RU116693U1 - Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах - Google Patents
Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах Download PDFInfo
- Publication number
- RU116693U1 RU116693U1 RU2011151030/28U RU2011151030U RU116693U1 RU 116693 U1 RU116693 U1 RU 116693U1 RU 2011151030/28 U RU2011151030/28 U RU 2011151030/28U RU 2011151030 U RU2011151030 U RU 2011151030U RU 116693 U1 RU116693 U1 RU 116693U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- leds
- temperature
- light sources
- semiconductor light
- lighting devices
- Prior art date
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах, содержащее оптическое волокно и спектральный фотоприемник, отличающееся тем, что оно снабжено трафаретом, выполненным из непрозрачного для оптического излучения материала, в котором имеется система отверстий с диаметром, равным диаметру оптического волокна, причем координаты этих отверстий совпадают с координатами расположения светодиодов в осветительном устройстве.
Description
Температура полупроводниковых источников света является важнейшим параметром, определяющим как надежность осветительных устройств, так и стабильность их основных эксплуатационных характеристик: светоотдачи, цветопередачи и цветовой температуры [1]. В настоящее время конструкция осветительных светодиодных устройств (СУ) на полупроводниковых источниках света состоит из множества светодиодов (СД): от 10 до 100 штук, смонтированных в определенной последовательности в виде матриц на печатной или теплопроводящей изолирующей плате. СД могут быть как в виде отдельных кристаллов (чипов), так и кристаллов собранных в керамическом или пластмассовом корпусе. Электрическая мощность, подаваемая на СД, имеет величину от 0,1 до 10 Вт, при этом температура кристалла может достигать величины от 50°С до 150°С. Температура в 150°С является предельной рабочей температурой СД, поэтому важнейшей задачей в производстве и эксплуатации осветительных устройств на СД является контроль температуры кристалла. Температура кристалла определяется не только свойствами и конструкцией самого кристалла, но и способом крепления и его охлаждением в осветительном устройстве. Любые отклонения в технологии сборки СУ могут привести к выпуску бракованного изделия. Поэтому обязательной операцией при производстве СУ является 100% контроль качества крепления по температуре кристалла. При производстве полупроводниковых изделий для контроля температуры используют устройства, принцип работы которых основан на регистрации прямого падения напряжения на p-n переходе СД [2]. Однако подобные устройства малопригодны для измерения температуры СД в СУ, поскольку все СД объединяются в одну электрическую схему с чередованием параллельного и последовательного их включения.
В этом случае более эффективным является использование устройств измеряющих температуру кристалла путем регистрации теплового инфракрасного излучения [2]. Но в случае, когда на поверхности кристалла нанесен слой светопреобразующего люминофора, или сформирована линза, фокусирующая излучение, применение этих устройств затруднено. Поэтому наиболее эффективным для контроля температуры СД в СУ является применение устройств, измеряющих ее путем регистрации температурной зависимости длины волны излучения СД [1].
Полезная модель относится к технической области, связанной с измерением температурной зависимости длины волны излучения, и может быть использована для измерения температуры в полупроводниковых источниках света.
Ближайшим аналогом предлагаемого устройства является оптический зонд [3], содержащий оптическое волокно, спектрометрический фотоприемник и систему перемещения волокна над контролируемым объектом. Недостатком данного устройства является низкая точность совмещения волокна с кристаллом СД и влияние излучения расположенных рядом СД на результат измерения.
Целью данной полезной модели является повышение точности измерения.
Поставленная цель достигается конструктивным изменением места расположения оптического волокна относительно кристалла. В предложенном устройстве (фиг.1, 2), оптическое волокно - 3, передающее оптическое излучение от светодиода к спектрометрическому приемнику типа USB2000, стыкуется со светодиодом через шаблон с координатными отверстиями - 2, каждое отверстие которого подходит непосредственно к СД - 1. Таким образом, устраняется перемещение шаблона и оптического волокна над контролируемыми СД. С целью уменьшения влияния излучения ближайших светодиодов на результаты измерения излучения конкретного светодиода, шаблон изготавливают из непрозрачного и плохо отражающего световое излучение материала, например текстолита.
