PL88755B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL88755B1
PL88755B1 PL16915774A PL16915774A PL88755B1 PL 88755 B1 PL88755 B1 PL 88755B1 PL 16915774 A PL16915774 A PL 16915774A PL 16915774 A PL16915774 A PL 16915774A PL 88755 B1 PL88755 B1 PL 88755B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
quality
frequency
piezoelectric material
samples
parameter
Prior art date
Application number
PL16915774A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16915774A priority Critical patent/PL88755B1/pl
Publication of PL88755B1 publication Critical patent/PL88755B1/pl

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób Kontroli ja¬ kosci materialów piezoelektrycznych.Znane sa sposoby kontroli jakosci materialów piezoelektrycznych, oparte na okreslaniu parametru, -charakteryzujacego jakosc tych materialów, pole¬ gajace na wykonywaniu z materialów piezoelektry¬ cznych próbek o wysokiej jakosci polerowania po¬ wierzchni.Podstawowa wada tych znanych sposobów jest ich duza czasochlonnosc i pracochlonnosc wyko¬ nania takich próbek. Dodatkowa ich wada polega na braku obiektywnosci w ocenie parametru, ce¬ chujacego jakosc materialów piezoelektrycznych, spowodowanym niemoznoscia uzyskania identycz¬ nej jakosci powierzchni próbek materialów piezo¬ elektrycznych. Wada jest równiez nieodtwarzalnosc wyników kontroli jednej próbki, zwiazana z wiel¬ ka wrazliwoscia powierzchni próbki na warunki srodowiska.Znany jest takze inny sposób kontroli jakosci ma¬ terialów piezoelektrycznych, pozbawiony wymienio¬ nych powyzej wad. Przy stosowaniu tego znanego sposobu kontroli jakosci materialów piezoelektrycz¬ nych mierzy sie temperaturowo-czestotliwosciowa zaleznosc tangensa kata strat dielektrycznych pie¬ zoelektrycznego materialu przy niezmiennym je¬ dnym z parametrów (czestotliwosci) i ustala z tej zaleznosci parametr, przy którym wartosc tangensa kata strat dielektrycznych jest maksymalna (tem¬ peratura), na podstawie którego ocenia sie jakosc piezoelektrycznego materialu. Jednakze wada tego sposobu kontroli jakosci materialu piezoelektrycz¬ nego jest dlugotrwalosc procesu dokonywania kon¬ troli w zaleznosci od temperatury, poniewaz dla okreslenia Tm niezbedne jest nagrzewanie kazdej próbki materialu piezoelektrycznego w bardzo róz¬ nych temperaturach.Celem wynalazku jest wyeliminowanie wymienio¬ nych wad i stworzenie sposobu kontroli jakosci materialów piezoelektrycznych, wybór parametrów zaleznosci pomiedzy temperatura i czestotliwoscia, który pozwolilby na szybkie i równoczesnie obiekty¬ wne okreslanie z dostateczna dokladnoscia parame¬ tru charakteryzujacego jakosc piezoelektrycznego materialu.Zadanie to rozwiazano dzieki temu, ze w sposobie kontroli jakosci materialu piezoelektrycznego, opie¬ rajacym sie na pomiarze temperaturowo-czestotli- wosciowej zaleznosci tangensa kata strat dielektry¬ cznych materialu piezoelektrycznego przy niezmien¬ nym jednym z parametrów i ustalaniu wedlug tej zaleznosci drugiego^parametru, przy którym war¬ tosc tangensa kata strat dielektrycznych jest maksy- malna i wedlug którego ocenia sie parametr cha¬ rakteryzujacy jakosc piezoelektrycznego materialu, w charakterze parametru, przy którym wartosc tan¬ gensa kata strat dielektrycznych jest maksymalna, wystepuje czestotliwosc, zas w charakterze parame- tru niezmiennego, temperatura.S8 7558 Zastosowanie sposobu wedlug wynalazku kontroli jakosci materialów piezoelektrycznych w piezotech¬ nice daje mozliwosc dokladnego i obiektywnego okreslania parametru, charakteryzujacego jakosc piezoelektrycznego materialu.