RU140347U1 - DEVICE WITH ANALOG-DIGITAL CONVERSION IN THE CELL OF THE PHOTO RECEPTION MATRIX OF THE IR RANGE - Google Patents
DEVICE WITH ANALOG-DIGITAL CONVERSION IN THE CELL OF THE PHOTO RECEPTION MATRIX OF THE IR RANGE Download PDFInfo
- Publication number
- RU140347U1 RU140347U1 RU2013152541/07U RU2013152541U RU140347U1 RU 140347 U1 RU140347 U1 RU 140347U1 RU 2013152541/07 U RU2013152541/07 U RU 2013152541/07U RU 2013152541 U RU2013152541 U RU 2013152541U RU 140347 U1 RU140347 U1 RU 140347U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- input
- output
- drain
- bus
- transistor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Устройство с аналогово-цифровым преобразованием в ячейке фотоприемной матрицы ИК диапазона, выполненное на полупроводниковой подложке, содержащее входной транзистор, исток которого соединен с выходом фотодетектора, затвор соединен с шиной напряжения смещения, а сток соединен с истоком первого транзистора подзарядки, сток которого соединен с шиной напряжения подзарядки, а затвор соединен с шиной импульса подзарядки, отличающееся тем, что сток входного транзистора соединен с первой обкладкой интегрирующего конденсатора, вторая обкладка которого соединена с подложкой, а также сток входного транзистора соединен с истоком первого транзистора переноса, сток которого соединен с первой обкладкой первого конденсатора хранения, вторая обкладка которого соединена с подложкой, при этом затвор первого транзистора переноса соединен с первой шиной импульса выборки-хранения, первая обкладка первого конденсатора хранения соединена с истоком второго транзистора переноса, затвор которого соединен со второй шиной импульса выборки-хранения, а сток соединен с первой обкладкой второго конденсатора хранения, вторая обкладка которого соединена с подложкой, при этом первая обкладка второго конденсатора хранения соединена с первым входом компаратора напряжения и с истоком второго транзистора подзарядки, сток которого соединен с шиной напряжения подзарядки, второй вход компаратора соединен с шиной опорного напряжения, а выход компаратора соединен с входом сброса триггера, у которого вход установки соединен с шиной импульса старта интегрирования тока фотоприемника, при этом выход триггера соединен с затвором второго A device with analog-to-digital conversion in the cell of the IR photodetector matrix, made on a semiconductor substrate, containing an input transistor, the source of which is connected to the output of the photodetector, the gate is connected to the bias voltage bus, and the drain is connected to the source of the first charging transistor, the drain of which is connected to the bus charging voltage, and the gate is connected to the charging pulse bus, characterized in that the input transistor drain is connected to the first lining of the integrating capacitor, the second lining which is connected to the substrate, and the drain of the input transistor is connected to the source of the first transfer transistor, the drain of which is connected to the first plate of the first storage capacitor, the second plate of which is connected to the substrate, while the gate of the first transfer transistor is connected to the first sampling-storage pulse bus, the first lining of the first storage capacitor is connected to the source of the second transfer transistor, the gate of which is connected to the second sampling-storage pulse bus, and the drain is connected to the first lining of the second storage capacitor, the second lining of which is connected to the substrate, while the first lining of the second storage capacitor is connected to the first input of the voltage comparator and to the source of the second charging transistor, the drain of which is connected to the charging voltage bus, the second comparator input is connected to the reference voltage bus, and the output the comparator is connected to the trigger reset input, in which the installation input is connected to the pulse bus of the start of integration of the photodetector current, while the trigger output is connected to the gate of the second
Description
Устройство предназначено для использования в системах приема оптической информации с многоэлементных приемников и ее обработки средствами интегральной микроэлектроники.The device is intended for use in optical information receiving systems from multi-element receivers and its processing by means of integrated microelectronics.
Современное развитие микрофотоэлектроники требует поиска новых путей совершенствования схем обработки сигналов многоэлементных фотоприемников ИК диапазона. Применение аналогово-цифрового преобразования (АЦП) в непосредственной близи к фотоприемнику, т.е. в самой фотоприемной ячейке, позволяет существенно повысить отношение сигнал-шум на выходе схемы обработки, расширить линейный динамический диапазон и обеспечить лучшую помехозащищенность.The modern development of microphotoelectronics requires the search for new ways to improve the signal processing schemes of multi-element infrared photodetectors. The use of analog-to-digital conversion (ADC) in the immediate vicinity of the photodetector, i.e. in the photodetector cell itself, it can significantly increase the signal-to-noise ratio at the output of the processing circuit, expand the linear dynamic range and provide better noise immunity.
