PL96706B1 - Powielacz czestotliwosci zwlaszcza do wspolpracy z ukladami logicznymi - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest powielacz czestotliwosci zwlaszcza do wspólpracy z ukladami logicznymi, wykonany w postaci rezonansowego wzmacniacza tranzystorowego i stosowany w ukladach syntezy czestotli¬ wosci.Wznanym powielaczu czestotliwosci równolegly obwód rezonansowy wlaczony jest w obwód kolektora tranzystora wzmacniajacego, którego baza polaczona jest ze zródlem napiecia sterujacego powielaczem a emiter polaczony jest z bramka logiczna poprzez uklad formujacy, który zawiera czlon dopasowujacy impedancje oraz klucz tranzystorowy albo przerzutnik Schmitta. Na baze tranzystora wzmacniajacego podawane jest napiecie sterujace o czestotliwosci podstawowej, natomiast obwód rezonansowy nastrojony jest na zadana wielokrotnosc czestotliwosci tego napiecia sterujacego. Uklad formujacy ksztaltuje napiecie wyjsciowe powielacza w postac fali prostokatnej, co jest niezbedne do wspólpracy powielacza z ukladami logicznymi.W powielaczu tym brak jest prostego sposobu regulacji szerokosci impulsów fali prostokatnej napiecia wyjsciowego i kluczowania tego napiecia. Ponadto wymagane sa co najmniej dwa rózne co do wielkosci napiecia, z których wieksze przeznaczone jest do zasilania wzmacniacza rezonansowego a mniejsze do zasilania ukladów logicznych. Koniecznosc stosowania ukladu formujacego zwieksza koszt wykonania powielacza.Istota powielacza wedlug wynalazku jest to, ze równolegly obwód rezonansowy, zlozony z indukcyjnosci i dzielonej pojemnosci nastrojony na czestotliwosc napiecia sterujacego powielaczem, wlaczony jest w obwód bazy tranzystora wzmacniajacego, którego emiter polaczony jest bezposrednio z wejsciem sterujacym bramki logicznej, przy czym zródlo napiecia polaryzujacego baze tranzystora wlaczone jest w obwód bazy tego tranzys¬ tora poprzez wymieniony, równolegly obwód rezonansowy.Wynalazek umozliwia formowanie napiecia wyjsciowego powielacza do postaci fali prostokatnej, o unormo¬ wanych dla danego typu elementów logicznych wartosciach amplitudy, za pomoca znacznie mniejszej liczby elementów niz w znanych ukladach powielaczy. Wynika to z braku koniecznosci stosowania rozbudowanego ukladu formujacego oraz ukladu dopasowujacego impedancje. Zaleta powielacza jest prosty sposób regulacji2 96 706 szerokosci impulsów napiecia wyjsciowego, polegajacy na zmianie polaryzacji bazy tranzystora wzmacniajacego, jak równiez mozliwosc wykorzystania dodatkowego wejscia bramki logicznej do modulacji napiecia wyjsciowego powielacza poprzez kluczowanie. Ponadto powielacz wymaga tylko jednego zródla napiecia zasilajacego.Powielacz wedlug wynalazku uwidoczniono w przykladzie wykonania na rysunku przedstawiajacym jego schemat ideowy.Równolegly obwód rezonansowy wlaczony jest w obwód bazy tranzystora wzmacniajacego T. W jednej galezi tego obwodu rezonansowego znajduje sie indukcyjnosc L, a w drugiej dwie szeregowo polaczone pojem¬ nosci Cl 1C2. Pierwsza pojemnosc Cl jest mniejsza od pojemnosci drugiej C2. Wspólny punkt PI tych pojem¬ nosci polaczony jest poprzez rezystor Rl ze zródlem napiecia Us sterujacego powielaczem. Wspólny punkt P2 indukcyjnosci L i mniejszej pojemnosci Cl polaczony jest z baza tranzystora T. Punkt wspólny P4 indukcyjnosci Li wiekszej pojemnosci C2, oznaczony równiez jako punkt P3, polaczony