PL85867B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL85867B1
PL85867B1 PL16392073A PL16392073A PL85867B1 PL 85867 B1 PL85867 B1 PL 85867B1 PL 16392073 A PL16392073 A PL 16392073A PL 16392073 A PL16392073 A PL 16392073A PL 85867 B1 PL85867 B1 PL 85867B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
contacts
silver
titanium
vacuum
surface layer
Prior art date
Application number
PL16392073A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16392073A priority Critical patent/PL85867B1/pl
Publication of PL85867B1 publication Critical patent/PL85867B1/pl

Links

Landscapes

  • Contacts (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania zestyków, zwlaszcza przeznaczonych dla kontaktronów do pracy w obwodach mikromocy.Dotychczas znane sposoby wytwarzania zestyków kontaktronów polegaja na elektrolitycznym lub prózniowym nanoszeniu, tj. naparowywaniu lub rozpylaniu katodowym, materialów kontaktowych takich jak np. zloto i rod na styczki. Obróbka drutu, z którego wykonywane sa styczki, pokrywanie styczek materialem kontaktowym i zatapianie zestyków w rurkach szklanych sa operacjami charakterystycznymi dla technologii stosowanych w poszczególnych zakladach produkcyjnych.Cecha wspólna dotychczas znanych sposobów wytwarzania zestyków jest to, ze o jakosci wytworzonego elementu decyduje dobór i sposób wytwarzania warstw kontaktowych.Zasadnicza niedogodnoscia techniczna znanych sposobów wytwarzania zestyków kontaktronów, przezna¬ czonych zwlaszcza do pracy w obwodach mikromocy, jest to, ze takie materialy kontaktowe jak np. rod, które zapewniaja wysoka niezawodnosc, charakteryzuja sie bardzo skomplikowana technologia nakladania, natomiast inne materialy kontaktowe, których technologia nakladania jest latwa, odznaczaja sie niska niezawodnoscia.' Trudnosci technologiczne podczas procesu nakladania rodu wynikaja z wysokiej wrazliwosci tego materia¬ lu kontaktowego na zanieczyszczenia. Dla zabezpieczenia sie przed wprowadzeniem szkodliwych domieszek w procesie elektrolizy wymagane jest stosowanie bardzo ostrych i skomplikowanych warunków technologicz¬ nych. Z kolei niska niezawodnosc zestyków kontaktronów pokrytych zlotem wynika z fizycznych wlasnosci tego materialu kontaktowego, który podczas pracy zwlaszcza w obwodach mikromocy szybko ulega erozji powodujac wzrost i niestabilnosc rezystancji przejscia.Celem wynalazku jest zwiekszenie niezawodnosci i trwalosci zestyków kontaktronów pracujacych zwlasz¬ cza w obwodach mikromocy, przy jednoczesnym uproszczeniu procesu wytwarzania, zas zagadnieniem technicz¬ nym jest opracowanie sposobu wytwarzania umozliwiajacego osiagniecie tego celu.Zagadnienie to zostalo rozwiazane przez naparowywanie w prózni o cisnieniu mniejszym niz 10~*Tr na uprzednio oczyszczone bombardowaniem jonowym styczki warstwy podkladowej ze stopu chrom-nikiel o grubosci 0,1—1/im, a nastepnie warstwy powierzchniowej zawierajacej 1—30% tytanu i 70-99% srebra, otrzymy-2 85 867 wanej na drodze kolejnego naparowywania warstw srebra i tytanu lub równoczesnego naparowywania srebra i tytanu, po czym tak otrzymane zestyki poddano wygrzewaniu w temperaturze 300-700°C przez kilkanascie do kilkuset minut w atmosferze gazu obojetnego lub redukujacego, albo w prózni.Zasadnicza korzyscia techniczna wynikajaca ze stosowania sposobu wytwarzania wedlug wynalazku jest wyeliminowanie koniecznosci stosowania skomplikowanych i trudnych do kontroli procesów nakladania warstw kontaktowych. Dalsza korzyscia tego sposobu wytwarzania jest to, ze otrzymane tym sposobem zestyki odznaczaja sie zwlaszcza w zakresie mikromocy zwiekszona niezawodnoscia, oraz obnizona i stabilna rezystancja przejscia.Przedmiot wynalazku przedstawiony jest w przykladach wykonania.Przyklad I. Oczyszczone styczki, wykonane ze stopu niklu i zelaza, umieszcza sie w komorze roboczej naparowywarki prózniowej, po czym po odpompowaniu do prózni 0,1 Trwlacza sie wysokie napiecie i oczyszcza dodatkowo styczki na drodze bombardowania jonowego przez 15 minut z gestoscia pradu 1 A/m3.Po zakonczeniu oczyszczenia jonowego odpompowuje sie resztki gazowe z komory roboczej naparowywarki do cisnienia 2 x 10"6Tr i podgrzewa styczki do temperatury 150°C. Z grzejnika oporowego odparowuje sie warstwe podkladowa ze stopu chrom nikiel o zawartosci 20% chromu i 80% niklu az do otrzymania na styczkach warstwy o grubosci 0,2/im.Nastepnie z jednego grzejnika oporowego odparowuje sie srebro o czystosci 99,9% z szybkoscia 2—10A/sek az do uzyskania pierwszej warstwy powierzchniowej o grubosci co najmniej 1/zm, po czym z drugiego grzejnika oporowego odparowuje sie tytan o czystosci 99,9% z szybkoscia kilkadziesiat A/sek az do uzyskania drugiej warstwy powierzchniowej o grubosci 0,1/im. Z kolei ponownie odparowuje sie srebro z szybkoscia 2—10A/sek az do uzyskania trzeciej warstwy powierzchniowej o grubosci 0,01—0,1/zm. Po ochlodzeniu zestyków do temperatu¬ ry pokojowej i wyjeciu z aparatury prózniowej wygrzewa sie je w piecu przez 1 godzine w temperaturze 600°C w atmosferze wodoru, po czym w znany sposób zatapia sie zestyki w rurkach szklanych i zloci koncówki. Tak otrzymane kóntaktrony pracujac z obciazeniem 1 mV i 1 mA osiagaja trwalosc wieksza niz 108 laczen nie przekraczajac rezystancji 100 m£2.Przyklad II. Na styczki oczyszczone na drodze bombardowania jonowego jak w przykladzie I odparowuje sie warstwe podkladowa ze stopu chrom—nikiel o zawartosci 20% chromu i 80% niklu az do otrzymania na styczkach warstwy o grubosci 0,2jum. Nastepnie z jednego grzejnika oporowego odparowuje sie srebro o czystosci 99,9% z szybkoscia 2—10A/sek az do uzyskania pierwszej warstwy powierzchniowej o grubosci co najmniej 1jum, po czym z drugiego grzejnika oporowego odparowuje sie tytan o czystosci 99,9% z szybkoscia kilkadziesiat A/sek az do uzyskania drugiej warstwy powierzchniowej o grubosci 0,1jum. Po ochlodzeniu zestyków do temperatury pokojowej i wyjeciu z aparatury wygrzewa sie je w piecu przez 40 minut w temperatu¬ rze 550°C w atmosferze wodoru. Kóntaktrony z tak otrzymanymi zestykami pracujac z obciazeniem 10 mV do mA osiagaja trwalosc wieksza niz 108 laczen nie przekraczajac rezystancji 100 m£2.Przyklad III. Na styczki, na których naparowano warstwe podkladowa jak w przykladzie I, odparowuje sie równoczesnie z jednego grzejnika oporowego srebro z szybkoscia 20A/sek, a z drugiego grzejnika oporowego tytan z szybkoscia 2A/sek az do uzyskania warstwy powierzchniowej o grubosci 2/im, zawierajacej 80% srebra i 20% tytanu, po czym postepuje sie dalej jak w przykladzie I. Kóntaktrony z tak otrzymanymi zestykami pracujac z obciazeniem 20 mV i 1 mA osiagaja trwalosc okolo 10B laczen nie przekraczajac rezystancji 200£2m. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania zestyków, polegajacy na prózniowym naparowywaniu warstw kontaktowych, zna¬ mienny tym, ze na oczyszczone bombardowaniem jonowym styczki w prózni o cisnieniu mniejszym niz 10"5Tr naparowuje sie warstwe podkladowa ze stopu chrom-nikiel o grubosci 0,1-1/im, a nastepnie warstwe powierzchniowa zawierajaca 1-30% tytanu i 70-99% srebra, otrzymana na drodze kolejnego naparowywania warstw srebra i tytanu, lub równoczesnego naparowywania srebra i tytanu, po czym tak otrzymane zestyki poddaje sie wygrzewaniu w temperaturze 300-700°C przez kilkanascie do kilkuset minut w atmosferze gazu obojetnego lub redukujacego, albo w prózni. Prac. Poligraf. UP PRL. Naklad 120 + 18 egz. Cena 10 zl PL
PL16392073A 1973-07-07 1973-07-07 PL85867B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16392073A PL85867B1 (pl) 1973-07-07 1973-07-07

