RU123238U1 - TUNABLE INFRARED LASER - Google Patents
TUNABLE INFRARED LASER Download PDFInfo
- Publication number
- RU123238U1 RU123238U1 RU2012130955/28U RU2012130955U RU123238U1 RU 123238 U1 RU123238 U1 RU 123238U1 RU 2012130955/28 U RU2012130955/28 U RU 2012130955/28U RU 2012130955 U RU2012130955 U RU 2012130955U RU 123238 U1 RU123238 U1 RU 123238U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solid
- ions
- active elements
- state active
- embedded
- Prior art date
Links
Abstract
1. Перестраиваемый инфракрасный лазер, содержащий установленную в резонатор активную среду, состоящую, по крайней мере, из двух твердотельных активных элементов, отличающийся тем, что, по крайней мере, один из твердотельных активных элементов выполнен с внедренными в него ионами активации, отличными по химическому составу от ионов активации других активных элементов.2. Перестраиваемый инфракрасный лазер по п.1, отличающийся тем, что твердотельные активные элементы выполнены в виде кристаллической матрицы YAG с внедренными в нее ионами активатора неодима Ndи кристаллической матрицы YAP с внедренными в нее ионами активатора тулия Tm.3. Перестраиваемый инфракрасный лазер по п.2, отличающийся тем, что содержит твердотельный активный элемент, выполненный в виде кристаллической матрицы YVO с внедренными в нее ионами активатора эрбия Еr.1. A tunable infrared laser containing an active medium installed in a resonator, consisting of at least two solid-state active elements, characterized in that at least one of the solid-state active elements is made with embedded activation ions that differ in chemical composition from activation ions of other active elements. 2. A tunable infrared laser according to claim 1, characterized in that the solid-state active elements are made in the form of a YAG crystal matrix with embedded neodymium activator ions Nd and a YAP crystal matrix with thulium activator Tm ions embedded in it. A tunable infrared laser according to claim 2, characterized in that it contains a solid-state active element made in the form of a YVO crystal matrix with ions of the erbium activator Er embedded in it.
Description
Предлагаемая полезная модель относится к лазерной технике, а именно, к лазерам, генерирующим излучение с перестраиваемой длиной волны в ближнем инфракрасном диапазоне, и может быть использовано в промышленности, научном приборостроении, медицине и других областях хозяйственной деятельности.The proposed utility model relates to laser technology, namely, to lasers that generate radiation with a tunable wavelength in the near infrared range, and can be used in industry, scientific instrumentation, medicine and other areas of economic activity.
В связи с тем, что в ближней инфракрасной области расположены спектры поглощения многих химических веществ, устройства, реализующие перестраиваемое излучение в данном диапазоне, находят широкое применение в различных областях науки и техники.Due to the fact that the absorption spectra of many chemicals are located in the near infrared region, devices that realize tunable radiation in this range are widely used in various fields of science and technology.
Лазеры состоят из трех основных частей: активной среды, системы накачки и резонатора. Системы накачки или возбуждения могут быть различными - на основе оптических источников как с когерентным, так и с некогерентным излучением, на основе химических реакций, возбуждения электронными пучками и т.п. В случае оптической накачки необходимо согласование длины волны возбуждающего излучения со спектром поглощения активной среды. При накачке полупроводниковым лазером это достигается путем температурной настройки длины волны возбуждающего излучения на полосу поглощения активной среды. Пространственная ориентация возбуждающего излучения относительно резонатора также может быть различной: от продольной до поперечной.Lasers consist of three main parts: an active medium, a pump system, and a resonator. Pumping or excitation systems can be different - based on optical sources with both coherent and incoherent radiation, based on chemical reactions, excitation by electron beams, etc. In the case of optical pumping, it is necessary to match the wavelength of the exciting radiation with the absorption spectrum of the active medium. When pumped by a semiconductor laser, this is achieved by temperature tuning the wavelength of the exciting radiation to the absorption band of the active medium. The spatial orientation of the exciting radiation relative to the resonator can also be different: from longitudinal to transverse.
