PL91026B1 - - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest hallotron przeznaczony do pomiaru natezenia pola magnetycznego w szczególnosci pola o natezeniu do 20 Tesliw zakresie temperatur 4,2 K do 300 K, jak równiez do pomiarów silnych pól magnetycz¬ nych w temperaturachpokojowych. s Dotychczas stosowane hallotrony naparowywane jak na przyklad wedlug polskiegoopisupatentowego nr 53200 nie moga byc stosowane w tym zakresie temperatur to znaczy 4,2 K - 77 K, poniewaz przy oziebianiu do temperatur cieklych gazów nastepuje zniszczenie warstwy czynnej 10 hallotronu przez wprowadzane naprezenia.Do pomiarów pola magnetycznego w temperaturach cieklych gazów 4,2 K- 77 K stosuje sie hallotrony z mate¬ rialów litych. Wytwarzane sa one w ten sposób, ze plytke na przyklad germanu szlifuje sie do okreslonej grubosci, is a nastepniedolaczasie odprowadzenia przez lutowanie czy spawanie. Opisanatechnologia cechujesie malymi uzyska¬ mi i duzymi odpadami materialu* pólprzewodnikowego.Hallotrony wytwarzane w ten sposób posiadaja duza cal¬ kowita grubosc, nieliniowa charakterystyke oraz male 20 sygnaly wyjsciowe. Oprócz tego technologia materialów litych jest bardzo kosztowna i ceny opisywanych hallotro- nów przeznaczonych do pomiarów w cieklych gazach prze¬ kraczaja ponad 100razycenyhallotronów przeznaczonych do pomiarów w temperaturze pokojowej. 2* Celem wynalazku jest opracowanie hallotronu, którypo wykonaniu nie bedzie ulegal zniszczeniu w temperaturze cieklego helu i posiadal mala calkowita grubosc, liniowa charakterystyke oraz duze napiecie wyjsciowe.Cel ten zostal osiagniety przez hallotron wedlug wyna- 30 lazku, w którym na cienka warstwe izolacyjna wykonana z miki lub innego materialu o podobnym wspólczynniku rozszerzalnosci liniowej jest naparowana struktura skla¬ dajaca sie z warstwy przejsciowej ze zwiazku pólprzewod¬ nikowego A/1 B,vl o duzej rezystywnosci, nastepnie z wars¬ twy czynnej A2n- B/1-Aa" B3VI korzystnie tellurku kadmo- wo-rteciowego, przy czym odprowadzenia sa laczonez wa¬ rstwa pólprzewodnika za posrednictwem naparowanej na warstwe czynna warstwy metalu stanowiacej elektode.Tak wykonany hallotron posiada zadane parametry, liniowosc charakterystyki oraz duze napiecie wyjsciowe.Zapewnia to odpowiednia konstrukcja hallotronu. Kon¬ strukcja ta zapewnia takze odpowiednie wlasciwosci przy zmianie temperatur. Calkowita grubosc warstwy miki wraz ze struktura pólprzewodnikowa moze byc mniejsza od 30 (xm.Hallotron wedlug wynalazku jest blizej objasniony na podstawie rysunku, którego fig. 1 przedstawia hallotron w widoku z góry na konfiguracje hallotronu.Wedlug wynalazku na cienka warstwe mikiMjestnapa¬ rowana struktura z dwóch warstw pólprzewodników P w postaci A," B/1- o duzej rezystywnosci i A2J1 BaVI- Aan B3VI na przyklad tellurek kadmowo-rteciowy, nastepnie naparowane sa elektrody metaliczne E.Do elektrod E sa laczone odprowadzenia D. Odprowa¬ dzenia te w zaleznosci od konstrukcji hallotronu mocowa¬ ne sa w oprawce z tworzywa sztucznego w ten sposób, aby podczas oziebiania nie wystepowaly naprezenia mogace zerwac warstwe metaliczna E stanowiaca elektrody. 91 02691 026 3 4 PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe znaczony do pomiaru natezenia pola magnetycznego, zwlaszcza o wartosciach do 20 Tesliw temperaturach 4,2K Hallotron skladajacy sie z warstwy pólprzewodnika do 300K, znamienny tym, ze naparowane na warstwe miki szczególnie tellurku kadmowo-rteciowego naparowanej (M) warstwy pólprzewodnika (P) skladaja sie z warstwy na warstwe miki oraz z odprowadzen laczonych z warstwa s przejsciowej ze zwiazku pólprzewodnikowego A," B," pólprzewodnika za posrednictwem naparowanej nawars- o duzej rezystywnosci oraz z warstwy czynnej A," B,vl-A," twe czynna warstwy metalu stanowiacej elektrode, prze- BSVI korzystnie tellurku kadmowo-rteciowego. ¦^i?t rwwrtnwruHHUimiirrjr- Fcg.

2. Sklad wykonanow DSP, zam. 1888 Druk w UP PRL, naklad 125 + 20 egz. PL