RU1454157C - Process of manufacture of solid planar source of boron diffusion based on boron nitride - Google Patents
Process of manufacture of solid planar source of boron diffusion based on boron nitride Download PDFInfo
- Publication number
- RU1454157C RU1454157C SU4102830A RU1454157C RU 1454157 C RU1454157 C RU 1454157C SU 4102830 A SU4102830 A SU 4102830A RU 1454157 C RU1454157 C RU 1454157C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diffusant
- boron nitride
- boron
- silicon
- sintering
- Prior art date
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии создания высоколегированных р+-слоев в кремниевых пластинах диаметром ≥ 100 мм при температурах диффузии 725-975оС.The invention relates to a technology of high-p + layer in the silicon wafers with a diameter ≥ 100 mm at the diffusion temperatures of 725-975 C.
Целью изобретения является повышение уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725-975оС при производстве интегральных микросхем.The aim of the invention is to increase the doping level of semiconductors from solid planar sources at 725-975 about With the production of integrated circuits.
При спекании твердых источников выше 1050оС происходит быстрое окисление порошка кремния в диффузанте и снижение концентрации бора в поверхностной окисленной пленке, что приводит к ухудшению спекаемости диффузанта и снижению процента выхода годных твердых источников.During sintering of solid sources of above 1050 ° C there is a rapid oxidation of silicon powder in the penetrant and reducing the concentration of boron in the surface of the oxidized film, which leads to deterioration of the sinterability and a decrease diffusant percent yield of solid sources.
Уменьшение температуры спекания ниже 975оС приводит к необходимости значительного удлинения операции спекания и ухудшению качества спекания диффузанта на термостойком носителе.Reducing the sintering temperature of below 975 ° C leads to the necessity of significant lengthening the sintering step of sintering and deterioration of the diffusant in the heat-resistant carrier.
При содержании порошка нитрида бора в количестве менее 85 мас.ч. источник не обеспечивает высокий уровень легирования диффузионных слоев на низких температурах. Верхний предел содержания порошка нитрида бора - 95 мас. ч. ограничивается минимальным содержанием порошка кремния - 5 мас.ч. При содержании порошка кремния в диффузанте ниже 5 мас.ч. ухудшается спекание боросодержащего материала с подложкой и самого материала, снижает процент выхода годных, ухудшаются термомеханические свойства источников, понижается пористость источников. When the content of boron nitride powder in an amount of less than 85 parts by weight the source does not provide a high level of doping of diffusion layers at low temperatures. The upper limit of the content of boron nitride powder is 95 wt. hours is limited to a minimum silicon powder content of 5 parts by weight When the content of silicon powder in the diffusant is below 5 wt.h. sintering of boron-containing material with the substrate and the material itself is worsened, the percentage of yield is reduced, the thermomechanical properties of the sources are deteriorated, and the porosity of the sources is reduced.
При содержании порошка кремния в диффузанте выше 15 мас.ч. происходит увеличение БСС (боросиликатного стекла) в объеме диффузанта, что приводит к снижению процента выхода годных источников при изготовлении, понижается содержание порошка нитрида бора и уровень легирования кремниевых пластин. When the content of silicon powder in the diffusant is above 15 wt.h. there is an increase in BSS (borosilicate glass) in the volume of the diffusant, which leads to a decrease in the percentage of yield of sources during manufacture, the content of boron nitride powder and the level of doping of silicon wafers are reduced.
При увеличении времени спекания более 60 мин уменьшается пористость источника. При уменьшении времени менее 30 мин спекание диффузанта с подложкой недостаточно. With an increase in sintering time of more than 60 min, the source porosity decreases. With a decrease in time of less than 30 min, sintering of the diffusant with the substrate is not enough.
П р и м е р 1. Приготавливают диффузант, смешивая 85 мас.ч. порошка нитрида бора с 15 мас.ч. порошка кремния. Приготавливают пасту диффузанта, добавляя к смеси порошков 5%-ный раствор крахмала. Наносят пасту диффузанта толщиной 0,8 мм на обе стороны пластин кремния диаметром 102 мм методом сеткографии, а затем сушат пластины в течение 30 мин при 180оС. Затем пластины устанавливают вертикально в кварцевую кассету и проводят спекание в окислительной среде при 1050оС в течение 30 мин.PRI me R 1. Prepare a diffusant, mixing 85 wt.h. boron nitride powder with 15 parts by weight silicon powder. A diffusant paste is prepared by adding a 5% starch solution to the powder mixture. Apply paste diffusant 0.8 mm thick on both sides of the silicon wafers 102 mm in diameter setkografii method, and then dried plate for 30 min at 180 C. Then, the plate is placed vertically in quartz cassette and sintering is conducted in an oxidizing atmosphere at 1050 C. within 30 minutes
П р и м е р 2. Приготавливают диффузант, смешивая 90 мас.ч. порошка нитрида бора с 10 мас.ч. порошка кремния. Далее все операции проводят по примеру 1, а спекание - при 1000оС в течение 45 мин.PRI me R 2. Prepare a diffusant, mixing 90 wt.h. boron nitride powder with 10 parts by weight silicon powder. Further, all operations are carried out as in example 1, and sintering - at 1000 about C for 45 minutes.