Как известно, получение лазерного перестраиваемого излучения в ближнем инфракрасном диапазоне сопряжено с техническими трудностями. Принципиально это решается путем нелинейного преобразования перестраиваемого излучения видимого диапазона в заданную спектральную область, а также путем поиска и создания активных сред, непосредственно генерирующих в этой области.As you know, getting laser tunable radiation in the near infrared range is associated with technical difficulties. Fundamentally, this is solved by non-linear transformation of tunable visible-range radiation into a given spectral region, as well as by searching and creating active media that directly generate in this region.
Известен перестраиваемый инфракрасный лазер, в котором полупроводниковый лазер накачки на длине волны 798 нм возбуждает два твердотельных активных элемента, в одном из них матрица представляет собой стекло, в другом - матрицей является кристалл ванадата, а ионами активации в обоих случаях служит неодим; при этом получено излучение на длинах волн 1054 нм и 1064 нм [1].A tunable infrared laser is known in which a semiconductor pump laser at a wavelength of 798 nm excites two solid-state active elements, in one of them the matrix is glass, in the other the matrix is a vanadate crystal, and the activation ion in both cases is neodymium; in this case, radiation was obtained at the wavelengths of 1054 nm and 1064 nm [1].
Наиболее близким к предложенному техническому решению является перестраиваемый инфракрасный лазер, выбранный в качестве прототипа [2]. Устройство содержит лазер накачки в ближнем инфракрасном диапазоне с возможностью температурной перестройки длины волны возбуждения, резонатор с расположенными внутри него двумя твердотельными активными элементами, состоящими из кристаллических матриц Sr5(VO4)3F и YVО4 и одинаковыми по химическому составу ионами активатора на основе неодима.Closest to the proposed technical solution is a tunable infrared laser, selected as a prototype [2]. The device contains a near-infrared pump laser with the possibility of temperature adjustment of the excitation wavelength, a resonator with two solid-state active elements located inside it, consisting of Sr 5 (VO 4 ) 3 F and YVО 4 crystalline matrices and activator ions with the same chemical composition based on neodymium.
Известное техническое решение направлено на увеличение эффективной полосы поглощения твердотельных активных элементов с целью сохранения коэффициента полезного действия всей системы при изменении длины волны возбуждающего лазера под действием температуры. В данной конструкции при изменении температуры лазера накачки, его длина волны менялась от 804 нм до 812 нм, а длина волны инфракрасного лазера - от 1064 нм до 1065 нм, при выходной мощности порядка 110 мВт, практически постоянной в указанном спектральном диапазоне. Нетрудно заметить, что перестройка длины волны инфракрасного лазера происходит в более длинноволновой области спектра по отношению к спектральной области длины волны лазера накачки. Малый диапазон перестройки длины волны излучения лазера, связан с тем, что ионы активатора в твердотельных активных элементах прототипа были одинаковы по химическому составу. Как известно, длина волны генерации, в главной степени, определяется положением энергетических уровней ионов активатора. В известной конструкции сдвиг энергетических уровней ионов активатора происходит за счет их внедрения в матрицы различной структуры. Таким образом, основной недостаток известной конструкции состоит в том, что она не обеспечивает перестройку длины волны инфракрасного излучения в широком спектральном диапазоне.Known technical solution is aimed at increasing the effective absorption band of solid-state active elements in order to maintain the efficiency of the entire system when the wavelength of the exciting laser changes under the influence of temperature. In this design, when the temperature of the pump laser was changed, its wavelength changed from 804 nm to 812 nm, and the infrared laser wavelength changed from 1064 nm to 1065 nm, with an output power of the order of 110 mW, which was practically constant in the indicated spectral range. It is easy to see that the tuning of the wavelength of the infrared laser occurs in the longer wavelength region of the spectrum with respect to the spectral region of the wavelength of the pump laser. A small range of adjustment of the wavelength of the laser radiation is due to the fact that the activator ions in the solid-state active elements of the prototype were the same in chemical composition. As is known, the generation wavelength is mainly determined by the position of the energy levels of the activator ions. In a known construction, a shift in the energy levels of activator ions occurs due to their incorporation into matrices of various structures. Thus, the main disadvantage of the known design is that it does not provide the adjustment of the wavelength of infrared radiation in a wide spectral range.
