Przedmiotem wynalazku jest sposób i uklad do mnozenia dwóch sygnalów elektrycznych.Znane sposoby mnozenia dwóch sygnalów opieraja sie, miedzy innymi, na zasadzie dodawania logarytmów sygnalów wejsciowych. W ukladach do realizacji tego sposobu stosuje sie, na ogól, przetworniki nieliniowe dzieki'czemu sa one stosunkowo proste, ale wada ich jest mala dokladnosc.Znane sa równiez sposoby, w których wykorzystuje sie uklady mnozace z modulacja szerokosci i amplitu¬ dy impulsów. Mnozenie uzyskuje sie w drodze podwójnej modulacji: jednym z napiec wejsciowych moduluje sie szerokosc impulsów, drugim zas ich amplitude. Te sposoby zapewniaja wysoka dokladnosc, ale wymagaja stoso¬ wania bardzo skomplikowanych ukladów elektronicznych z zewnetrznymi generatorami piloksztaltnymi oraz z modulatorami samowzbudnymi.Sposób mnozenia wedlug wynalazku realizowany w ukladzie mnozacym wykonanym w postaci wtórnika emiterowego zbudowanego na tranzystorze, polega na tym, iz napiecie odpowiadajace jednemu z mnozonych sygnalów przyklada sie do bazy tranzystora wtórnika zasilanego ze zródla o napieciu wyzszym od wymienione¬ go napiecia mnozonego, zas napiecie odpowiadajace drugiemu z mnozonych sygnalów przyklada sie do nielinio¬ wego bloku wlaczonego w obwód emitera wtórnika i posiadajacego rezystancje odwrotnie proporcjonalna do przylozonego don napiecia oraz dokonuje sie pomiaru pradu plynacego w obwodzie wtórnika, który jest propor¬ cjonalny do iloczynu przylozonych napiec i spelnia zaleznosc i = k • ut • u2.Uklad mnozacy do stosowania powyzszego sposobu wykonany w formie wtórnika emiterowego zbudowa¬ nego na tranzystorze, w obwodzie emitera tranzystora zawiera blok nieliniowy o rezystancji odwrotnie proporcjo¬ nalnej do przylozonego don napiecia odpowiadajacego jednemu z mnozonych sygnalów,a do bazy tranzystora ma przylozone napiecie odpowiadajace drugiemu z mnozonych sygnalów.Blok nieliniowy jest zlozony z dowolnej liczby — uzaleznionej od zadanego stopnia dokladnosci ukla¬ du — wzmacniaczy róznicowych zasilanych w taki sposób, ze bazy tranzystorów, których kolektory sa polaczone z dodatnim biegunem zródla zasilajacego wtórnik sa podlaczone do kaskady zlozonej z odpowiedniej liczby zródel o potencjalach stopniowo narastajacych wzgledem potencjalu zerowego, zas bazy pozostalych tranzysto¬ rów, których kolektory sa polaczone z dodatnim potencjalem o wartosci zaleznej od jednego z mnozonych2 94676 sygnalów, sa polaryzowane przez rezystorowe dzielniki napiecia podlaczone z jednej strony do kaskady zródelv o potencjalach stopniowo narastajacych wzgledem drugiego sygnalu mnozonego, z drugiej zas strony sa podla¬ czone do drugiej kaskady zródel o potencjalach stopniowo narastajacych wzgledem potencjalu zerowego.Sposób oraz uklad, wedlug wynalazku, charakteryzuja sie duza prostota oraz umozliwiaja osiagniecie wysokiego stopnia dokladnosci pomiaru.Przyklad rozwiazania technicznego. Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia uproszczony schemat ogólny ukladu do mnozenia dwóch sygnalów, a fig. 2 — schemat ideowy ukladu z fig. 1, z rozbudowanym blokiem nieliniowym.Wtórnik emiterowy zbudowany na tranzystorze T zasilanym rupieciem +Ub, zawiera w obwodzie emitera tranzystora T blok nieliniowy Rz zasilany napieciem \JX odpowiadajacym jednemu z mnozonych sygnalów. Do bazy tranzystora T przylozone jest napiecie U2 odpowiadajace drugiemu z mnozonych sygnalów. Blok nielinio¬ wy ^ sklada sie z n