PL94174B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL94174B1 PL94174B1 PL16177273A PL16177273A PL94174B1 PL 94174 B1 PL94174 B1 PL 94174B1 PL 16177273 A PL16177273 A PL 16177273A PL 16177273 A PL16177273 A PL 16177273A PL 94174 B1 PL94174 B1 PL 94174B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- solution
- substrate
- epitaxial
- layer
- layers
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania pólprzewodnikowych miedzymetalicznych warstw epitaksjalnych przez epitaksje zwiazków A111 Bv.W technologii i konstrukcji diod Gunna, warak- torów i innych nowoczesnych przyrzadów pólprze¬ wodnikowych podstawowym materialem wyjscio¬ wym jest epitaksjalna warstwa pólprzewodnikowa o wymaganej strukturze krystalicznej, rezystyw- nosci i grubosci, która jest osadzona na podlozu krystalicznym o innej rezystywnosci.Znany jest sposób wytwarzania warstw epitak¬ sjalnych zwiazków Am Bv z fazy cieklej w atmos¬ ferze wodoru lub innego gazu obojetnego przez zanurzenie podloza monokrystalicznego w cieklym roztworze zwiazku Am Bv i wówczas tworzy sie warstwa epitaksjalna, jak to przedstawiono w opi¬ sie patentowym St. Zjedn. Ameryki nr 3715245.Znany jesit tez sposób tworzenia warstwy epitak¬ sjalnej wspomnianego wyzej zwiazku na podlozu, lecz z fazy gazowej w wyniku reakcji chemicznej przebiegajacej w obecnosci gazu nosnego. Niedo¬ godnoscia powyzszych sposobów jest koniecznosc stosowania bardzo czystego gazu obojetnego, ma¬ jacego skuteczny wplyw na rezystywnosc warstwy epitaksjalnej. Wytwarzanie tak czystego giazu oraz specjalnej instalacji doprowadzajacej ten gaz jest bardzo kosztowne.Znena jest równiez metoda tworzenia warstwy epitaksjalnej z fazy cieklej w wyniku zanurzenia podloza w roztworze metalicznym w warunkach dynamicznej prózni, jak to przedstawiono w opisie patentowym PRL nr 78776. Sposób postepowania, aby uzyskac taka warstwe jest jednak zbyt zlo¬ zony, a aparatura zbyt skomplikowana.Celem wynalazku jest wyeliminowanie wspom¬ nianych niedogodnosci i uproszczenie sposobu pro¬ dukcji warstw epitaksjalnych przez wytworzenie ich w innych warunkach, które gwarantuja wyso¬ ka czystosc osadzonego krysztalu.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie pa¬ rujacego zródla zawierajacego czasteczki tworzace warstwe, które sa osadzone na podlozu o niecq nizszej temperaturze niz temperatura zródla, w warunkach dynamicznej prózni. Sposób ten po¬ zwala latwo uzyskac warstwy o wymaganych pa¬ rametrach, kwalifikujacych je do zastosowania w przyrzadach pólprzewodnikowych.Sposób wedlug wynalazku zostal blizej objas¬ niony na przykladzie wykonania. Podloze krysta¬ liczne uprzednio oczyszczone chemicznie, na kttK rym rosnie warstwa epitaksjalna, jest umieszczona w grafitowym kondensatorze. Kondensator znajdujg sie w poblizu grafitowego tygla z nasyconym roz¬ tworem arsenku galu. Podloze jest usytuowane tak, ze znajduje sie w polu strumienia par roz¬ tworu nad tyglem. Grafitowy tygiel z roztworem oraz kondensator wraz z podlozem sa ogrzewane, na przyklad indukcyjnie. Sprzezenie cewki induk¬ cyjnej z tyglem i kondensatorem jest tak dobrane, aby uzyskac wymagany rozklad temperatur. Cewki 94 17494 174 3 4 indukcyjna umieszczona jest na zewnatrz szklanego klosza, w którym w obecnosci dynamicznej prózni znajduje sie tygiel i kondensator z podlozem. Wzrost warstwy epitaksjalnej na podlozu odbywa sie wsku¬ tek parowania roztworu arsenku galu oraz róznicy temperatur miedzy temperatura roztworu a tem¬ peratura plytki umeiszczonej na kondensatorze. U- trzymanie okreslonego stanu wysokiej prózni pod¬ czas parowania i osadzenia czastek par na podlozu umozliwia tworzenie warstwy epitaksjalnej o duzej czystosci. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania pólprzewodnikowych; mie¬ dzymetalicznych warstw epitaksjalnych polega¬ jacy na wykorzystaniu roztworu nasyconego zwiaz¬ ku Am Bv, z którego powstaje epitaksjalna wars¬ twa pólprzewodnikowa na podlozu monokrystalicz- nym, znamienny tym, ze wzrost warstwy z par czastek tworzacych te warstwe odbywa sie równo¬ czesnie w warunkach dynamicznej prózni i przy istniejacej róznicy temperatur miedzy roztworeir a oddalonym od roztworu podlozem. 5 10 OZGraf. Zam. 1917 (120+25 egz.) Cena 10 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16177273A PL94174B1 (pl) | 1973-04-07 | 1973-04-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16177273A PL94174B1 (pl) | 1973-04-07 | 1973-04-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL94174B1 true PL94174B1 (pl) | 1977-07-30 |
Family
ID=19962168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16177273A PL94174B1 (pl) | 1973-04-07 | 1973-04-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL94174B1 (pl) |
-
1973
- 1973-04-07 PL PL16177273A patent/PL94174B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0179138B1 (en) | A method of forming a composite semiconductor structure | |
| US3655439A (en) | Method of producing thin layer components with at least one insulating intermediate layer | |
| PL173917B1 (pl) | Sposób wytwarzania krystalicznej struktury wielowarstwowej | |
| US5268327A (en) | Epitaxial compositions | |
| US7520930B2 (en) | Silicon carbide single crystal and a method for its production | |
| WO2010024392A1 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| US3887451A (en) | Method for sputtering garnet compound layer | |
| US3139361A (en) | Method of forming single crystal films on a material in fluid form | |
| US3476593A (en) | Method of forming gallium arsenide films by vacuum deposition techniques | |
| US4172756A (en) | Method for the accelerated growth from the gaseous phase of crystals, and products obtained in this manner | |
| PL94174B1 (pl) | ||
| US2890939A (en) | Crystal growing procedures | |
| US3533856A (en) | Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide | |
| US3546032A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices on substrates consisting of single crystals | |
| US3556875A (en) | Process for epitaxially growing gallium arsenide on germanium | |
| US3397094A (en) | Method of changing the conductivity of vapor deposited gallium arsenide by the introduction of water into the vapor deposition atmosphere | |
| US3811963A (en) | Method of epitaxially depositing gallium nitride from the liquid phase | |
| US3341360A (en) | Method of precipitating crystalline layers of highly pure, brittle materials | |
| Linnebach et al. | Liquid phase epitaxy of AlSb from Sb solutions | |
| US3342551A (en) | Method and apparatus for producing a semiconducting compound of two or more components | |
| US3565704A (en) | Aluminum nitride films and processes for producing the same | |
| KR0139840B1 (ko) | 산소와 마그네슘이 일대일의 비로 들어 있는 마그네슘 유도체를 사용하여 산화마그네슘을 기질 위에 피막하는 방법 | |
| Benz et al. | Growth of binary III–V semiconductors from metallic solutions | |
| US3391017A (en) | Formation of aluminum, gallium, arsenic, and phosphorous binary conatings | |
| US3385737A (en) | Manufacturing thin monocrystalline layers |