П р и м е р 3. Приготавливают диффузант, смешивая 95 мас.ч. порошка нитрида бора с 5 мас.ч. порошка кремния. Далее все операции проводят по примеру 1, а спекание - при 975оС в течение 60 мин.PRI me R 3. Prepare a diffusant, mixing 95 wt.h. boron nitride powder with 5 parts by weight silicon powder. Further, all operations are carried out as in example 1, and sintering - at 975 about C for 60 minutes.
Пористость такого источника увеличивается на 50-60оС, а уровень легирования повышается в 1,4-1,6 раза.The porosity of such a source is increased to 50-60 C and the doping level is increased by 1.4-1.6 times.
Claims (1)
Нитрид бора - 85 - 95
Порошок кремния - 5 - 15
а спекание проводят при 975 - 1050oС в течение 30 - 60 мин.METHOD FOR PRODUCING SOLID PLANAR SOURCES OF BORON DIFFUSION BASED ON BORON NITRIDE, which includes the preparation of a diffusant by mixing boron nitride and filler powders, the application of a diffusant on a silicon wafer and sintering in an oxidizing medium, characterized in that, with the aim of increasing the level of solid sources, the planes are solid planed 725 - 975 o With the production of integrated circuits, as a filler, the diffusant contains silicon powder in the following ratio of diffusant components, parts by weight:
Boron Nitride - 85 - 95
Silicon powder - 5 - 15
and sintering is carried out at 975 - 1050 o C for 30 to 60 minutes
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4102830 RU1454157C (en) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | Process of manufacture of solid planar source of boron diffusion based on boron nitride |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4102830 RU1454157C (en) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | Process of manufacture of solid planar source of boron diffusion based on boron nitride |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1454157C true RU1454157C (en) | 1995-01-27 |
Family
ID=30440484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4102830 RU1454157C (en) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | Process of manufacture of solid planar source of boron diffusion based on boron nitride |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1454157C (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2475883C1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-02-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Method for diffusion of boron in silicon |
-
1986
- 1986-07-28 RU SU4102830 patent/RU1454157C/en active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 1292622, кл. H 01L 21/22, 1986. * |
Авторское свидетельство СССР N 1398703, кл. H 01L 21/22, 1986. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2475883C1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-02-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Method for diffusion of boron in silicon |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0100232B1 (en) | Substrate for semiconductor apparatus | |
US3650778A (en) | Low-expansion, low-melting zinc phosphovanadate glass compositions | |
US3890169A (en) | Method of forming stable native oxide on gallium arsenide based compound semiconductors by combined drying and annealing | |
US4796077A (en) | Electrical insulating, sintered aluminum nitride body having a high thermal conductivity and process for preparing the same | |
US3798081A (en) | Method for diffusing as into silicon from a solid phase | |
US3856472A (en) | Apparatus for the gettering of semiconductors | |
US3841927A (en) | Aluminum metaphosphate source body for doping silicon | |
US4904515A (en) | Heat-treatment member for semiconductor elements | |
US3931056A (en) | Solid diffusion sources for phosphorus doping containing silicon and zirconium pyrophosphates | |
RU1454157C (en) | Process of manufacture of solid planar source of boron diffusion based on boron nitride | |
US3998668A (en) | Aluminum metaphosphate dopant sources | |
JPH03119722A (en) | Dopant film and impurity diffusion using it | |
US3451867A (en) | Processes of epitaxial deposition or diffusion employing a silicon carbide masking layer | |
US4749615A (en) | Semiconductor dopant source | |
GB2218699A (en) | Solid diffusion source | |
US3954525A (en) | Hot-pressed solid diffusion sources for phosphorus | |
JPS637624A (en) | Method of diffusing material providing conductivity type into compound semiconductor material of group iii-v | |
JPS5969473A (en) | Sintering silicon carbide powder composition | |
JPH0336782B2 (en) | ||
RU2027253C1 (en) | Method for manufacturing phosphor diffusion sources | |
CA1104267A (en) | Method of making semiconductor devices | |
US3720542A (en) | Process for producing dense metal oxide coatings on semiconductor | |
US3711324A (en) | Method of forming a diffusion mask barrier on a silicon substrate | |
RU1591753C (en) | Process of manufacture of solid planar sources for diffusion of phosphorus | |
JPS60239400A (en) | Process for annealing compound semiconductor |