Известна схема с однобитным АЦП в ячейке [D. Yang, В. Fowler et al. А 640×512 CMOS image sensor with ultrawide dynamic range floating-point pixel-level ADC. IEEE Journal of Solid State Circuits, 34 (12), December 1999], содержащая цепь интегрирования фототока и компаратор напряжения. Ее недостатком является необходимость высокой частоты считывания однобитных подкадров, для получения полного n-битного цифрового кода.The known scheme with a single-bit ADC in the cell [D. Yang, B. Fowler et al. A 640 × 512 CMOS image sensor with ultrawide dynamic range floating-point pixel-level ADC. IEEE Journal of Solid State Circuits, 34 (12), December 1999], containing a photocurrent integration circuit and a voltage comparator. Its disadvantage is the need for a high reading frequency of single-bit subframes to obtain a complete n-bit digital code.
Известна схема с n-битным АЦП в ячейке [S. Kleinfelder et al. А 10,000 frames/s CMOS digital pixel sensor. IEEE Journal of Solid State Circuits, 36 (12), December 2001], содержащая цепь интегрирования фототока, компаратор напряжения, n-битную память с записью двоичного кода от глобального счетчика в момент срабатывания компаратора. Недостатком является малоразрядность цифрового кода (не более 10 бит), что совершенно неприемлемо для фотоприемников ИК диапазона, имеющих фоновую составляющую 95-98% от всего диапазона фотосигнала.Known circuit with n-bit ADC in the cell [S. Kleinfelder et al. A 10,000 frames / s CMOS digital pixel sensor. IEEE Journal of Solid State Circuits, 36 (12), December 2001], containing a photocurrent integration circuit, a voltage comparator, an n-bit memory with a binary code from the global counter at the time the comparator was triggered. The disadvantage is the low bit rate of the digital code (no more than 10 bits), which is completely unacceptable for infrared photodetectors having a background component of 95-98% of the entire range of the photo signal.
Известна схема формата 320×256 с n-битным АЦП в ячейке [S. Bisotto, A. Peizerat et al. A 25um pitch LWIR staring FPA with pixel-level ADC ROIC achieving 2 mK NETD. Proc. SPIE 7834, Electro-Optical and Infrared Systems: Technology and Applications VII, 78340J (October 27, 2010)], содержащая цепь интегрирования фототока, компаратор напряжения, n-битный бинарный счетчик и n-битную память выходных данных. Отличительной особенностью является высокая разрядность преобразования (15 бит) и широкий линейный динамический диапазон (не менее 90 дБ).A known format scheme is 320 × 256 with n-bit ADC in the cell [S. Bisotto, A. Peizerat et al. A 25um pitch LWIR staring FPA with pixel-level ADC ROIC achieving 2 mK NETD. Proc. SPIE 7834, Electro-Optical and Infrared Systems: Technology and Applications VII, 78340J (October 27, 2010)], comprising a photocurrent integration circuit, a voltage comparator, an n-bit binary counter and an n-bit output memory. A distinctive feature is the high bit depth of the conversion (15 bits) and a wide linear dynamic range (at least 90 dB).
Данная схема, как наиболее близкая к предлагаемому устройству, принята за прототип.This scheme, as the closest to the proposed device, adopted as a prototype.
Основным недостатком прототипа является большая потребляемая мощность интегральной схемы считывания, многократно превышающая потребляемую мощность аналоговых схем считывания такого же формата, что является главным ограничением в увеличении формата охлаждаемых фотоприемных матриц.The main disadvantage of the prototype is the large power consumption of the integrated reading circuit, many times higher than the power consumption of analog reading circuits of the same format, which is the main limitation in increasing the format of cooled photodetector arrays.
Техническим результатом предлагаемого устройстваа является снижение мощности, потребляемой ячейкой с аналогово-цифровым преобразованием, что позволяет увеличивать формат охлаждаемой фотоприемной матрицы.The technical result of the proposed device is to reduce the power consumed by the cell with analog-to-digital conversion, which allows you to increase the format of the cooled photodetector.
