PL88638B1 - - Google Patents

Description

***- wzrasta okolo 3 razy szybciej, niz na glównej p©^ wierzchni od strony ujemnego kierunku osi* * (sciana — x). Jednoczesnie material krystallctnjr o. dobrej jakosci tworzy sie na glównej powierzen^ ni wzrostu od strony +x, a material tworzacy aie* na glównej powierzchni, odpowiadajacy scianie- —x jest zawsze brakiem. Biorac to pod uwage? zarodkowe plytki 3" ustawia siej w taki wpm&tr, azeby podstawowa powierzchnia wzrostti odpowia¬ dajaca scianie — x obracana byla do góry, to znaczy byla górna podstawowa powierzchnia 4 wzrostu i byla ekranowana plytka 10. W tym wy¬ padku krysztal tworzy sie na dolnej powierzchni podstawowej odpowiadajacej scianie +x. Szyb¬ kosc wzrostu bocznych elementów zarodowych plytek 3' i 3" w kierunku osi y, praktycznie równa sie zero i zarodkowe plytki 3" i Z" praktycznie w tym kierunku nie rosna. W kierunkach osi Z i x, plytki 3' i 3" rosna bardzo szybko, jednakze partie krysztalów uksztaltowane na elementach bocznych, posiadaja jakosc rózniaca sie od jakosci elementów krysztalów utworzonych na podatawo-7 wych powierzchniach wzrostu i nie sa wykorzy¬ stane.W zwiazku z tym, wskazane jest stosowanie ce¬ lem ekranowania plytek 11 o ksztalcie litery ,,P' wykonanych z obcego materialu, które jednoczes¬ nie sa elementami mocujacymi krysztaly. Szcze¬ gólnie wskazane jest stosowanie plytki 11 dla ekranowania zarodkowej plytki 3', której czesc dolowa odpowiadajaca dodatniemu kierunkowi osi x, szybko rosnie, w porównaniu z czescia czo¬ lowa odpowiadajaca ujemnemu kierunkowi osi x.Jednoczesne ekranowanie obydwu czolowych czesci jest nie wskazane, poniewaz pogarsza wa¬ runki zasilania rosnacego krysztalu roztworem wsadu oraz powoduje mozliwosc jego pekania na skutek wywolywanego w nim cisnienia krystalicz¬ nego. •;.-..Wymiary zarodkowych plytek 3' i 3" oraz ply¬ tek 10 i 11 ekranujacych dobiera sie tak, azeby w przeciagu calego cyklu wzrostu krysztalu 7 nie wystepowal on poza obreb plytek 10 (fig. 3, 4) * i plytek 11 tfig. 5). W tym celu plytka 10 powin¬ na, wystawac poza szybko rosnaca czesc czolowa, odpowiadajaca dodatniemu kierunkowi osi x za¬ rodkowej plytki 3' na odcinek „a", równy w przy¬ blizeniu zadanej grubosci d hodowanego kryszta¬ lu 7 oraz poza inna czesc czolowa, odpowiadajaca ujemnemu kierunkowi osi x — na odcinek „b" równy w przyblizeniu 1/3 d. Jezeli chodzi o za¬ rodkowa plytke »3", której elementy boczne, wzrastajac w kierunku osi Z rosna z jednakowa szybkoscia, to plytka 10 powinna wystawac za elementy czolowe na odcinek „c", w przyblizeniu równy 1,2 — 1,3 d.Boczne brzegi zarodkowych plytek 3' i 3" od¬ powiadajace osi Y, moga znajdowac sie na pozio¬ mie brzegów plytek 10 lecz nie moga wystepowac poza ich obreb. Plytka 11 tez powinna wystawac za brzeg czola, odpowiadajacego ujemnemu kie¬ runkowi osi x zarodkowej plytki 3' na odcinek „b", w przyblizeniu równy 1/3 d, a czesc plytki 11 ekranujaca szybko wzrastajaca czesc czolowa, od¬ powiadajaca dodatniemu kierunkowi osi x zarod¬ kowej plytki 3' powinna miec szerokosc zapewnia¬ jaca wzrost krysztalu 7 na grubosci d lecz bez wy¬ chodzenia poza te czesc plytki 11. Takie zaleznosci miedzy wymiarami plytek ekranujacych i zarod¬ kowych zabezpieczaja wyhodowany krysztal przed obrastaniem elementu mocujacego krysztal i zwia¬ zanego z tym pekaniem.Gelem otrzymania proponowanym sposobem 1638 8 krysztalów o wysokiej jakosci optycznej i mecha¬ nicznej, wskazane jest aby jaka zarodkowe plytki 3 stosowac plytki, w których ilosc wyjsc dyslo-r kacji na dolna podstawowa powierzchnie wzrostu 5 wynosila 10 i mniej na cm?. W tym przypadku wyhodowany krysztal praktycznie aie zawiera dys¬ lokacji, zarówno nasladujacych jak i nowouksztal- towanych i posiada relief podstawowej powierzch¬ ni wzrostu, skladajacy sie z komórkowych akce- W sorii bez aktywnych naróz oraz nit posiadajacy na powierzchni wzrostu, odcinkdw zlozonych ze scian wyzszych indeksów. r.Proponowany sposób pozwala na otrzymywanie, I* na przyklad monokrysztalów kwarcu plezoelek- ' U trycznego, posiadajacych dobroc okolo (M0V co ' pozwala na stosowanie ich do produkcji precyzyj¬ nych rezonatorów kwarcowych. Krysztaly te prak¬ tycznie nie posiadaja dyslokacji, sa optycznie jed¬ norodne, przepuszczaja ponad 90% promieni w ultrafioletowej czesci widma, przy grubosci 200 mm. PL

Claims (4)

1. Zastrzezenia patentowe 25 l. Sposób wytwarzania monokrysztalów synte¬ tycznych, z roztworów hydrotermalnych, metoda spadku temperatury z zastosowaniem zarodkowych plytek krystalicznych umieszczonych na elemen¬ tach mocujacych w autoklawie, znamienny tym, ze 30 zarodkowe plyty (3) krystaliczne ustawia sie tak, ze ich glówne powierzchnie wzrostu tworza z wek¬ torem sily ciazenia kat 90° — 45°.

2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze górna glówna powierzchnia wzrostu krystalicznych 35 plytek (3' i 3") zarodkowych ekranowana jest plytka (11) z materialu obcego, która jednoczesnie jest uchwytem krysztalu, w wyniku czego wzrost krysztalu nastepuje glównie na dowolnej glównej powierzchni wzrostu zarodkowej plytki (3' i 3") ^o krystalicznej.

3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze rozmiary zarodkowych plytek (3) krystalicznych i plytek ekranujacych (10, 11) dobiera sie tak, aby w ciagu calego cyklu powstawania krysztalu nie *5 wystawal on poza obreb plytki (10, 11) ekranu¬ jacej.

4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako zarodkowe plytki (3) krystaliczne stosuje sie plytki, w których ilosc wyjsc dyslokacji na dolna M glówna powierzchnie (5) wzrostu krysztalu wy¬ nosi 10 i mniej sztuk na cm2.88 638 ¦'/:¦¦¦ ¦:0~.-:?-:-» mi88 638 // *X M in f/fiJ 4 +x- J'- -n- £_, # *¦ A "m FIB.2 ?. F/6.3 muu.Uu.wuu ukii*ak ** fib.4 Cena 10 zl WDL. zam. 33U. 115 szt. PL