength conversion device, ultraviolet laser irradiator and laser material processing system | |
Lei et al. | Growth of crack-free ZnGeP2 large single crystals for high-power mid-infrared OPO applications | |
KR20110015538A (en) | Method and structure for nonlinear optics | |
CN105113005B (en) | BaHgSe2Nonlinear optical crystal and preparation method and purposes | |
Nishii et al. | Morphology and orientation of β-BaB2O4 crystals patterned by laser in the inside of samarium barium borate glass | |
Xiao et al. | Preparation of crystalline beta barium borate (β‐BaB2O4) thin films by pulsed laser deposition | |
CN113060711B (en) | Compound cadmium sulfur phosphorus, mercury sulfur phosphorus and mercury infrared nonlinear optical crystal, and preparation method and application thereof | |
RU1526303C (en) | Method of thermal treatment of zinc-selenide optical elements | |
Singh et al. | Bridgman growth of GaSe crystals for nonlinear optical applications | |
US6248167B1 (en) | Method for single crystal growth and growth apparatus | |
Skiba et al. | Laser-stimulated local change of glass-ceramic optical properties | |
Fukaya et al. | The growth of Cr4+: YAG and Cr4+: GGG thin films by pulsed laser deposition | |
EP1103843B1 (en) | Nonlinear optical crystal | |
Kokh et al. | Growth and investigation of BBO crystals with improved characteristics for UV harmonic generation | |
CN114672880A (en) | Compound rubidium fluoroborophosphate and rubidium fluoroborophosphate nonlinear optical crystal, and preparation method and application thereof | |
Babu et al. | Growth and properties of benzil doped benzimidazole (BMZ) single crystals | |
Guretskii et al. | Growth of lithium triborate single crystals from molten salt solution under various temperature gradients | |
JP2000281493A (en) | Treatment of crystal, crystal and optical part and exposure device | |
RU2777297C1 (en) | Optical alkali-aluminum-borate glass ceramics with chromium ions | |
RU2051211C1 (en) | Method for production of large zinc selenide crystals | |
JP4575561B2 (en) | Manufacturing method of optical material | |
RU2658109C1 (en) | Optical nanoglassceramics with chromium ions | |
JPH025295B2 (en) | ||
KR950000647B1 (en) | Method and apparatus for polycrystallising an amorphous silicon film | |
Mason et al. | Novel approach to realizing quasi-phase-matched gallium arsenide optical parametric oscillators for use in mid-IR laser systems |