Przedmiotem wynalazku jest filtr pasmowo-za¬ porowy, zbudowany w oparciu o prowadnice falo¬ wa typu TEM i rezonatory dielektryczne, przezna¬ czony do pracy w zakresie czestotliwosci 1 GHz do 100 GHz.Filtr pasmowo-zaporowy przeznaczony do pracy w pasmach mikrofalowych sklada sie zazwyczaj z odcinka prowadnicy falowej, z którym w pew¬ nych odstepach od siebie sa sprzezone rezonatory mikrofalowe. Rezonatory te dla pewnego pasma czestotliwosci zwanego pasmem zaporowym, od¬ bijaja czesc energii fali elektromagnetycznej pro¬ wadzonej przez linie w sposób zalezny od czesto¬ tliwosci rezonansowych, dobroci nieobciazonych i wspólczynnika sprzezenia z linia, natomiast nie zaklócaja przeplywu energii fali elektromagnetycz¬ nej dla czestotliwosci nie zawartych w tym pa¬ smie.W znanych konstrukcjach filtrów zbudowanych w oparciu o linie TEM, skladajaca sie z dwóch równoleglych plaszczyzn przewodzacych i umiesz¬ czonego miedzy nimi metalowego przewodu wew¬ netrznego, wymienione rezonatory sa odcinkami li¬ nii TEM zwartymi, lub rozawrtymi na jednym, lub na obu koncach, a ich sprzezenie z linia za¬ lezy od wzajemnego polozenia przewodu wewnetrz¬ nego linii i przewodu wewnetrznego rezonatora.Ilosc rezonatorów, ich czestotliwosci rezonansowe, wzajemne odleglosci pomiedzy rezonatorami, impe- dencje charakterystyczne odcinków linii sa okre- slone poprzez zadane parametry filtru i wynika¬ ja z przyjetej metody syntezy.Maksymalne mozliwe do uzyskania tlumienie w pasmie zaporowym zalezy bezposrednio od dobro¬ ci uzytych rezonatorów. Filtry tego typu posia¬ daja szereg wad. Rezonatory o dobroci nieobcia- zonej wiekszej od 100 sa bardzo skomplikowane mechanicznie, a tym samym sa kosztowne w wyko¬ naniu. Strojenie tych rezonatorów jest utrudnione, a regulacja polozenia rezonatorów wzgledem prze¬ wodu srodkowego linii, lub wzgledem siebie jest w wiekszosci konstrukcji niemozliwa jak, na przy¬ klad, w wypadku linii paskowej, wykonanej tech¬ nika obwodów drukowanych.Celem wynalazku jest opracowanie filtru pasmo- wo-zaporowego przeznaczonego do pracy w pas¬ mach mikrofalowych charakteryzujacego si'e: lat¬ woscia regulacji czestotliwosci poszczególnych re¬ zonatorów filtru, latwoscia regulacji wspólczynni¬ ków sprzezenia rezonatorów z linia TEM, latwo¬ scia regulacji wzajemnego polozenia rezonatorów wzgledem siebie oraz duzym tlumieniem w pasmie zaporowym.Istota wynalazku polega na umieszczeniu w li¬ nii TEM, zbudowanej z plaszczyzn przewodzacych równoleglych i umieszczonego miedzy nimi prze¬ wodu metalowego wewnetrznego, conajmniej dwu ksztaltek dielektrycznych o przehikalnosci wiek¬ szej od 9 i tangensie kata strat mniejszym od 1.10-3, uformowanym w ksztalcie walca, prostopad- 95 9853 95985 loscianu, lub rury cylindrycznej i umieszczonych plaszczyznami podstaw równolegle do plaszczyzn przewodzacych linii TEM w dowolner odleglosci od tych plaszczyzn.Przedmiot wynalazku jest odtworzony w przy- 5 kladach wykonania na rysunku, na którym: fig. 1 przedstawia filtr pasmowo-zaporowy zbudowany w oparciu o linie TEM posiadajaca przewód wewne¬ trzny 1 o przekroju kolowym i trzy ksztaltki die¬ lektryczne 2, 3 i 4 uformowane w ksztalcie walca 10 i umieszczone tak, ze plaszczyzny podstaw tych ksztaltek sa równolegle do plaszczyzn przewodza¬ cych 6 i 14 linii TEM; a fig. 2 — przekrój po¬ przeczny wzdluz plaszczyzny 5—5, fig. 3 — filtr zbudowany w oparciu o niesymetryczna linie pas- 15 kowa i trzy ksztaltki dielektryczne 21, 22 i 23 uformowane