Технический результат достигается за счет того, что заявленное устройство содержит входной транзистор, исток которого соединен с выходом фотодетектора, затвор соединен с шиной напряжения смещения, а сток соединен с истоком первого транзистора подзарядки, сток которого соединен с шиной напряжения подзарядки, а затвор соединен с шиной импульса подзарядки, сток входного транзистора соединен с первой обкладкой интегрирующего конденсатора, вторая обкладка которого соединена с подложкой, а также сток входного транзистора соединен с истоком первого транзистора переноса, сток которого соединен с первой обкладкой первого конденсатора хранения, вторая обкладка которого соединена с подложкой, при этом затвор первого транзистора переноса соединен с первой шиной импульса выборки-хранения, первая обкладка первого конденсатора хранения соединена с истоком второго транзистора переноса, затвор которого соединен со второй шиной импульса выборки-хранения, а сток соединен с первой обкладкой второго конденсатора хранения, вторая обкладка которого соединена с подложкой, при этом первая обкладка второго конденсатора хранения соединена с первым входом компаратора напряжения и с истоком второго транзистора подзарядки, сток которого соединен с шиной напряжения подзарядки, второй вход компаратора соединен с шиной опорного напряжения, а выход компаратора соединен с входом сброса триггера, у которого вход установки соединен с шиной импульса старта интегрирования тока фотоприемника, при этом выход триггера соединен с затвором второго транзистора подзарядки второй емкости хранения, в устройство введена схема счета/считывания на основе n-разрядного сдвигового регистра, информационный вход которого соединен с общим выводом сдвоенного управляющего ключа, а тактовый вход соединен с шиной тактовых импульсов, при этом, в режиме счета, первый вывод управляющего ключа соединяет информационный вход сдвигового регистра с выходом логической схемы ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ-НЕ, первый вход которой соединен выходом сдвигового регистра, а второй вход соединен с выходом j-го разряда, где j от 1 до (n-1), при этом, вход разрешения сдвигового регистра соединен с выходом триггера, в режиме считывания первый вывод управляющего ключа размыкается, а второй вывод управляющего ключа замыкается и соединяет информационный вход сдвигового регистра с последовательным входом данных фотоприемной ячейки.The technical result is achieved due to the fact that the claimed device contains an input transistor, the source of which is connected to the output of the photodetector, the gate is connected to the bias voltage bus, and the drain is connected to the source of the first charging transistor, the drain of which is connected to the charging voltage bus, and the gate is connected to the bus charge pulse, the input transistor drain is connected to the first plate of the integrating capacitor, the second plate of which is connected to the substrate, and the input transistor drain is connected to the source the first transfer transistor, the drain of which is connected to the first plate of the first storage capacitor, the second plate of which is connected to the substrate, while the gate of the first transfer transistor is connected to the first sampling-storage pulse bus, the first plate of the first storage capacitor is connected to the source of the second transfer transistor, whose gate connected to the second sampling-storage pulse bus, and the drain is connected to the first lining of the second storage capacitor, the second lining of which is connected to the substrate, while The first lining of the second storage capacitor is connected to the first input of the voltage comparator and to the source of the second charging transistor, the drain of which is connected to the charging voltage bus, the second input of the comparator is connected to the voltage reference bus, and the comparator output is connected to the trigger reset input, at which the installation input is connected to the pulse bus of the start of integration of the photodetector current, while the trigger output is connected to the gate of the second charging transistor of the second storage capacity, a counting / reading circuit is introduced into the device based on an n-bit shift register, the information input of which is connected to the common output of the dual control key, and the clock input is connected to the clock bus, while, in counting mode, the first output of the control key connects the information input of the shift register with the output of the logic circuit EXCLUSIVE OR NOT, the first input of which is connected to the output of the shift register, and the second input is connected to the output of the jth bit, where j is from 1 to (n-1), while the input of the resolution of the shift register is connected to the output of the trigger, in IME reading a first terminal of the control switch is opened, and the second terminal of the control switch closes and connects the data input of the shift register with a serial data input of photodetector cells.
Суть заявляемого устройства состоит во введении второго конденсатора для деления накопленного заряда и третьего конденсатора для суммирования заряда, соединенного со входом компаратора и вторым ключом подзарядки, управляемым с выхода асинхронного RS-триггера, подключенного ко входу кольцевого счетчика с двумя переключаемыми режимами работы, устройство иллюстрируется рисунками:The essence of the claimed device consists in the introduction of a second capacitor for dividing the accumulated charge and a third capacitor for summing the charge connected to the input of the comparator and the second charging key controlled from the output of the asynchronous RS-trigger connected to the input of the ring counter with two switchable modes of operation, the device is illustrated by figures :
на фиг. 1 приведена блок-схема устройства;in FIG. 1 shows a block diagram of a device;
на фиг. 2 приведены временные диаграммы работы устройства.in FIG. 2 shows the timing diagrams of the operation of the device.