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia zaleznosc tgó od czestotliwosci dla róznych próbek i calego kry¬ sztalu materialu piezoelektrycznego, fig. 2 — wzor¬ cowy wykres okreslania parametru, charakteryzu¬ jacego jakosc materialu piezoelektrycznego wedlug czestotliwosci maksimum tgó, i fig. 3 — wzorcowy wykres okreslania drugiego parametru charaktery* zujacego jakosc piezoelektrycznego materialu we¬ dlug czestotliwosci maksimum.Sposób kontroli jakosci materialu piezoelektrycz¬ nego omówiono na przykladzie kontroli piezokwar¬ cu. Jak wiadomo, parametrem charakteryzujacym jakosc piezokwarcu jest trwalosc. W celu przepro¬ wadzenia kontroli jakosci piezokwarcu wycina sie z krysztalu reprezentujacego dana partie niezbedna ilosc próbek, które sie nastepnie szlifuje lub obra¬ bia innymi znanymi sposobami, mozna takze sto¬ sowac próbki nieobrobione i cale krysztaly bez roz¬ cinania ich na próbki.Sposób kontroli jakosci materialu piezoelektrycz¬ nego jest nastepujacy. Próbke piezokwarcu, umoco¬ wana w oprawce, umieszcza sie w termostacie za¬ pewniajacym niezmienna temperature w procesie kontroli. Nastepnie znanym mostkowym sposobem podstawienia mierzy sie tgó w zaleznosci od cze¬ stotliwosci i przedstawia wyniki pomiarów w po¬ staci wykresu zaleznosci tgó od czestotliwosci f.Caly krysztal piezokwarcu mocuje sie takze w oprawce, umieszcza w termostacie i znanym most¬ kowym sposobem podstawienia mierzy sie tgo w zaleznosci od czestotliwosci. Wykres zaleznosci dla tgó dla calego krysztalu przedstawia krzywa 1 na fig. i, przy czym wartosc czestotliwosci f maksi¬ mum tg6 jest rózna dla róznych krysztalów piezo¬ kwarcu. Krzywe z, 3, 4, i 5 na fig. 1 przedstawiaja zaleznosci tgó odnoszace sie do próbek wycietych prostopadle do osi „Z" tego krysztalu, odpowiednio dla próbek z powierzchnia nieobrobiona — krzy¬ wa 19 szlifowana — krzywa 3 i polerowana — krzywa 4 i do próbek wycietych pod katem do osi „Z" — krzywa 5. Z wykresów na fig. 1 — krzywe 1—6 widac, Ze ani jakosc obróbki powie¬ rzchni, ani ksztalt i rozmiar próbki nie wplywaja na wartosc czestotliwosci f, maksimum tgó i przy kontroli jakosci piezokwarcu na próbkach, wycie¬ tych w jakimkolwiek innym kierunku, zmienia sie tylko wartosc czestotliwosci f maksimum tgó. Krzy¬ we 6 i 7 przedstawiaja odpowiednio zaleznosci tgó(f) dla próbek szlifowanych, wycietych z innych kry¬ sztalów piezokwarcu. Tu ft i fs sa odpowiednie do czestotliwosci maksimów tgó dla tych próbek.Na wykresie tgó(f) próbki, znajduje sie czestotli¬ wosc fm maksimum tgó i wedlug tej czestotliwosci za pomoca wzorcowego wykresu okresla sie dobroc Q piezokwarcu, bedaca parametrem, charakteryzu¬ jacym jakosc piezokwarcu. Na fig. 2 widacVze dla krysztalów z czestotliwosciami f1 mów tgó wartosci dobroci wynosza odpowiednio Qi 755 4 Wzorcowy wykres uzyskuje .sie w nastepujacy sposób. Wybiera sie krysztaly piezokwarcu o war¬ tosciach dobroci mieszczacych sie w szerokim za¬ kresie wartosci i wykonuje z kazdego krysztalu niezbedna ilosc próbek w postaci dwustronnie wy¬ puklych soczewek, stanowiacych piezoelementy a podstawowej czestotliwosci 1 MHz qraz próbek wy¬ cietych prostopadle do osi „Z" krysztalu — próbek ciecia „Z". W charakterze takich' próbek mozna io takze wykorzystac cale krysztaly piezokwarcu. Na ypróbkach ciecia „Z" lub na calym krysztale mierzy ^ sie czestotliwosc fm maksimum tgó i logarytmy tych wartosci, usrednionych dla próbek kazdego kry¬ sztalu nanosi sie na os odcietych. Na osi rzednych nanosi sie wartosc dobroci Q, usrednione równiez, dla wszystkich soczewek kazdego krysztalu.Uzyskane punkty laczy sie linia wartosci czesto¬ tliwosci fm maksimum tgó i odpowiadajace im war¬ tosci parametru, charakteryzujacego jakosc materia- lu piezoelektrycznego — dobroc Q mozna takze ujac zarówno w tablicach jak i nomogramach. Przy sto¬ sowaniu krysztalu piezokwarcu w urzadzeniach pie¬ zoelektrycznych najbardziej racjonalnym parame¬ trem, charakteryzujacym jego jakosc jest modul a. *5 którego zaleznosc od czestotliwosci maksimum tan- gensa kata strat dielektrycznych pokazuje fig. 3,. przy czym czestotliwosc maksimum okresla sie w opisany powyzej sposób.Kontrole próbek z innego materialu piezoelektry- cznego, piezoceramiki, dielektryka o polaryzacji spontanicznej, przeprowadza sie analogicznie, jesli te materialy zawieraja aktywne elektrycznie domie¬ szki.Proponowany sposób kontroli jakosci piezoelek¬ trycznego materialu mozna stosowac w piezotechni- ce przy kontroli jakosci zarówno naturalnego jak i sztucznego piezokwarcu' oraz innego materialu piezoelektrycznego.M Przewage zastosowania proponowanego sposobu kontroli jakosci materialu piezoelektrycznego zape¬ wnia to, ze na wyniki kontroli nie wplywa ani stan powierzchni, ani ksztalt czy rozmiar próbki, co za¬ pewnia obiektywnosc i odtwarzalnosc tego wyniku. 