w ksztalcie walca; a fig. 4 jego prze¬ krój poprzeczny? wzdluz plaszczyzny 24—24.Próbka 2 jest przymocowana do preta 7 wyko¬ nanego z polistyrenu, zamocowanego do metalowe- 20 go preta 8 umieszczonego w otworze wykonanym w uchwycie 9.Polozenie uchwytu 9 wzdluz linii reguluje sie mocujac go w okreslonej odleglosci sruba 10. Po¬ lozenie preta 8 wzgledem uchwytu 10 reguluje sie 25 za pomoca pokretla 11, zmniejszajac tym samym polozenie ksztaltki 2 wzgledem przewodu wewne¬ trznego Linii 1, co jest równoznaczne ze zmiana wspólczynnika sprzezenia z linia TEM rezonatora utworzonego przez ksztaltke 1 i plaszczyzny meta- 30 lowe 6, 14. Ksztaltki 3 i 4 sa umieszczone w linii TEM w sposób identyczny jak ksztaltka 1. Wejscie i wyjscie filtru stanowia dwa gniazda wspólosiowe 12, 13 typu N. srednica przewodu wewnetrznego 1 wynosi 6 m, a odleglosc wzajemna plaszczyzn me- 35 talowych 6 i 14 wynosi 11 mm. Ksztaltki dielek¬ tryka 2, 3 i 4 sa wykonane z ceramiki o przeni- kalnosci wzglednej równej 22,9 i tangensie kata strat równym 6 • 10-4, przy czym te wartosci zmie¬ rzono w pasmie X. Próbki 2, 3, 4 posiadaja sred- . 40 nice 5,96 mm i dlugosc 4.04. Czestotliwosc rezonan¬ sowa utworzonych przez ksztaltki 2, 3 i 4 przez plaszczyzny metalowe 6, 14 rezonatorów mikrofalo¬ wych pracujacy w rodzaju TE010 wynosila 9,72 GHz. Zmiana polozenia ksztaltki 1 za pomoca 45 pokretla 11 pozwala na zmiane wspólczynnika sprzezenia rezonatora z linia od 0 do 14. Dobroc nieobciazona rezonatora wynosila 1500.Regulacja polozenia ksztaltek 2, 3 i 4 pozwala na uzyskanie róznych charakterystyk filtru pasmowo- 50 -zaporowego. Dla przykladu filtr o charakterysty¬ ce równomiernie falistej o nierównomiernosci tlu¬ mienia w pasmie przenoszenia 05 dB i" o szeroko¬ sci pasma 77 MHz posiadal maksymalne tlumienie w pasmie zaporowym 60 dB. Wzgledna stalosc cze¬ stotliwosci rezonansowej poszczególnych rezonato¬ rów filtru byla mniejsza od 50 • 10_6/°C. Zasto¬ sowanie innych materialów dielektrycznych do wy¬ konania ksztaltek dielektrycznych pozwala z la¬ twoscia na uzyskanie wzglednej stalosci czestotli¬ wosci rezonatorów rzedu 10. • 10_6/°C.W drugim przykladzie wykonania metalowy pa¬ sek 25 o szerokosci 0.7 mm, bedacy przewodem wewnetrznym linii TEM, jest wykonany technika fotolitograficzna na jednej stronie plytki 26 o wy¬ miarach 50X20X0,7 mm wykonanej z ceramiki A1203.Druga strona plytki 26 jest calkowicie pokryta me¬ talem i tworzy jedna z plaszczyzn przewodzacych linii TEM. Plytka 26 jest przylutowana do korpusu 27, do którego jest przykrecana plytka metalowa 28 tworzaca druga plaszczyzne przewodzaca linii TEM. Ksztaltki dielektryczne 21, 22 i 23 w ksztal¬ cie walca sa umieszczone na plytce 26.Wymiary ksztaltek 21, 22 i 23, ich odleglosci od siebie oraz od przewodu wewnetrznego linii 25 za¬ leza od wyboru charakterystyki filtru, materialu z którego ksztaltki sa wykonane i od wyboru roz¬ kladu pola w rezonatorze dielektrycznym. Najbar¬ dziej przydatny jest ksztalt linii sil 29 z punktu widzenia konstrukcji filtrów pasmowo-zaporowych rodzaju TEqi. Wkret 30 umieszczony w plytce me¬ talowej 28 pozwala na regulacje czestotliwosci re¬ zonansowej rezonatora utworzonego przez ksztaltke dielektryczna i plaszczyzny metalowe linii TEM.Wejscie i wyjscie filtru stanowia gniazda wspól¬ osiowe 31 i 32 typu OSM. podstaw równolegle od plaszczyzn przewodzacych linii TEM (6) i (14) w dowolnej odleglosci od tych plaszczyzn,9598595985 DN-3, zam. 42/78 Cena 45 zl PL