PL85867B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL85867B1 PL85867B1 PL16392073A PL16392073A PL85867B1 PL 85867 B1 PL85867 B1 PL 85867B1 PL 16392073 A PL16392073 A PL 16392073A PL 16392073 A PL16392073 A PL 16392073A PL 85867 B1 PL85867 B1 PL 85867B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- contacts
- silver
- titanium
- vacuum
- surface layer
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Contacts (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania zestyków, zwlaszcza przeznaczonych dla kontaktronów do pracy w obwodach mikromocy.Dotychczas znane sposoby wytwarzania zestyków kontaktronów polegaja na elektrolitycznym lub prózniowym nanoszeniu, tj. naparowywaniu lub rozpylaniu katodowym, materialów kontaktowych takich jak np. zloto i rod na styczki. Obróbka drutu, z którego wykonywane sa styczki, pokrywanie styczek materialem kontaktowym i zatapianie zestyków w rurkach szklanych sa operacjami charakterystycznymi dla technologii stosowanych w poszczególnych zakladach produkcyjnych.Cecha wspólna dotychczas znanych sposobów wytwarzania zestyków jest to, ze o jakosci wytworzonego elementu decyduje dobór i sposób wytwarzania warstw kontaktowych.Zasadnicza niedogodnoscia techniczna znanych sposobów wytwarzania zestyków kontaktronów, przezna¬ czonych zwlaszcza do pracy w obwodach mikromocy, jest to, ze takie materialy kontaktowe jak np. rod, które zapewniaja wysoka niezawodnosc, charakteryzuja sie bardzo skomplikowana technologia nakladania, natomiast inne materialy kontaktowe, których technologia nakladania jest latwa, odznaczaja sie niska niezawodnoscia.' Trudnosci technologiczne podczas procesu nakladania rodu wynikaja z wysokiej wrazliwosci tego materia¬ lu kontaktowego na zanieczyszczenia. Dla zabezpieczenia sie przed wprowadzeniem szkodliwych domieszek w procesie elektrolizy wymagane jest stosowanie bardzo ostrych i skomplikowanych warunków technologicz¬ nych. Z kolei niska niezawodnosc zestyków kontaktronów pokrytych zlotem wynika z fizycznych wlasnosci tego materialu kontaktowego, który podczas pracy zwlaszcza w obwodach mikromocy szybko ulega erozji powodujac wzrost i niestabilnosc rezystancji przejscia.Celem wynalazku jest zwiekszenie niezawodnosci i trwalosci zestyków kontaktronów pracujacych zwlasz¬ cza w obwodach mikromocy, przy jednoczesnym uproszczeniu procesu wytwarzania, zas zagadnieniem technicz¬ nym jest opracowanie sposobu wytwarzania umozliwiajacego osiagniecie tego celu.Zagadnienie to zostalo rozwiazane przez naparowywanie w prózni o cisnieniu mniejszym niz 10~*Tr na uprzednio oczyszczone bombardowaniem jonowym styczki warstwy podkladowej ze stopu chrom-nikiel o grubosci 0,1—1/im, a nastepnie warstwy powierzchniowej zawierajacej 1—30% tytanu i 70-99% srebra, otrzymy-2 85 867 wanej na drodze kolejnego naparowywania warstw srebra i tytanu lub równoczesnego naparowywania srebra i tytanu, po czym tak otrzymane zestyki poddano wygrzewaniu w temperaturze 300-700°C przez kilkanascie do kilkuset minut w atmosferze gazu obojetnego lub redukujacego, albo w prózni.Zasadnicza korzyscia techniczna wynikajaca ze stosowania sposobu wytwarzania wedlug wynalazku jest wyeliminowanie koniecznosci stosowania skomplikowanych i trudnych do kontroli procesów nakladania warstw kontaktowych. Dalsza korzyscia tego sposobu wytwarzania jest to, ze otrzymane tym sposobem zestyki odznaczaja sie zwlaszcza w zakresie mikromocy zwiekszona niezawodnoscia, oraz obnizona i stabilna rezystancja przejscia.Przedmiot wynalazku przedstawiony jest w przykladach wykonania.Przyklad I. Oczyszczone styczki, wykonane ze stopu niklu i zelaza, umieszcza sie w komorze roboczej naparowywarki prózniowej, po czym po odpompowaniu do prózni 0,1 Trwlacza sie wysokie napiecie i oczyszcza dodatkowo styczki na drodze bombardowania jonowego przez 15 minut z gestoscia pradu 1 A/m3.Po zakonczeniu oczyszczenia jonowego odpompowuje sie resztki gazowe z komory roboczej naparowywarki do cisnienia 2 x 10"6Tr i podgrzewa styczki do temperatury 150°C. Z grzejnika oporowego odparowuje sie warstwe podkladowa ze stopu chrom nikiel o zawartosci 20% chromu i 80% niklu az do otrzymania na styczkach warstwy o grubosci 0,2/im.Nastepnie z jednego grzejnika oporowego odparowuje sie srebro o czystosci 99,9% z szybkoscia 2—10A/sek az do uzyskania pierwszej warstwy powierzchniowej o grubosci co najmniej 1/zm, po czym z drugiego grzejnika oporowego odparowuje sie tytan o czystosci 99,9% z szybkoscia kilkadziesiat A/sek az do uzyskania drugiej warstwy powierzchniowej o grubosci 0,1/im. Z kolei ponownie odparowuje sie srebro z szybkoscia 2—10A/sek az do uzyskania trzeciej warstwy powierzchniowej o grubosci 0,01—0,1/zm. Po ochlodzeniu zestyków do temperatu¬ ry