jest ze zródlem napiecia Ub polaryzu¬ jacego baze tranzystora T oraz, poprzez pojemnosc C3, z z potencjalem ziemi Z. Emiter tranzystora T polaczony jest bezposrednio z wejsciem sterujacym a bramki logicznej G oraz, poprzez rezystor R2, z potencjalem ziemi Z.Pomiedzy wejscie modulujace b bramki logicznej G a potencjal ziemi Z wlaczone jest zródlo napiecia Urn modulujacego napiecie wyjsciowe powielacza. Kolektor tranzystora T polaczony jest bezposrednio ze zródlem napiecia Uk zasilajacego powielacz.Napiecie sterujace Us powielacza, posiadajace postac ciagu impulsów prostokatnych i zawierajace skladowa zmienna o czestotliwosci bliskiej rezonansowej, podaje sie na wejscie We powielacza, poprzez umieszczony w ba¬ zie tranzystora wzmacniajacego T równolegly obwód rezonansowy. Dzieki temu na bazie tranzystora T pojawia sie napiecie sinusoidalne o zwielokrotnionej czestotliwosci. Po zalaczeniu napiecia Uk zasilajacego powielacz i napiecia Ub polaryzujacego baze tranzystora T, na rezystorze R2 pojawia sie napiecie sterujace wejsciem sterujacym a bramki logicznej G.Tranzystor T zapewnia separacje i dopasowanie impedancji pomiedzy obwodem rezonansowym a wejsciem bramki logicznej G. Na wyjsciu c bramki logbznej G, stanowiacym wyjscie Wy powielacza pojawia sie napiecie wyjsciowe Uw powielacza. Ma ono postac ciagu impulsów prostokatnych o amplitudzie uzaleznionej od ukladu elektrycznego bramki G i szerokosciach impulsów wspólzaleznych od napiecia Ub polaryzujacego baze tranzys¬ tora T.Napiecie Um, modulujace napiecie wyjsciowe Uw powielacza, ma postac impulsów prostokatnych o czasie trwania znacznie wiekszym niz czas trwania impulsów napiecia wyjsciowego Uw. Podanie tego napiecia na wejscie modulujace b bramki G umozliwia kluczowanie napiecia wyjsciowego Uw powielacza. PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Powielacz czestotliwosci, zwlaszcza do wspólpracy z ukladami logicznymi, posiadajacy równolegly obwód rezonansowy zlozony z indukcyjnosci i dzielonej pojemnosci nastrojony na wielokrotnosc czestotliwosci napiecia sterujacego powielaczem z wykorzystaniem wtórnika emiterowego jako wzmacniacza oraz typowej, tranzystorowej bramki logicznej, znamienny t y m, ze równolegly obwód rezonansowy wlaczony jest w obwód bazy tranzystora wzmacniajacego (T), którego emiter polaczony jest bezposrednio z wejsciem steruja¬ cym (a) bramki logicznej (G), przy czym zródlo napiecia (Ub) polaryzujacego baze tranzystora (T) wlaczone jest w obwód bazy tego tranzystora (T), poprzez wymieniony równolegly obwód rezonansowy.
2. 2. Powielacz wedlug zastrz. 1, znamienny t y m, ze baza tranzystora (T) polaczona jest poprzez indukcyjnosc (L) i pojemnosc (C3) z potencjalem ziemi (Z), a równolegle do indukcyjnosci (L) przylaczona jest galaz zlozona z mniejszej pojemnosci (Cl) i wiekszej pojemnosci (C2), przy czym wspólny punkt (PI) tych pojemnosci (Cl) i (C2) polaczony jest poprzez rezystor (Rl) ze zródlem napiecia (Us) sterujacego powielaczem, a wspólny punkt (P4) indukcyjnosci (L) i wiekszej pojemnosci (C2) polaczony jest ze zródlem napiecia (Ub) polaryzujacego baze tranzystora (T).
3. 3. Powielacz wedlug zastrz. 1,znamienny tym, ze pomiedzy dodatkowe wejscie sterujace (b) bram¬ ki logicznej (G) a potencjal ziemi (Z) wlaczone jest zródlo napiecia (Um) modulujacego napiecie wyjsciowe (Uw) powielacza.96 706 0— Us Ri Pi nP2 €) PL