Пример реализации устройства для измерения температуры СД в светильнике, производства ОАО НИИПП мощностью 36 Вт. Светильник представляет собой прямоугольную матрицу из 36 СД размером 70×70 мм. СД белого света типа КИПД154А в корпусе К2 расположены на плате с шагом 10 мм. Для измерения температуры каждого светодиода из текстолита толщиной 5 мм изготовлен шаблон, в котором с шагом 10 мм выполнены отверстия диаметром 2 мм. Шаблон накладывается на светильник сверху таким образом, чтобы световыводящая линза СД располагалась непосредственно перед отверстием в шаблоне. При измерении температуры наконечник световода диаметром 2 мм от спектрометрометрического приемника типа USB-2000 поочередно вставляется в отверстия шаблона. Температура светодиода определяется по положению основного пика излучения СД на нитриде галлия при длине волны 460-470 нм по известным формулам [3]. Измерение температуры СД позволяет выявить дефекты сборки и потенциально ненадежные СД.
Источники информации, использованные при составлении описания полезной модели:
1. Ф. Шуберт // Светодиоды. М.: Физматлит.2008
2. О.П. Глудкин, В.Н. Черняев // Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. М.: Энергия. 1980
3. А.Н. Магунов // Лазерная термометрия твердых тел. М.: Физматлит. 2002
Claims (1)
- Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах, содержащее оптическое волокно и спектральный фотоприемник, отличающееся тем, что оно снабжено трафаретом, выполненным из непрозрачного для оптического излучения материала, в котором имеется система отверстий с диаметром, равным диаметру оптического волокна, причем координаты этих отверстий совпадают с координатами расположения светодиодов в осветительном устройстве.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011151030/28U RU116693U1 (ru) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011151030/28U RU116693U1 (ru) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU116693U1 true RU116693U1 (ru) | 2012-05-27 |
Family
ID=46232226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011151030/28U RU116693U1 (ru) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU116693U1 (ru) |
-
2011
- 2011-12-14 RU RU2011151030/28U patent/RU116693U1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103411702B (zh) | 利用峰值波长移位法非接触测量白光led结温的装置 | |
Bürmen et al. | LED light sources: a survey of quality-affecting factors and methods for their assessment | |
EP2080417A1 (en) | Light-emitting element light source and temperature management system therefor | |
CN102072783B (zh) | Led结温测试方法 | |
CN103234656B (zh) | 一种发光二极管结温的测量方法 | |
KR20100040941A (ko) | 고상 조명 디스플레이들에서 온도 유도된 색상 이동의 정정 | |
CN101701854A (zh) | 一种检测led灯具芯片结温的方法 | |
CN101614592A (zh) | 一种led照明灯具中芯片结温的检测方法 | |
CN107024648A (zh) | 基于脉冲法的led结温测量装置及方法 | |
CN105185889A (zh) | 全裸晶封装可调光光电一体led照明组件及制造工艺 | |
CN104076296A (zh) | 一种led信号灯发光板的测试方法及测试装置 | |
CN102062674A (zh) | 半导体照明产品散热性能的非接触检测方法及装置 | |
TWI392882B (zh) | 二極體晶片的量測裝置及量測方法 | |
CN203376143U (zh) | Led灯温度特性检测装置 | |
RU116693U1 (ru) | Устройство для измерения температуры полупроводниковых источников света в осветительных устройствах | |
US9131559B2 (en) | Heat dissipating method for light emitting diode and lighting device using same | |
KR20130023422A (ko) | 엘이디 테스트 시스템 및 엘이디 테스트 방법 | |
Czyżewski | Investigation of COB LED luminance distribution | |
CN101782624B (zh) | 固态发光元件模块规格估算的方法及系统 | |
Tabaka et al. | Measurements of electric, photometric and colorimetric parameters of LED using at different ambient temperatures | |
CN205670077U (zh) | 一种基于光纤光谱仪的led快速光色检测装置 | |
CN201221714Y (zh) | 激光设备中摄像头的背光源 | |
CN105301467A (zh) | 一种检测led模组与led灯具热适配性的方法 | |
CN110823532A (zh) | 基于led相对光谱随温度变化的结温测试方法 | |
Todorov et al. | A study on thermal performance of LED signal heads using infrared thermography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB1K | Licence on use of utility model |
Free format text: LICENCE Effective date: 20130211 |
|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20161215 |