Задача, на решение которой направлена полезная модель, состоит в устранении указанного недостатка путем применения твердотельных активных элементов не только с отличными друг от друга матрицами, но и с различными ионами активатора.The problem to which the utility model is directed is to eliminate this drawback by using solid-state active elements not only with different matrices, but also with different activator ions.
При этом достигается технический результат, заключающийся в упрощении конструкции перестраиваемого инфракрасного лазера и увеличении его эффективности.This achieves the technical result, which consists in simplifying the design of the tunable infrared laser and increasing its efficiency.
Заявляемый перестраиваемый инфракрасный лазер, как и устройство, выбранное в качестве прототипа, содержит активную среду, установленную в резонатор, состоящую, по крайней мере, из двух активных твердотельных элементов. В отличие от прототипа в заявляемом лазере, по крайней мере, один из твердотельных активных элементов выполнен с внедренными в него ионами активатора, отличными по химическому составу от ионов активатора других активных элементов. В частности, в перестраиваемом инфракрасном лазере активная среда может состоять из твердотельных активных элементов, выполненных в виде кристаллической матрицы YAG, с внедренными в нее ионами активатора неодима Nd3+, и кристаллической матрицы YAP, с внедренными в нее ионами активатора тулия Tm3+. Активная среда также может содержать третий твердотельный активный элемент, выполненный в виде кристаллической матрицы YVO с внедренными в нее ионами активатора эрбия Er3+.The inventive tunable infrared laser, as well as the device selected as a prototype, contains an active medium installed in the resonator, consisting of at least two active solid state elements. In contrast to the prototype in the inventive laser, at least one of the solid-state active elements is made with embedded activator ions different in chemical composition from the activator ions of other active elements. In particular, in a tunable infrared laser, the active medium can consist of solid-state active elements made in the form of a YAG crystalline matrix with Nd 3+ neodymium activator ions embedded in it and a YAP crystalline matrix with Thulium Tm 3+ activator ions embedded in it. The active medium may also contain a third solid-state active element, made in the form of a YVO crystalline matrix with Er 3+ erbium activator ions embedded in it.
На фиг.1 представлено схематическое изображение варианта исполнения устройства перестраиваемого инфракрасного лазера. В данном конкретном случае лазер состоит из источника питания и управления 1, лазера накачки в ближнем инфракрасном диапазоне 2, зеркал резонатора 3, твердотельных активных элементов 4,5. Твердотельный активный элемент 4 выполнен с внедренными ионами активатора, отличными по химическому составу от ионов активатора твердотельного активного элемента 5, а именно: твердотельный активный элемент 4 выполнен с внедренными в него ионами активатора неодима Nd3+, твердотельный активный элемент 5 выполнен с внедренными в него ионами активатора тулия Тm3+ Помимо обеспечения заданного рабочего напряжения, с помощью источника питания и управления 1 осуществляется перестройка длины волны излучения лазера накачки 2 путем изменения его температуры, а также настройка на линии поглощения твердотельных активных элементов 4,5.Figure 1 presents a schematic illustration of an embodiment of a tunable infrared laser device. In this particular case, the laser consists of a power supply and control 1, a near-infrared pump laser 2, resonator mirrors 3, and solid-state active elements 4.5. The solid-state active element 4 is made with embedded activator ions different in chemical composition from the activator ions of the solid-state active element 5, namely: the solid-state active element 4 is made with Nd 3+ neodymium activator ions embedded in it, the solid-state active element 5 is made with embedded in it thulium activator ions Tm 3+ In addition to providing a given operating voltage, using the power source and control 1, the wavelength of the radiation of the pump laser 2 is tuned by changing its temperature temperature, as well as tuning on the absorption line of solid-state active elements 4,5.