wzmacniaczy róznicowych zbudowanych odpowiednio na tranzystorach Ti —T2, T3 —T4 ,..Tn_i-Tn. Kolektory tranzystorów Ti, T3 T5 ...T2n-l s3 polaczone z potencjalem +Ue, którego wartosc zalezy od wartosci sygnalu mnozonego U2. Kolektory tranzystorów T2, T4 ... T2n sa podlaczone bezposrednio do bieguna +Ug zródla zasilajacego wtórnik. Emitery tranzystorów Ti-T2, T3—T4... sa polaczone wzajemnie za posrednictwem rezystorów R5—R7, Rio—R12— których punkty wspólne sa podlaczone poprzez odpowiednie rezystory R6, Rt t, Rt 6 do bieguna —Ug zródla zasilajacego wtórnik.Bazy tranzystorów T2, T4 ...T2n» których kolektory podlaczone sa do bieguna +Ub, sa zasilane z kaskady n zródel E21, E22 ...E2n o potencjalach stopniowo narastajacych wzgledem potencjalu zerowego zrealizowa¬ nych, na przyklad na szeregowo polaczonych diodach Zenera D2i, D22, D23 ... D2n podlaczonych do bieguna +Ltb przez rezystor R. Bazy tranzystorów Ti, T3, T5 ...T2n-1 kolejnych wzmacniaczy róznicowych, których kolektory sa polaczone z punktem +Ue polaryzowane sa poprzez rezystorowe dzielniki napiecia R3~R4, R8-R9, Ri 3—Ri 4, przy czym rezystor R4 podlaczony jest do potencjalu zerowego, zas rezystory R9, Ri 4..., sa podlaczone do stalych potencjalów baz, odpowiedniego tranzystora poprzedzajacego wzmacniacza, a wiec do tranzystorów T2, T4.Rezystor R3 podlaczony jest do zródla mnozonego sygnalu dodatniego Ui, zas rezystory R8, Ri3 do zródel Eu, Ei2... o potencjalach stopniowo narastajacych wzgledem sygnalu mnozonego Ut i realizowanych na szeregowo polaczonych diodach Dt 1, Di 2 ...Din podlaczonych z jednej strony przez rezystor R 3 do zacisku +Ug, zas z drugiej strony poprzez rezystor R2 do zacisku —Ur.Dzialanie ukladu polega na tym, ze gdy wtórnik emiterowy zbudowany na tranzystorze T zasilony zostanie napieciem Ub baza tranzystora T napieciem U2, zas blok nieliniowy o rezystancji Rz U, napieciem Ui to dla napiecia U2 < Ub prad i plynacy w obwodzie wtórnika wyniesie U2 U2 Ui a wiec prad i jest proporcjonalny do iloczynu napiec, które nalezy wzajemnie pomnozyc.Blok nieliniowy przedstawiony na fig. 2 pracuje w ten sposób, iz z chwila pojawienia sie dodatniego sygna¬ lu Ui wzrosna potencjaly uzyskane z diod Du, Di2, Di3 i za posrednictwem dzielników R3-R4, R8-R9, Ri3~Rm zostana spolaryzowane bazy tranzystorów T^ T3, T5. Prady kolektorów tych tranzystorów przy Ue *¦ const sa proporcjonalne do napiecia U^ i spelniona jest zaleznosc SIkT!,T2,T3 =kUl Ewentualne nieliniowosci wynikajace z charakterystyk samych tranzystorów eliminowane sa przez ujemne sprzezenie zwrotne uzyskiwane na rezystorach wlaczonych w emitery tych tranzystorów. Dla zródla UE blok nieliniowy Rz bedzie rezystancja o wartosci SI*Ti,T2,T3... kUl Jezeli wartosc sygnalu Ue zmiesci sie w granicach pomiedzy wartoscia potencjalu zerowego i potencjalu katody diody D2J, to przewodzi tylko tranzystor J\. Jezeli wartosc sygnalu-Uj; jest zawarta pomiedzy warto¬ scia potencjalu zerowego, a potencjalu katody diody D22 to przewodza tranzystory Tj i T3 itd. Wartosc pradu94676 3 i plynacego z dodatniego bieguna zródla o napieciu UE zmienia sie proporcjonalnie do wartosci sygnalu UE polaryzujacego kolektory tranzystorów Ti, T3, T5... . Jezeli liczba n wzmacniaczy róznicowych jest odpowiednio duza mozna aproksymowac zaleznosc pradu i od zmian napiecia UE zaleznoscia liniowa. Pozwala to na traktowa¬ nie bloku Rz jako rezystora o wartosci odwrotnie proporcjonalnej do sygnalu Ui. PL