pokojowej i wyjeciu z aparatury prózniowej wygrzewa sie je w piecu przez 1 godzine w temperaturze 600°C w atmosferze wodoru, po czym w znany sposób zatapia sie zestyki w rurkach szklanych i zloci koncówki. Tak otrzymane kóntaktrony pracujac z obciazeniem 1 mV i 1 mA osiagaja trwalosc wieksza niz 108 laczen nie przekraczajac rezystancji 100 m£2.Przyklad II. Na styczki oczyszczone na drodze bombardowania jonowego jak w przykladzie I odparowuje sie warstwe podkladowa ze stopu chrom—nikiel o zawartosci 20% chromu i 80% niklu az do otrzymania na styczkach warstwy o grubosci 0,2jum. Nastepnie z jednego grzejnika oporowego odparowuje sie srebro o czystosci 99,9% z szybkoscia 2—10A/sek az do uzyskania pierwszej warstwy powierzchniowej o grubosci co najmniej 1jum, po czym z drugiego grzejnika oporowego odparowuje sie tytan o czystosci 99,9% z szybkoscia kilkadziesiat A/sek az do uzyskania drugiej warstwy powierzchniowej o grubosci 0,1jum. Po ochlodzeniu zestyków do temperatury pokojowej i wyjeciu z aparatury wygrzewa sie je w piecu przez 40 minut w temperatu¬ rze 550°C w atmosferze wodoru. Kóntaktrony z tak otrzymanymi zestykami pracujac z obciazeniem 10 mV do mA osiagaja trwalosc wieksza niz 108 laczen nie przekraczajac rezystancji 100 m£2.Przyklad III. Na styczki, na których naparowano warstwe podkladowa jak w przykladzie I, odparowuje sie równoczesnie z jednego grzejnika oporowego srebro z szybkoscia 20A/sek, a z drugiego grzejnika oporowego tytan z szybkoscia 2A/sek az do uzyskania warstwy powierzchniowej o grubosci 2/im, zawierajacej 80% srebra i 20% tytanu, po czym postepuje sie dalej jak w przykladzie I. Kóntaktrony z tak otrzymanymi zestykami pracujac z obciazeniem 20 mV i 1 mA osiagaja trwalosc okolo 10B laczen nie przekraczajac rezystancji 200£2m. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania zestyków, polegajacy na prózniowym naparowywaniu warstw kontaktowych, zna¬ mienny tym, ze na oczyszczone bombardowaniem jonowym styczki w prózni o cisnieniu mniejszym niz 10"5Tr naparowuje sie warstwe podkladowa ze stopu chrom-nikiel o grubosci 0,1-1/im, a nastepnie warstwe powierzchniowa zawierajaca 1-30% tytanu i 70-99% srebra, otrzymana na drodze kolejnego naparowywania warstw srebra i tytanu, lub równoczesnego naparowywania srebra i tytanu, po czym tak otrzymane zestyki poddaje sie wygrzewaniu w temperaturze 300-700°C przez kilkanascie do kilkuset minut w atmosferze gazu obojetnego lub redukujacego, albo w prózni. Prac. Poligraf. UP PRL. Naklad 120 + 18 egz. Cena 10 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16392073A PL85867B1 (pl) | 1973-07-07 | 1973-07-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16392073A PL85867B1 (pl) | 1973-07-07 | 1973-07-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL85867B1 true PL85867B1 (pl) | 1976-05-31 |
Family
ID=19963381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16392073A PL85867B1 (pl) | 1973-07-07 | 1973-07-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL85867B1 (pl) |
-
1973
- 1973-07-07 PL PL16392073A patent/PL85867B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3181936A (en) | Superconductors and method for the preparation thereof | |
| Thornton | High rate thick film growth | |
| EP2915906B1 (en) | Production method for electrode for electrolysis | |
| JPS61214312A (ja) | 電気接触部材用複合体およびその製法 | |
| CN114774752A (zh) | 一种高强高韧TiZrNbMoV难熔高熵合金及其制备方法 | |
| Muggleton | Deposition techniques for the preparation of thin film nuclear targets | |
| JP2557486B2 (ja) | 超電導セラミックス長尺体の製造方法および超電導セラミックス長尺体 | |
| EP4372126A1 (en) | Electrode for industrial electrolytic process | |
| EP0061887B1 (en) | A method of producing a resistance element for a resistance thermometer | |
| PL85867B1 (pl) | ||
| US2422609A (en) | Production of metallic surface layers | |
| US3537891A (en) | Resistor films of transition metal nitrides and method of forming | |
| US3015587A (en) | Rhodium germanium film resistor | |
| US3129163A (en) | Anode for electrolytic cell | |
| US3125654A (en) | Electrical contacting surfaces | |
| CN1026637C (zh) | 银-氧化锡电接触材料及其制造方法 | |
| Cox | Variation of the critical breakdown field between copper electrodes in vacuo | |
| US940151A (en) | Resistance unit. | |
| US4129765A (en) | Electrical switching contact | |
| US3232803A (en) | Chemical etching of tungsten | |
| Reichelt | Vapour deposition of gold alloys: Developments in radio-frequency sputtering of electrical contact surfaces | |
| KR102259204B1 (ko) | 경질 차폐물 상의 실리콘 코팅 | |
| Navinšek | Stainless-steel, nickel and brass protective films produced by cathode sputtering | |
| JPH02112192A (ja) | 箔状発熱体 | |
| US3315208A (en) | Nitrogen stabilized titanium thin film resistor and method of making same |