Заявляемое устройство работает следующим образом. При включении источника питания и управления 1 на лазер накачки в ближнем инфракрасном диапазоне 2 подается напряжение и обеспечивается температура, при которой длина волны генерируемого им излучения соответствует выбранной полосе поглощения твердотельного активного элемента 4 или 5. Излучение от лазера накачки в ближнем инфракрасном диапазоне 2 проходит сквозь одно из зеркал резонатора 3 и возбуждает тот из твердотельных активных элементов 4,5, который поглощает излучение накачки. От выходного зеркала резонатора 3 возбуждающее излучение отражается обратно в активные элементы 4,5, тем самым, не смешиваясь с генерируемым излучением, и дополнительно возбуждая активную среду. Излучение возбужденного твердотельного активного элемента, отражаясь от зеркал резонатора 3, усиливается до наступления режима генерации и, пройдя сквозь выходное зеркало 3, распространяется в заданном направлении. При настройке лазера накачки в ближнем спектральном диапазоне 2 на другую полосу поглощения ионов активатора этого твердотельного активного элемента, либо на полосу поглощения ионов активатора второго твердотельного активного элемента, генерируется излучение на другой длине волны. Аналогичным образом последовательно возбуждаются другие лазерные переходы ионов активатора твердотельных активных элементов и, соответственно, генерируется излучение в инфракрасном диапазоне, обеспечивая перестройку в заданной спектральной области.The inventive device operates as follows. When the power supply and control 1 are turned on, a voltage is applied to the near-infrared pump laser 2 and a temperature is provided at which the wavelength of the radiation it generates corresponds to the selected absorption band of the solid-state active element 4 or 5. The radiation from the near-infrared pump laser 2 passes through one of the mirrors of the resonator 3 and excites that of the solid-state active elements 4,5, which absorbs pump radiation. From the output mirror of the resonator 3, the exciting radiation is reflected back into the active elements 4,5, thereby not mixing with the generated radiation, and additionally exciting the active medium. The radiation of the excited solid-state active element, reflected from the mirrors of the resonator 3, is amplified before the onset of the generation mode and, passing through the output mirror 3, propagates in a given direction. When the pump laser is tuned in the near spectral range 2 to another absorption band of the activator ions of this solid-state active element, or to the absorption band of the activator ions of the second solid-state active element, radiation at a different wavelength is generated. Similarly, other laser transitions of the activator ions of solid-state active elements are sequentially excited and, accordingly, radiation in the infrared range is generated, providing tuning in a given spectral region.
В данном конкретном случае, внедренные ионы неодима Nd3+ в кристаллическую матрицу YAG обладают полосами поглощения в районе длин волн 796 нм, 805 нм, 809 нм и твердотельный активный элемент 4 генерировал излучение на длинах волн: 946 нм, 1064 нм, 1320 нм, 1444 нм. Аналогично: внедренные ионы тулия Тm3+ в кристаллическую матрицу YAP обладают полосами поглощения в районе длин волн 793 нм, 799 нм, 803 нм - генерация наблюдалась на длинах волн 1930 нм, 1970 нм, 1990 нм.In this particular case, the embedded Nd 3+ neodymium ions in the YAG crystal matrix have absorption bands in the region of wavelengths of 796 nm, 805 nm, 809 nm and the solid-state active element 4 generated radiation at wavelengths: 946 nm, 1064 nm, 1320 nm, 1444 nm. Similarly: embedded thulium ions Tm 3+ in the YAP crystal matrix have absorption bands in the region of wavelengths of 793 nm, 799 nm, 803 nm - generation was observed at wavelengths of 1930 nm, 1970 nm, 1990 nm.
Известно, что внедренные ионы эрбия Еr3+ в кристаллическую матрицу YVO обладают полосами поглощения в районе длин волн 798 нм, 802 нм, 803 нм, 810 нм - генерация наблюдается в диапазонах длин волн 1480-1600 нм и 2600-2900 нм [3].It is known that the introduced erbium Er 3+ ions in the YVO crystal matrix have absorption bands in the region of wavelengths of 798 nm, 802 nm, 803 nm, 810 nm - generation is observed in the wavelength ranges of 1480-1600 nm and 2600-2900 nm [3] .
Таким образом, одним из условий успешной реализации заявляемого устройства является наличие близко расположенных по спектру линий поглощения ионов активатора. Анализ схем уровней трехвалентных ионов редкоземельных элементов показывает [4], что у ряда ионов имеются близко сгруппированные уровни лазерных переходов, причем спектральные лини поглощения, используемые для лазерной накачки этих ионов, сосредоточены в достаточно узком спектральном диапазоне.Thus, one of the conditions for the successful implementation of the claimed device is the presence of closely located along the spectrum of the absorption lines of the ions of the activator. An analysis of the levels of trivalent ions of rare-earth elements shows [4] that a number of ions have closely grouped levels of laser transitions, and the spectral absorption lines used for laser pumping of these ions are concentrated in a rather narrow spectral range.
