PL95106B3 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL95106B3 PL95106B3 PL16110573A PL16110573A PL95106B3 PL 95106 B3 PL95106 B3 PL 95106B3 PL 16110573 A PL16110573 A PL 16110573A PL 16110573 A PL16110573 A PL 16110573A PL 95106 B3 PL95106 B3 PL 95106B3
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- semiconductor
- temperature
- electrons
- areas
- conductivity
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000003574 free electron Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób uzyskiwa¬ nia dowolnych obszarów zwiekszonego przewód-, nictwa w prófoce pólprzewodnika o niskiej kon¬ centracji elektronów swobodnych nalezacy do* dzie¬ dziny techniki procesów wytwarzania krysztalów pólprzewodnikowych o kontrolowanej ilosci do¬ mieszek elektrycznie czynnych.Znany jest z polskiego opisu patentowego nr 76 128 sposób zmniejszania koncentracji swobodnych elektronów domieszkowych w pólprzewodnikach, który polega na obnizeniu temperatury pólprze¬ wodnika do temperatury nieznacznie wyzszej od temperatury krytycznej dla danego pólprzewodni¬ ka,, ponizej której nie wystepuje przejscie elek¬ tronów pomiedzy pasmem przewodnictwa a elek¬ tronowo jonowym poziomem domieszkowym. Na¬ stepnie pólprzewodnik poddaje sie zwiekszonemu cisnieniu az do osiagniecia zadanej wielkosci kon¬ centracji elektronów swobodnych, po czym obniza sie temperature ponizej temperatury krytycznej.Sposób ten okazuje sie zupelnie nieprzydatny w przypadku koniecznosci uzyskania w danej próbie struktur powierzchniowych d/lub przestrzennych w róznym przewodnictwie, czasem bardzo- skompli¬ kowanych.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu, któ¬ ry umozliwilby uzyskanie dowolnych obszarów zwiekszonego przewodnictwa w próbce pólprzewod¬ nika o zmniejszonej koncentracji swobodnych e- lektronów domieszkowych.Cel ten zostal zgodnie z wynalazkiem osiagniety przez dostarczenie do zalozonych obszarów zwiek¬ szonego przewodnictwa próbki, energii w ilosci wy¬ starczajacej do trwalego przejscia elektronów ze stanów domieszkowych do pasma przewodnictwa.Omówiony sposób umozliwia uzyskanie dowol¬ nych obszarów zwiekszonego przewodnictwa, bez wprowadzenia zaklócen w strukturze krystalicznej próbki. Sposób wedlug wynalazku zostanie wyjas¬ niony na ponizszym przykladzie.Próbke antymonku indu o zmniejszonej koncen¬ tracji elektronów swobodnych poprzez obnizenie temperatury cisnienia do HOiOO atm oraz obnizenie temperatu¬ ry nizszej niz 110°K poddaje sie dzialaniu sku¬ pionego w laserze strumienia swietlnego, w ob¬ szarach zalozonego zwiekszonego przewodnictwa.Dostarczona do okreslonego miejsca próbki ener¬ gia umozliwia przejscie elektronów ze stanów do¬ mieszkowych do pasma przewodnictwa, a tym sa¬ mym lokalne, trwale zwiekszenie przewodnictwa w tym obszarze. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób uzyskiwania dowolnych obszarów zwiek¬ szonego przewodnictwa w próbce pólprzewodnika o niskiej koncentracji elektronów swobodnych po¬ legajacy na obnizeniu temperatury pólprzewodni¬ ka do temperatury nieznacznie wyzszej od tempe- 95 1063 95 106 4 ratury krytycznej danego pólprzewodnika, nastep- dlug patentu nr 76 128, znamienny tym, ze do zalo- nie poddaniu pólprzewodnika cisnieniu, az do o- zony eh obszarów zwiekszonego przewodnictwa do- siagniecia wymaganej koncentracji swobodnych e- starcza sie energie w ilosci wystarczajacej do przej- lektronów, po czym obniza sie temperature pól- scia elektronów ze stanów domieszkowych do pas- przewiodnika ponizej temperatury krytycznej we- ¦ ma przewodnictwa. L.ZG Z-d Nr 2 zam. 1940/78 110 egz. A4 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16110573A PL95106B3 (pl) | 1973-03-07 | 1973-03-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16110573A PL95106B3 (pl) | 1973-03-07 | 1973-03-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL95106B3 true PL95106B3 (pl) | 1977-09-30 |
Family
ID=19961816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16110573A PL95106B3 (pl) | 1973-03-07 | 1973-03-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL95106B3 (pl) |
-
1973
- 1973-03-07 PL PL16110573A patent/PL95106B3/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Greenblatt | Molybdenum oxide bronzes with quasi-low-dimensional properties | |
| Guen et al. | Electrical, magnetic, and EPR studies of the quaternary chalcogenides Cu2AIIBIVX4 prepared by iodine transport | |
| Rappaport | The electron-voltaic effect in p− n junctions induced by beta-particle bombardment | |
| Morin et al. | Electrical conductivity and Seebeck effect in Ni 0.80 Fe 2.20 O 4 | |
| US10600947B2 (en) | Thermoelectric materials, and thermoelectric element and thermoelectric module comprising the same | |
| Srinivasan et al. | Electrical conductivity mechanism in zinc and copper substituted magnetite | |
| Moshchalkov et al. | Nonmagnetic kondo lattices | |
| US11223002B2 (en) | Superlattice thermoelectric material and thermoelectric device using same | |
| US2978661A (en) | Semiconductor devices | |
| Wasim et al. | Some electrical characteristics of Cu‐and in‐doped CuInTe2 | |
| PL95106B3 (pl) | ||
| Ewald et al. | Measurements of electrical conductivity and magnetoresistance of gray tin filaments | |
| Orihashi et al. | Carrier concentration dependence of thermal conductivity of iodine-doped n-type PbTe | |
| Gaur et al. | Electrical transport and semiconductor-semimetal transition in LaVO4 | |
| US3211517A (en) | Semiconducting materials | |
| Rao et al. | Dielectric Properties of BaS | |
| Bogomolov et al. | Appearance of the dielectric instability and its coexistence with the superconductivity in ultrathin metallic filaments with decreasing diameter | |
| KR101965055B1 (ko) | 그래핀-다결정 실리콘 복합체, 이의 제조 방법, 전도체 및 기판 | |
| Terasaki et al. | Thermoelectric properties of Sr1-xLaxPbO3 (x0. 02) | |
| US3188537A (en) | Device for asymmetric conduct of current | |
| Tsui et al. | The magnetophonon effect in n-PbTe | |
| US11739438B2 (en) | Method of producing metal oxides with increased electrical conductivity | |
| Lewis | Conduction in protein and methylglyoxal‐protein complexes | |
| Dugaev et al. | Interaction and spontaneous formation of defects in the vicinity of the phase transition point in crystals | |
| Kawamura et al. | Ionic transport in Ag3SBr |