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
Через вход INA течет ток от ИК-фотоприемника в исток входного транзистора 1, затвор которого соединен с шиной смещения 16, а сток подключен к интегрирующему конденсатору 3. Этот конденсатор линейно разряжается фототоком и периодически подключается к шине подзарядки 14 через транзистор 2 с периодом накопления Tint. Этот процесс отображен диаграммой VINT(t) на фиг. 1 При подаче на первую шину переноса 17 первого импульса выборки-хранения с периодом Tint, часть накопленного заряда Qint переносится через транзистор 4 в конденсатор деления заряда 5, величина которого в (k-1) раз меньше величины интегрирующего конденсатора, где k - целое число, много большее единицы. Далее, порции поделенного заряда Qint/n, при подаче второго импульса выборки-хранения на вторую шину переноса 18 через транзистор переноса 6 поступают в суммирующий конденсатор 7, равный по величине интегрирующему конденсатору. Момент подзарядки суммирующего конденсатора устанавливается автоматически, за счет перехода компаратора в противоположное логическое состояние при равенстве напряжения суммирующего конденсатора и опорного напряжения VREF на шине 19. Выходной уровень напряжения компаратора подается на вход сброса R асинхронного триггера, предварительно установленного в исходное состояние сигналом начала накопления SET (шина 20). Сигнал TRIG на выходе Q триггера фиксирует изменение логического уровня на выходе компаратора и удерживает суммирующий 7 конденсатор в заряженном состоянии до следующего импульса SET. Временные диаграммы цифровых сигналов TRIG, SET и напряжения на суммирующем конденсаторе в виде ступенчатого сигнала VOUT(t) приведены на фиг. 1. Результатом описанного двухступенчатого накопления, т.е. интегрирования фототока и суммирования поделенного заряда, является увеличение эквивалентного времени накопления ячейки в k раз и, соответственно, увеличение отношения сигнал-шум и динамического диапазона в k½ раз. Кроме того, на выходе триггера устанавливается цифровой сигнал TRIG, являющийся однобитным эквивалентом накопленного сигнала. По сравнению с прототипом, в котором переброс компаратора происходит 2n раз (n-разрядность аналогово-цифрового преобразования) за период кадра, в предлагаемом устройстве переброс компаратора происходит всего один раз за кадр. Следовательно, его быстродействие и потребляемая мощность могут быть многократно снижены.A current from the IR photodetector flows through the INA input to the source of the
Для проведения n-битного аналогово-цифрового преобразования накопленного сигнала необходимо выразить длительность его однобитного эквивалента - импульса TRIG в периодах тактового сигнала CLK (шина 21). Для этого используется устройство накопления тактовых импульсов 12, работающее в двух режимах: счета и считывания.To conduct an n-bit analog-to-digital conversion of the accumulated signal, it is necessary to express the duration of its one-bit equivalent - TRIG pulse in the CLK clock periods (bus 21). For this, a
В режиме счета устройство 12 функционирует как стандартный кольцевой счетчик, построенный на базе n-битного сдвигового регистра с обратной связью через первый замкнутый ключ сдвоенного ключа 11 и логический элемент 13 ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ-НЕ. Максимальное количество кодовых комбинаций такого кольцевого счетчика равно 2n-1, т.е. всего на единицу меньше, чем в двоичном счетчике. Длительность импульса TRIG, поданного на вход разрешения счета EN, определяет количество посчитанных тактовых импульсов CLK, являющееся по сути аналогово-цифровым преобразованием накопленного сигнала.In the counting mode, the
В режиме считывания устройство 12 функционирует как n-битный сдвиговый регистр, вход которого IN через открытый второй ключ сдвоенного ключа 11 подключен к входу последовательных данных ячейки IND, при этом выход сдвигового регистра OUTn подключен к выходу последовательных данных ячейки OUTD. При топологической интеграции заявляемого устройства в составе матричного устройства считывания (мультиплексора) выход OUTD предыдущей ячейки данного столбца соединяется с входом IND следующей ячейки этого столбца. В результате, для каждого столбца мультиплексора образуется единый сдвиговой регистр считывания последовательных цифровых данных, т.е. имеет место конвейерное считывание. В прототипе для вывода цифровых данных из каждой ячейки используется n-битная шина данных с мощными шинными буферами, что ведет к дополнительному увеличению потребляемой мощности.In the reading mode, the
В заявляемом устройстве, по сравнению с прототипом, имеется существенное снижение потребляемой мощности, как в процессе аналогово-цифрового преобразования, так и в процессе считывания цифровых данных. Это достигается за счет того, что в отличие от прототипа:In the inventive device, in comparison with the prototype, there is a significant reduction in power consumption, both in the process of analog-to-digital conversion, and in the process of reading digital data. This is achieved due to the fact that, unlike the prototype:
1. Компаратор напряжения в ячейке с аналогово-цифровым преобразованием срабатывает всего один раз за период кадра и, следовательно, снижаются требования к его быстродействию и потребляемой мощности.1. The voltage comparator in the cell with analog-to-digital conversion is triggered only once per frame period and, therefore, the requirements for its speed and power consumption are reduced.