4B Prostota wykonania próbek oraz wyeliminowanie koniecznosci prowadzenia kontroli w zaleznosci od temperatury skraca znacznie czas niezbedny dc* kontroli materialu piezoelektrycznego.Zalete proponowanego sposobu stanowi równiez.M mozliwosc kontroli jakosci tworzonych sztucznie krysztalów o niewielkiej grubosci warstwy nagro¬ madzonej na osi „Z". I wreszcie mozliwosc doko¬ nania proponowanej kontroli przy uzyciu calegc* krysztalu pozwala na dokonanie dokladnej oceny 56 parametrów tego krysztalu, z którego wykonywane beda elementy piezoelektryczne, co wyklucza ko¬ niecznosc dalszego korygowania parametrów juz: wykonanych wyrobów. 80 PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1 Sposób kontroli jakosci materialu piezoelektrycz¬ nego, oparty na pomiarze temperaturowo-czestotli- €5 wosciowej zaleznosci tangensa kata strat dielektry-88 755 5 s cznych materialu piezoelektrycznego przy stalym je- trycznego, znamienny tym, ze parametrem, przy dnym z parametrów i znajdowaniu z tej zaleznosci którym wartosc tangensa kata strat dielektrycznych drugiego parametru, przy którym wartosc tangensa jest maksymalna, jest czestotliwosc, a stalym para- kata strat dielektrycznych jest maksymalna i we- 5 metrem jest temperatura, dlug którego ocenia sie jakosc materialu piezoelek-88 755 9 93 9z\ 9,\ y / / riB.
2. Itjfm F/6.
3. WDL.*zam. 3325 nakl. 130 Cena 10 zl PL
PL16915774A 1974-02-28 1974-02-28 PL88755B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16915774A PL88755B1 (pl) 1974-02-28 1974-02-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16915774A PL88755B1 (pl) 1974-02-28 1974-02-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL88755B1 true PL88755B1 (pl) 1976-09-30

Family

ID=19966271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16915774A PL88755B1 (pl) 1974-02-28 1974-02-28

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL88755B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Alemany et al. Automatic iterative evaluation of complex material constants in piezoelectric ceramics
Azzam et al. Polarization characteristics of scattered radiation from a diffraction grating by ellipsometry with application to surface roughness
White et al. Fracture behavior of cyclically loaded PZT
Harrop et al. The dielectric constant of zirconia
Ninomiya et al. Stress-relaxation behavior of polyvinyl acetate films
PL88755B1 (pl)
Telmer et al. Anisotropy of W-band complex permittivity in Al2O3
Tellier Some results on chemical etching of AT-cut quartz wafers in ammonium bifluoride solutions
CN106290485B (zh) 一种水泥基材料干燥深度测试方法
Kusák et al. Comparison of impedance spectra of concrete recorded with utilizing carbon transition paste
CA1176310A (en) Method of measuring thermal properties of a resonator
Hatta Critical Behavior of Electric Susceptibility in NaNO2
US3916303A (en) Method for checking the quality of a piezoelectric material
Gu et al. Some applications of AC impedance spectroscopy in cement research
Kao et al. Silica films on silicon: thickness measurement by electron microscopy and ellipsometry
Zhang et al. Moisture content measurement for green tea using phase shifts at two microwave frequencies
D’Alvia et al. Effect of applied pressure on patch resonator-based measurements of moisture level for cultural heritage materials
Poplavko et al. Microwave examination of ferroelectric film quality
Poglitsch et al. Picosecond relaxations in hydrated lysozyme observed by mm-wave spectroscopy
SU1168871A1 (ru) Способ измерени поверхностного сопротивлени высокоомного покрыти на диэлектрической подложке
Prud'Homme et al. Chemical etching of Gallium orthophosphate: Application to piezoelectric device manufacturing
SU336772A1 (ru) Способ определения качества кристаллов пьезокварца
Ward Design of high performance SC resonators
Kushibiki et al. A promising method of evaluating ZnO single crystals using the line-focus-beam ultrasonic material-characterization system
Barton Electron effective mass in PbS single crystals by infrared reflectivity measurements