PL85986B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL85986B1
PL85986B1 PL16861674A PL16861674A PL85986B1 PL 85986 B1 PL85986 B1 PL 85986B1 PL 16861674 A PL16861674 A PL 16861674A PL 16861674 A PL16861674 A PL 16861674A PL 85986 B1 PL85986 B1 PL 85986B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
amplifier
resistor
divider
stage
input
Prior art date
Application number
PL16861674A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16861674A priority Critical patent/PL85986B1/pl
Publication of PL85986B1 publication Critical patent/PL85986B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz pradu stalego o duzej rezystancji wejsciowej, zwlaszcza do woltomierza cyfrowego.Znany jest wzmacniacz pradu stalego do woltomierza cyfrowego, posiadajacy dwa symetryczne stopnie wzmocnienia. Pierwszy stopien zbudowany jest na podwójnym tranzystorze polowym, którego bramki stanowia wejscie wzmacniacza. Zródla tranzystora polaczone sa ze zródlem o stalej wydajnosci pradowej, zas dreny, poprzez identyczne co do wartosci rezystory, z rezystorem regulowanym. Odczep rezystora regulowanego polaczony jest ze zródlem napiecia zasilajacego. Drugi stopien wzmocnienia zbudowany jest przy uzyciu wzmacniacza pradu stalego, którego wejscia polaczone sa odpowiednio z drenami tranzystora polowego, natomiast wyjscie stanowi wyjscie calego wzmacniacza. Rezystor regulowany umieszczony w pierwszym stopniu sluzy do kompensacji napiecia niezrównowazenia wzmacniacza.W znanym ukladzie regulacja napiecia niezrównowazenia wzmacniacza powoduje zmiane pradów obu tranzystorów symetrycznego tranzystora polowego, a tym samym wplywa na wartosc wspólczynnika termicz¬ nego naiecia niezrównowazenia tego stopnia. Wartosc tego wspólczynnika wynika z róznic parametrów tranzystorów symetrycznego tranzystora polowego. W aktualnie produkowanych tranzystorach polowych zmiany te wynosza nie mniej niz piec mikrowoltów na stopien Celsjusza.Celem wynalazku jest zmniejszenie temperaturowych zmian napiecia niezrównowazenia wzmacniacza^zyli zmniejszenie dryftu termicznego zera wzmacniacza. Cel ten zgodnie z wynalazkiem osiagnieto przez umieszczenie rezystora regulowanego , sluzacego do kompensacji napiecia niezrównowazenia, w drugim stopniu symetrycznym wzmacniacza, przy czym stopien ten zbudowany jest przy uzyciu dwóch wzmacniaczy pradu stalego pracujacych w ukladzie lokalnego ujemnego sprzezenia zwrotnego, realizowanego za pomoca dzielnika rezystancyjnego, zas dreny tranzystora polowego pierwszego stopnia polaczone sa ze zródlem napiecia zasilajacego poprzez rózne co do wartosci rezystory. Drugi stopien wzmacniacza zbudowany jest tak, ze pierwsze wejscia wzmacniaczy pradu stalego polaczone sa z drenami tranzystora polowego, drugie wejscie pierwszego wzmacniacza poprzez pierwszy rezystor dzielnika polaczone jest z wyjsciem tego wzmacniacza i poprzez drugi rezystor dzielnika z trzecim2 85986 rezystorem tego dzielnika. Drugie wejscie drugiego wzmacniacza polaczone jst poprzez czwarty rezystor dzielnika z wyjsciem tego wzmacniacza i poprzez piaty rezystor dzielnika z punktem polaczenia rezystora drugiego i trzeciego. Trzeci rezystor polaczony jest druga koncówka z punktem o potencjale odniesienia ukladu. Rezystor regulowany polaczony jest ze zródlem napiecia zasilajacego, a jego odczep poprzez rezystor obwodu zerowania z drugim wejsciem drugiego wzmacniacza tego stopnia. Wyjscia wzmacniaczy drugiego stopnia polaczone sa z wejsciami symetrycznego wzmacniacza trzeciego stopnia, którego wyjscie stanowi wyjscie calego wzmacniacza.Kompensacja napiecia niezrównowazenia wzmacniacza realizowana w drugim stopniu symetrycznym nie wplywa na wartosc pradów drenów pierwszego stopnia, dzieki czemu dryft termiczny zera wzmacniacza jest niewielki.Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykladzie wykonania na rysunku, który przedstawia schemat ideowy wzmacniacza. Pierwszy stopien zbudowany jest na podwójnym tranzystorze polowym T1. Bramki tranzystora T1 stanowia wejscie WE wzmacniacza. Dreny polaczone sa poprzez rózne co do wartosci rezystory R1 i R2 z dodatnim biegunem +V napiecia zasilajacego. Zródla tranzystora polowego T1 polaczone sa z kolektorem tranzystora T2 ukladu stanowiacego zródlo o stalej wydajnosci pradowej. Emiter tranzystora T2 polaczony jest poprzez rezystor R3 a baza poprzez rezystor R4 z ujemnym biegunem —V napiecia zasilajacego.Baza tranzystora T2 polaczona jest ponadto poprzez rezystor R5 z punktem o potencjale odniesienia ukladu.Drugi stopien symetryczny zbudowany jest przy uzyciu dwóch wzmacniaczy pradu stalego W1 i W2, pracujacych w ukladzie lokalnego ujemnego sprzezenia zwrotnego, realizowanego za pomoca dzielnika rezystancyjnego.Pierwsze wejscia 1 wzmacniaczy W1 iW2 polaczone sa z drenami tranzystora polowego T1. Drugie wejscie 2 pierwszego wzmacniacza W1 polaczone jest poprzez pierwszy rezystor R6 dzielnika z wyjsciem tego wzmacniacza W1 i poprzez drugi rezystor R7 dzielnika z trzecim rezystorem R10 tego dzielnika. Drugie wejscie 2 drugiego wzmacniacza W2 polaczone jest poprzez czwarty rezystor R8 dzielnika z wyjsciem tego wzmacniacza W2 i poprzez piaty rezystor R9 dzielnika z punktem polaczenia drugiego rezystora R7 i trzeciego rezystora R10 tego dzielnika. Druga koncówka trzeciego rezystora R10 dzielnika polaczona jest z punktem o potencjale odniesienia ukladu. Rezystor regulowany R polaczony je:,t z biegunami dodatnim +V i ujemnym —V napiecia zasilajacego a jego odczep poprzez rezystor R11 obwodu zerowania z drugim wejsciem 2 drugiego wzmacniacza W2. Wyjscia wzmacniaczy W1 iW2 drugiego stopnia polaczone sa z wejsciami 1 i 2 wzmacniacza W3 trzeciego stopnia, którego wyjscie stanowi wyjscie WY calego wzmacniacza.Innym przykladem wykonania wzmacniacza jest uklad, w którym odczep rezystora regulowanego R polaczony jest poprzez rezystor R11 z drugim wejsciem 2 pierwszego wzmacniacza W1.Dzialanie przedstawionego wzmacniacza jest nastepujace: w pierwszym stopniu oba tranzystory symetrycz¬ nego tranzystora polowego pracuja z róznymi pradami drenów dobranymi za pomoca rezystorów R1 i R2 charakteryzujacych sie zblizonymi do siebie wartosciami wspólczynników temperaturowych. Prady tych tranzystorów sa tak dobrane, by ich zmiany termiczne byly jednakowe. Drugi stopien symetryczny, którego wejscia stanowia pierwsze wejscia 1 wzmacniaczy W1 i W2, sterowany jest róznica napiec na drenach pierwszego stopnia, która jest stala w funkcji zmian temperatury. Po wzmocnieniu w drugim stopniu róznica ta steruje trzecim stopniem symetrycznym. Kompensacja termiczna pierwszego stopnia osiagnieta za pomoca odpowiednio dobranych rezystorów R1 i R2 drenów powoduje zmiany napiecia niezrównowazenia tego stopnia. Napiecie to jest kompensowane za pomoca rezystora regulowanego R przez zmiane potencjalu wejscia 1 wzmacniacza W2.Zmieniajac potencjal tego wejscia 2, uzyskuje sie napiecie na wyjsciu WY wzmacniacza równe zero, przy sprowadzeniu wejsc WE do potencjalu odniesienia. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz pradu stalego posiadajacy pierwszy stopien symetryczny zbudowany na podwójnym tranzys¬ torze polowym, którego bramki stanowia wejscie wzmacniacza, dreny polaczone sa poprzez rózne co do wartosci rezystory ze zródlem napiecia zasilajacego, zas zródla ze zródlem o stalej wydajnosci pradowej drugi stopien symetryczny zbudowany przy uzyciu dwóch wzmacniaczy pradu stalego pracujacych w ukladzie lokalnego ujemnego sprzezenia zwrotnego realizowanego za pomoca dzielnika rezystancyjnego, których pierwsze wejscia polaczone sa z drenami tranzystora polowego, drugie wejscie pierwszego wzmacniacza polaczone jest poprzez pierwszy rezystor dzielnika z wyjsciem tego wzmacniacza i poprzez drugi rezystor dzielnika z trzecim rezystorem tego dzielnika, drugie wejscie drugiego wzmacniacza polaczone jest poprzez czwarty rezystor dzielnika z wyjsciem tego wzmacniacza i poprzez piaty rezystor dzielnika z punktem polaczenia rezystora drugiego I rezystora trzeciego, którego druga koncówka polaczona jest z punktem o potencjale odniesienia, zas wyjscia, wzmacniaczy polaczone sa z wejsciami symetrycznego wzmacniacza trzeciego stopnia, którego wyjscie stanowi85 986 3 wyjscie calego wzmacniacza oraz rezystor regulowany sluzacy do kompensacji napiecia niezrównowazema wzmacniacza, znamienny tym, ze rezystor regulowany (R) polaczony jest ze zródlem ( + V, —V) napiecia zasilajacego, a jego odczep, poprzez rezystor (R11) obwodu zerowania polaczony jest z drugim wejsciem (2) drugiego wzmacniacza (W2) drugiego stopnia. I PL
PL16861674A 1974-02-06 1974-02-06 PL85986B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16861674A PL85986B1 (pl) 1974-02-06 1974-02-06

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16861674A PL85986B1 (pl) 1974-02-06 1974-02-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL85986B1 true PL85986B1 (pl) 1976-05-31

Family

ID=19965975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16861674A PL85986B1 (pl) 1974-02-06 1974-02-06

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL85986B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3444476A (en) Direct coupled amplifier with feedback for d.c. error correction
JPS5475981A (en) Electronic switching circuit
KR920010237B1 (ko) 증폭회로
SE416694B (sv) Forsterkningsregleringskoppling
US3304513A (en) Differential direct-current amplifier
US3430106A (en) Differential light responsive circuits with a solar cell connected between the inputs of the amplifiers
PL85986B1 (pl)
JP2542375B2 (ja) 演算増幅器
ATE14173T1 (de) Schaltungsanordnung fuer einen differenzverstaerker mit praeziser aktiver last.
US4590438A (en) Bipolar transistor circuit with FET constant current source
RU2105408C1 (ru) Устройство с отрицательным сопротивлением
ATE36789T1 (de) Verstaerker, der fuer den betrieb mit niedriger versorgungsspannung geeignet ist.
SU1279395A1 (ru) Источник опорного напр жени
RU1788567C (ru) Двухтактный усилитель мощности
SU1589377A1 (ru) Усилитель мощности
RU1838876C (ru) Дифференциальный усилитель тока
SU811236A1 (ru) Термозависимый источник опорногоНАпР жЕНи
SU126957A1 (ru) Устройство дл реверсировани тока
SU634449A1 (ru) Усилитель
SU838676A1 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
SU788218A1 (ru) Устройство гальванической разв зки
RU2175165C1 (ru) Устройство с отрицательным сопротивлением
SU1727193A1 (ru) Усилитель
KR830001616B1 (ko) 증폭기
KR840001334Y1 (ko) 위상반전회로(位相反轉回路)