Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy wzmacniacz rezonansowy na pasmo VHF do 300 MHz, prze¬ znaczony do stopni wejsciowych przenosnych urzadzen radiokomunikacyjnych.We wzmacniaczach rezonansowych na pasmo do 300 MHz z obwodami o stalych skupionych najwieksza trudnosc sprawia uzyskanie obwodów o duzej dobroci. Stosowanie elementów o stalych rozlozonych w tym zakresie czestotliwosci jest jeszcze nieoplacalne ze wzgledu na znaczne rozmiary obwodów. Istnieja równiez obwody helikalne pozwalajace latwo uzyskac duze dobroci dla tego zakresu czestotliwosci, ale maja zbyt duze gabaryty w porównaniu do ukladów tranzystorowych.W znanej konstrukcji wzmacniacza rezonansowego tranzystorowego koniec cewki wejsciowej obwodu rezo¬ nansowego dolaczony jest do kondensatora obwodu rezonansowego, zas drugi koniec cewki dolaczany jest do kondensatora blokujacego polaczonego z emiterem tranzystora. Elementy obwodów rezonansowych w pasmie 100 do 300 MHz traca swe zalety ze wzgledu na dlugosci doprowadzen wprowadzajace indukcyjnosci rozprosze¬ nia, zwiekszenie pojemnosci wlasnej cewki i zmiane reaktancji kondensatorów. Duza role w tym zakresie czesto¬ tliwosci odgrywaja szkodliwe pojemnosci montazu i straty powodowane przez elementy izolacyjne, zwlaszcza koncówki stosowanych kondensatorów i dlugosci doprowadzen cewki. Ponadto stabilnosc mechaniczna cewek obwodu rezonansowego, której brak prowadzi do obnizenia dobroci skutecznej obwodu.Celem wynalazku jest uzyskanie mozliwie malego gabarytowo tranzystorowego wzmacniacza rezonansowe¬ go na pasmo do 300 MHz o dobrej selektywnosci oraz stabilnego mechanicznie i termicznie.Istota tranzystorowego wzmacniacza rezonansowego wedlug wynalazku polega na polaczeniu nieuziemio- nego obwodu rezonansowego bezposrednio zjedna z zewnetrznych okladzin bezkoncówkowego plaskiego cera¬ micznego kondensatora pojedynczego lub zlozonego, którego zewnetrzna okladzina podlaczona jest bezposred¬ nio do metalowej obudowy wzmacniacza. Koniec uziemiony cewki wejsciowej lub bliski potencjalu masy, dola¬ czony jest badz bezposrednio do metalowej obudpwy wzmacniacza, badz do okladziny bezkoncówkowego plaskiego ceramicznego kondensatora blokujacego, przy czym emiter tranzystora wzmacniajacego dolaczony jest krótko do okladziny bezkoncówkowego plaskiego ceramicznego kondensatora blokujacego.2 93136 Zaleta ukladu bedacego przedmiotem wynalazku jest duza stabilnosc mechaniczna, gdyz oba konce cewek obwodów rezonansowych sa unieruchomione przez przylutowanie do okladzin bezkoncówkowych kondensato¬ rów. Ponadto wyeliminowanie indukcyjnosci doprowadzen prowadzi do unikniecia sprzezen poprzez elementy blokujace, spelniajace role dobrych wsporników montazowych, a równoczesnie dajacych dobra bezindukcyjna blokade dla wielkiej czestotliwosci.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, przedstawiajacym schema¬ tycznie konstrukcje wzmacniacza rezonansowego.We wzmacniaczu rezonansowym wedlug wynalazku koniec a nieuziemionej cewki wejsciowej LI obwodu rezonansowego dolaczony jest bezposrednio do jednej okladziny bezkoncówkowego plaskiego ceramicznego kondensatora Cl, którego druga okladzina przylutowana jest do metalowej okladziny obudowy wzmacniacza.Natomiast koniec b znajdujacy sie na potencjale bliskim masy, lub polaczony z masa cewki wejsciowej LI dolaczony jest do jednej okladziny bezkoncówkowego kondensatora blokujacego C4, którego druga okladzina przylutowana jest do metalowej obudowy. Koniec b cewki wejsciowa LI moze byc dolaczony wprost do obudowy. Emiter E tranzystora wzmacniajacego T dolaczony jest przy pomocy najkrótszych polaczen do jednej okladziny bezkoncówkowego kondensatora blokujacego C4, którego druga okladzina przylutowana jest do metalowej obudowy.Emiter E tranzystora wzmacniajacego T dolaczony jest przy pomocy najkrótszych polaczen do jednej okladziny bezkoncówkowego plaskiego ceramicznego kondensatora C5 blokujacego, którego druga okladzina dolutowana jest do metalowej obudowy, baza B tranzystora T dolaczona jest przy pomocy najkrótszych pola¬ czen do jednej okladziny bezkoncówkowego plaskiego ceramicznego kondensatora C3 a kolektor K tranzystora T dolaczony jest przy pomocy najkrótszych polaczen do uzwojenia cewki wyjsciowej L2. Kondensator C2 wlaczony miedzy kondensatory Cl i C3 tworzy pojemnosciowy dzielnik napiecia. Caly wzmacniacz rezonanso¬ wy umieszczony jest w obudowie metalowej.Doprowadzony na wejscie sygnal wielkiej czestotliwosci pobudza do rezonansu obwód wejsciowy i poprzez dzielnik pojemnosciowy, zawierajacy kondensatory Ci ,C2,C3, dostaje sie na baze B tranzystora wzmacniajacego T zawierajacego cewke Li w obwodzie kolektora K, by pobudzic do rezonansu obwód wyjsciowy. Dolaczenie emitera E krótkim przewodem do kondensatora blokujacego C5 zapobiega powstawaniu sprzezen zwrotnych, dzieki czemu mozna osiagnac pelne wzmocnienie tranzystora T. Doprowadzenie dolnych konców cewek wejscio¬ wej Li i wyjsciowej L2 do odpowiednich okladzin kondensatorów blokujacych C4 powoduje zamkniecie drogi pradów obwodów rezonansowych tak, ze nie sprzegaja sie ze soba. Brak dluzszych doprowadzen jest równo¬ znaczny z usunieciemgdodatkowych strat energii w polach obwodów rezonansowych, a to oznacza, ze dysponuje sie obwodami o zwiekszonej dobroci. PL