2. Вывод цифровых данных из ячейки с аналогово-цифровым преобразованием осуществляется конвейерным способом, без применения мощных шинных буферов.2. The output of digital data from a cell with analog-to-digital conversion is carried out by the conveyor method, without the use of powerful bus buffers.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013152541/07U RU140347U1 (en) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | DEVICE WITH ANALOG-DIGITAL CONVERSION IN THE CELL OF THE PHOTO RECEPTION MATRIX OF THE IR RANGE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013152541/07U RU140347U1 (en) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | DEVICE WITH ANALOG-DIGITAL CONVERSION IN THE CELL OF THE PHOTO RECEPTION MATRIX OF THE IR RANGE |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU140347U1 true RU140347U1 (en) | 2014-05-10 |
Family
ID=50630047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013152541/07U RU140347U1 (en) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | DEVICE WITH ANALOG-DIGITAL CONVERSION IN THE CELL OF THE PHOTO RECEPTION MATRIX OF THE IR RANGE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU140347U1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2787954C1 (en) * | 2022-08-05 | 2023-01-13 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Device for analog-to-digital conversion of photocurrent into digital code |
-
2013
- 2013-11-26 RU RU2013152541/07U patent/RU140347U1/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2787954C1 (en) * | 2022-08-05 | 2023-01-13 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Device for analog-to-digital conversion of photocurrent into digital code |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10178336B2 (en) | Flexible readout and signal processing in a computational sensor array | |
US9197233B2 (en) | Low power ADC for high dynamic range integrating pixel arrays | |
US9749572B2 (en) | Read-out circuitry for an image sensor | |
US8111312B2 (en) | Solid-state imaging device, method of driving the same, and camera | |
CN111526306B (en) | Semiconductor device with single photon avalanche diode pixel | |
CN110049259B (en) | Image sensor readout circuit including analog-to-digital conversion and hybrid counter architecture | |
US9900538B2 (en) | Phase delay counting analog-to-digital converter circuitry | |
Zhong et al. | A fully dynamic multi-mode CMOS vision sensor with mixed-signal cooperative motion sensing and object segmentation for adaptive edge computing | |
CN107105177B (en) | Single photon avalanche photodiode time delay integral CMOS image sensor | |
US7436342B2 (en) | Numerical full well capacity extension for photo sensors with an integration capacitor in the readout circuit using two and four phase charge subtraction | |
US20150326242A1 (en) | Counter, analogue to digital converter including the counter and image sensing device including the analogue to digital converter | |
US10638074B1 (en) | High-speed data readout apparatus and CMOS image sensor using the same | |
US11626153B2 (en) | Low power static random-access memory | |
RU140347U1 (en) | DEVICE WITH ANALOG-DIGITAL CONVERSION IN THE CELL OF THE PHOTO RECEPTION MATRIX OF THE IR RANGE | |
US11785357B2 (en) | Image sensing device operatable in a plurality of modes | |
US10992309B1 (en) | Analog-to-digital converter including delay circuit and compensator, image sensor including the analog-to-digital converter, and method of operating the same | |
CN115508852A (en) | ToF system | |
CN112449134A (en) | Image sensor, address decoder, and image processing system | |
Liu et al. | A novel design of infrared focal plane array with digital read out interface | |
US11627273B2 (en) | Current steering ramp compensation scheme and digital circuit implementation | |
US10574927B1 (en) | Image sensor having analog-to-digital converter selectively enabling storage of count value, and analog-to-digital conversion method | |
KR102519712B1 (en) | Image sensor | |
Niu et al. | High-Speed Trace Detection DROIC for 15μm-Pitch Cryogenic Infrared FPAs | |
CN117784170A (en) | Planar array type time-of-flight laser radar sensor based on binary search and 4-tap phase detection | |
CN116015305A (en) | Low-power consumption single-slope ADC circuit based on clock locking |