PL87270B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL87270B1 PL87270B1 PL16735173A PL16735173A PL87270B1 PL 87270 B1 PL87270 B1 PL 87270B1 PL 16735173 A PL16735173 A PL 16735173A PL 16735173 A PL16735173 A PL 16735173A PL 87270 B1 PL87270 B1 PL 87270B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- weight
- amount
- parts
- dioxide
- dielectric
- Prior art date
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 9
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 3
- DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;zinc Chemical compound [Zn].OO DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania dielektryka ceramicznego otrzymywanego na bazie dwu¬ tlenku tytanu, dwutlenku cyrkonu i tlenku cynku.Dielektryk jest przeznaczony do produkcji kondensatorów typu I charakteryzujacych sie liniowymi zmia¬ nami pojemnosci w funkcji temperatury i ma postac ksztaltek na kondensatory o stalej lub zmiennej pojemnosci lub ceramicznych plytek podlozowych dla potrzeb elektroniki.Znany z opisu patentowego RFN nr 977 559 dielektryk jest wytwarzany z dwutlenku tytanu, dwutlenku cyrkonu i tlenku cynku. Sklada sie on z okolo 50% molowych Ti02, 20-50% molowych Zr02 i 1-30% molo¬ wych ZnO. Podstawowe parametry elektryczne dielektryka wynosza: stala dielektryczna E = 34,5—42, tempe¬ raturowy wspólczynnik pojemnosci TWP = od -50 X 10"6/°C do -114X 10"6/?C, wspólczynnik stratnosci tg5 = 0,9-10,2 X 10"4.Dielektryk znany z brytyjskiego opisu patentowego nr 1 058 801 sklada sie z 30-50% dwutlenku tytanu, -45% dwutlenku cyrkonu, 10-20% dwutlenku cyny i niewielkich ilosci do 5% tlenku niklu. Podstawowe parametry dielektryka: E = 36-42, TWP = ±20 X 10-6/°C,tg5 = 0,5 X 10"3.Dielektryk znany z francuskiego opisu patentowego nr 1 059 379 jest wytwarzany z 34-45 g Ti02, 27-40 g Zr02, 7-9 g BaC03, 3-4 g ZnO, 1-10 g Sn02, 9-18 g krzemianu glinu lub gliny. Stala dielektryczna w tym przypadku wynosi 25-30, TWP = -25 X 10"6/°C.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania dielektryka ceramicznego do produkcji kondensa¬ torów typu I o stalej lub zmiennej pojemnosci lub ceramicznych plytek podlozowych, otrzymywanego na bazie dwutlenku tytanu, dwutlenku cyrkonu i tlenku cynku, majacego przenikalnosc elektryczna 24—85, temperatu¬ rowy wspólczynnik pojemnosci od +100 X 10"6/°C do -750 X 10"6/°C, maly wspólczynnik stratnosci zarów¬ no przy czestotliwosci 1 kHz jak i 1 MHz, oraz duza opornosc wlasciwa. Parametry te winny nieznacznie zmie¬ niac sie wraz ze wzrostem temperatury, aby kondensatory wytworzone z dielektryka mogly byc stosowane w temperaturach do+160° C.2 87 270 Istota wynalazku polega na dodaniu do mieszaniny dwutlenku tytanu, dwutlenku cyrkonu i tlenku cynku okreslonych ilosci dwutlenku cyny lub fluorku wapnia, ewentualnie dwutlenku cyny i fluorku wapnia.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze mieszanine skladajaca sie z dwutlenku tytanu w ilosci 15—78 czesci wagowych, dwutlenku cyrkonu w ilosci 20—54 czesci wagowych, dwutlenku cynku w ilosci 0,1—35 czesci wagowych oraz dwutlenku cyny w ilosci 3—30 czesci wagowych lub fluorku wapnia w ilosci 0,1—1 czesci wagowych, ewentualnie dwutlenku cyny w ilosci 2—8 czesci wagowych i fluorku wapnia w ilosci 0,1—1,5 czesci wagowych, miele sie do uziarnienia ponizej 10 mikrometrów, miesza sie z plastyfikatorem, a nastepnie z tak otrzymanego tworzywa formuje sie elementy dielektryczne, wypala sie je w temperaturze 1300—1380°C w zale¬ znosci od zawartosci, w mieszaninie dwutlenku cyny i fluorku wapnia, przy czym mieszanine przed zmieszaniem z plastyfikatorem ewentualnie spieka sie w temperaturze 1250—1300°C i ponownie miele do uziarnienia ponizej mikrometrów z dodatkiem dwutlenku tytanu w ilosci do 5% wagowych.W zaleznosci do wymagan, jakie ma spelniac kondensator ceramiczny lub ceramiczna plytka podlozowa wytworzona z dielektryka wedlug wynalazku, skladniki mieszaniny zestawia sie w róznych proporcjach.Przykladowe sklady mieszanin w czesciach wagowych: Zestaw 1 II III IV V VI VII