Например, один из этих диапазонов, обеспечиваемых температурной перестройкой лазеров накачки, находится в области 785 нм - 810 нм. В этом спектральном диапазоне расположены линии поглощения ионов редкоземельных активных элементов Er3+, Tm3+, Nd3+, Dy3+, длины волн генерации которых занимают широкий спектральный диапазон - от 900 нм до 3000 нм.For example, one of these ranges provided by the temperature tuning of the pump lasers is in the range of 785 nm - 810 nm. In this spectral range, there are absorption lines of ions of the rare-earth active elements Er 3+ , Tm 3+ , Nd 3+ , Dy 3+ , the generation wavelengths of which occupy a wide spectral range from 900 nm to 3000 nm.
Другой спектральный диапазон, обеспечиваемый температурной перестройкой лазеров накачки, находится в области 955 нм - 973 нм, в котором близко располагаются линии поглощения ионов Yb3+ и Еr3+ Соответствующий спектральный диапазон генерации этих ионов - от 1030 нм до 3000 нм.Another spectral range provided by the temperature tuning of the pump lasers is in the region of 955 nm - 973 nm, in which the absorption lines of Yb 3+ and Er 3+ ions are closely located.The corresponding spectral range of generation of these ions is from 1030 nm to 3000 nm.
Таким образом, для реализации заявленного устройства и решения поставленной задачи необходимо подобрать комбинацию нескольких твердотельных активных элементов, выполненных с внедренными в них различными ионами активатора. Твердотельные активные элементы из этой комбинации должны удовлетворять условиям возбуждения с помощью лазера в ближнем инфракрасном диапазоне и обладать минимальными потерями на длинах волн генерации. При этом использование в перестраиваемом инфракрасном лазере активной среды, состоящей из комбинации нескольких твердотельных активных элементов, приводит к техническому результату, выражающемуся в упрощении его конструкции и увеличении эффективности.Thus, to implement the claimed device and solve the problem, it is necessary to choose a combination of several solid-state active elements made with various activator ions embedded in them. Solid-state active elements from this combination must satisfy the conditions of excitation with a laser in the near infrared range and have minimal losses at the generation wavelengths. The use of an active medium in a tunable infrared laser, consisting of a combination of several solid-state active elements, leads to a technical result, which is expressed in simplifying its design and increasing efficiency.
Следует учитывать, что в зависимости от условий возбуждения и конкретной комбинации твердотельных активных элементов возможна одновременная генерация излучения на нескольких длинах волн. В этом случае, применяя известные методы селекции излучения с помощью дисперсионных элементов, генерация на нежелательных длинах волн подавляется.It should be noted that depending on the excitation conditions and the specific combination of solid-state active elements, simultaneous generation of radiation at several wavelengths is possible. In this case, using known methods of radiation selection using dispersion elements, generation at undesirable wavelengths is suppressed.
Кроме указанного результата практическое осуществление заявленной полезной модели позволяет расширить возможности ее использования применительно к тем областям, где необходимо исследовать или воздействовать на вещество излучением инфракрасного диапазона.In addition to the specified result, the practical implementation of the claimed utility model allows to expand the possibilities of its use in relation to those areas where it is necessary to study or act on a substance with infrared radiation.
Промышленная применимость заявляемого решения подтверждается возможностью его многократного воспроизведения в процессе изготовления. Перестраиваемый инфракрасный лазер разработан для серийного изготовления в условиях промышленного производства с использованием стандартного оборудования и технологии.The industrial applicability of the proposed solution is confirmed by the possibility of its multiple reproduction in the manufacturing process. The tunable infrared laser is designed for serial production in industrial production using standard equipment and technology.
ЛитератураLiterature
1. OSA TOPS Vol.10 Advanced Solid State Lasers, 1997.1. OSA TOPS Vol. 10 Advanced Solid State Lasers, 1997.
2. Jpn. J. Appl. Phys. Vol.39 (2000), 468-470.2. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39 (2000), 468-470.
3. Erbium-Laser-Based Infrared Sources. ARPA Solid State Laser and Nonlinear Materials Program, 1994, p.33, fig.26. Prepared by: Research Division, Inc. 45 Winthrop Street Concord, MA 01742<19950110 019.3. Erbium-Laser-Based Infrared Sources. ARPA Solid State Laser and Nonlinear Materials Program, 1994, p. 33, fig. 26. Prepared by: Research Division, Inc. 45 Winthrop Street Concord, MA 01742 <19950110 019.