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16392073A PL85867B1 (pl) 1973-07-07 1973-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL85867B1 true PL85867B1 (pl) 1976-05-31

Family

ID=19963381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16392073A PL85867B1 (pl) 1973-07-07 1973-07-07

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL85867B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3181936A (en) Superconductors and method for the preparation thereof
Thornton High rate thick film growth
EP2915906B1 (en) Production method for electrode for electrolysis
JPS61214312A (ja) 電気接触部材用複合体およびその製法
CN114774752A (zh) 一种高强高韧TiZrNbMoV难熔高熵合金及其制备方法
Muggleton Deposition techniques for the preparation of thin film nuclear targets
JP2557486B2 (ja) 超電導セラミックス長尺体の製造方法および超電導セラミックス長尺体
EP4372126A1 (en) Electrode for industrial electrolytic process
EP0061887B1 (en) A method of producing a resistance element for a resistance thermometer
PL85867B1 (pl)
US2422609A (en) Production of metallic surface layers
US3537891A (en) Resistor films of transition metal nitrides and method of forming
US3015587A (en) Rhodium germanium film resistor
US3129163A (en) Anode for electrolytic cell
US3125654A (en) Electrical contacting surfaces
CN1026637C (zh) 银-氧化锡电接触材料及其制造方法
Cox Variation of the critical breakdown field between copper electrodes in vacuo
US940151A (en) Resistance unit.
US4129765A (en) Electrical switching contact
US3232803A (en) Chemical etching of tungsten
Reichelt Vapour deposition of gold alloys: Developments in radio-frequency sputtering of electrical contact surfaces
KR102259204B1 (ko) 경질 차폐물 상의 실리콘 코팅
Navinšek Stainless-steel, nickel and brass protective films produced by cathode sputtering
JPH02112192A (ja) 箔状発熱体
US3315208A (en) Nitrogen stabilized titanium thin film resistor and method of making same