TiO, -25 34-41 40-44 44-50 45-50 51-60 68-78 Zr02 -28 -43 48-52 50-54 , 44-50 -48 24-30 ZnO 18-35 6-8 0.5-2 0.1 - 3 0.5-3 0,1 -2 0,1 -3 Sn02 -30 16-20 3-6 - 2-7 3-8 — CaF2 — — 0.1-1 0.1 -1 o,i -1 - 0,1-1 Podstawowe wlasciwosci elektryczne dielektryka wykonanego sposobem wedlug wynalazku: tg5 (X10-4) Zestaw 1 II III IV V :vi VII E 24 41 44 46 53 58-67 82 1 kHz ° Ct 7 7 7 7 6 7 ° 2 3 2 2 2 2 3 1 MHz 160° 2 3 6 6 4 4 4 TWP X10_6/°C + 100 - 47 - 75 -150 -220 -330+-470 -720 om X ° 's 1014 1015 10ls 10ls 1014 1014 cm 160° 1014 '3 '3 '3 1012 1012 1012 Ze wzgledu na prosty technologicznie sposób wytwarzania oraz parametry elektryczne dielektryka cerami¬ cznego wykonanego sposobem wedlug wynalazku, znajduje on szerokie zastosowanie w produkcji wysokiej klasy kondensatorów ceramicznych oraz ceramicznych plytek podlozowych. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania dielektryka ceramicznego w postaci ksztaltek odpowiednich na kondensatory cerami¬ czne lub ceramicznych plytek podlozowych, otrzymanego na bazie dwutlenku tytanu, dwutlenku cyrkonu i tlenku cynku, znamienny tym, ze mieszanine skladajaca sie z dwutlenku tytanu w ilosci 15—78 czesci wagowych, dwutlenku cyrkonu w ilosci 20—54 czesci wagowych, dwutlenku cynku w ilosci 0,1—35 czesci wago¬ wych oraz z dwutlenku cyny w ilosci 3—30 czesci wagowych lub fluorku wapnia w ilosci 0,1—1 czesci wago¬ wych, ewentualnie dwutlenku cyny w ilosci 2—8 czesci wagowych i fluorku wapnia w ilosci 0,1—1,5 czesci wagowych, miele sie do uziarnienia ponizej 10 mikrometrów, miesza z plastyfikatorem, a nastepnie z tak otrzy¬ manego tworzywa formuje sie elementy dielektryczne, wypala sie je w temperaturze 1300-1380°C w zaleznosci od zawartosci w mieszaninie dwutlenku cyny i fluorku wapnia, przy czym mieszanine przed zmieszaniem z pla¬ styfikatorem ewentualnie spieka sie w temperaturze 1250-1300°C i ponownie miele do uziarnienia ponizej 10 mikrometrów z dodatkiem dwutlenku tytanu w ilosci do 5% wagowych. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16735173A PL87270B1 (pl) | 1973-12-15 | 1973-12-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16735173A PL87270B1 (pl) | 1973-12-15 | 1973-12-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL87270B1 true PL87270B1 (pl) | 1976-06-30 |
Family
ID=19965256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16735173A PL87270B1 (pl) | 1973-12-15 | 1973-12-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL87270B1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0295133A1 (en) * | 1987-06-11 | 1988-12-14 | Tam Ceramics Inc. | Temperature stable dielectric composition at high low frequencies |
-
1973
- 1973-12-15 PL PL16735173A patent/PL87270B1/pl unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0295133A1 (en) * | 1987-06-11 | 1988-12-14 | Tam Ceramics Inc. | Temperature stable dielectric composition at high low frequencies |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105924155A (zh) | 无铅压电陶瓷材料和无铅压电元件 | |
| PL87270B1 (pl) | ||
| JPS6118283B2 (pl) | ||
| US4477581A (en) | High permittivity ceramic compositions | |
| CN113563073B (zh) | 一种高稳定的无铅压电陶瓷及其制备方法 | |
| JPS6128619B2 (pl) | ||
| JP3095941B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| CN1053518C (zh) | 中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料 | |
| CN105733095A (zh) | 一种金属化薄膜大功率电容器及其制备方法 | |
| JPH05182523A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6114611B2 (pl) | ||
| JP3457714B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS621596B2 (pl) | ||
| JPH0510764B2 (pl) | ||
| JPS6128620B2 (pl) | ||
| JPS6031793B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR950014718B1 (ko) | 전자파 장해 필터용 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 | |
| SU398525A1 (ru) | Стеклокерамический материал | |
| JPS6114608B2 (pl) | ||
| PL80667B2 (pl) | ||
| JPS6258129B2 (pl) | ||
| SU1604798A1 (ru) | Керамический материал | |
| SU1379284A1 (ru) | Шихта дл изготовлени фарфоровых изол торов | |
| JPS63116305A (ja) | 誘電体磁気組成物 | |
| JPH0459265B2 (pl) |