4. «Справочник по лазерам» под редакцией А.М.Прохорова, том 1, часть 2, стр.283, рис.12.4., Изд. Москва «Советское радио» 1978.4. "Handbook of Lasers" edited by A. M. Prokhorov, Volume 1, Part 2, p. 283, Fig. 12.4., Ed. Moscow "Soviet Radio" 1978.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012130955/28U RU123238U1 (en) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | TUNABLE INFRARED LASER |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012130955/28U RU123238U1 (en) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | TUNABLE INFRARED LASER |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU123238U1 true RU123238U1 (en) | 2012-12-20 |
Family
ID=49257099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012130955/28U RU123238U1 (en) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | TUNABLE INFRARED LASER |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU123238U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU177282U1 (en) * | 2017-12-05 | 2018-02-15 | Булат Малихович Абдрашитов | Laser cooling device |
-
2012
- 2012-07-20 RU RU2012130955/28U patent/RU123238U1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU177282U1 (en) * | 2017-12-05 | 2018-02-15 | Булат Малихович Абдрашитов | Laser cooling device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Carrig | Transition-metal-doped chalcogenide lasers | |
| Nicolas et al. | Potentiality of Pr3+-and Pr3++ Ce3+-doped crystals for tunable UV upconversion lasers | |
| Guillemot et al. | Watt-level mid-infrared continuous-wave Tm: YAG laser operating on the 3H4→ 3H5 transition | |
| Aka et al. | Self-frequency conversion in nonlinear laser crystals | |
| You et al. | Diode-end-pumped midinfrared multiwavelength Er: Pr: GGG laser | |
| Ding et al. | Highly efficient Raman frequency converter with strontium tungstate crystal | |
| Šulc et al. | Nd: SrWO4 and Nd: BaWO4 Raman lasers | |
| Basiev et al. | Colour centre lasers | |
| RU123238U1 (en) | TUNABLE INFRARED LASER | |
| US7046710B2 (en) | Gain boost with synchronized multiple wavelength pumping in a solid-state laser | |
| Sennaroglu et al. | Concentration dependence of fluorescence and lasing efficiency in Cr2+: ZnSe lasers | |
| Basiev et al. | Lasing properties of selectively pumped Raman-active Nd3+-doped molybdate and tungstate crystals | |
| Li et al. | Passively Q-switched laser action of Yb: LaCa 4 O (BO 3) 3 crystal at 1.07–1.08 μm induced by 2D Bi 2 Te 3 topological insulator | |
| Zhao et al. | Efficient tri-wavelength actively Q-switched Yb: GAGG laser | |
| Lan et al. | New continuous-wave and Q-switched eye-safe Nd: YAG lasers at 1.4 μm spectral region | |
| Mirov et al. | Progress in color center lasers | |
| Tarabrin et al. | Tunable CW solid-state Mid-IR Cr2+: CdSe single crystal laser with diode laser array pumping | |
| Zhou et al. | Continuous wave dual-wavelength Nd: YVO 4 laser working at 1064 and 1066 nm | |
| Xu et al. | A new wavelength laser at 1370 nm generated by Nd: YLF crystal | |
| Ma et al. | A diode-pumped Cr4+: YAG passively Q-switched Nd: GdTaO4 laser | |
| CN106299986A (en) | A kind of all-fiber wavelength passive Q-adjusted mid-infrared fiber laser of optional dual wavelength | |
| Tovey et al. | CO 2 Laser Optically Pumped by a Tunable 4.3 μm Laser Source | |
| Wagner et al. | High-efficiency, broadly tunable continuous-wave Cr2+: ZnSe laser | |
| Vlasov et al. | New possibilities of neodymium-doped vanadate crystals as active media for diode-pumped lasers | |
| Sirotkin et al. | Control of spectral parameters in vanadate lasers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20130721 |