PL83398B2 - - Google Patents

Description

W przypadku zauwazalnego, niekorzystnego wplywu pojemnosci diod Zenera na ksztalt impulsu wyjsciowego z przerzutnika, nalezy wlaczyc dodatkowe pojemnosci Cx i C2 bocznikujace zlacza kolektor-baza tranzystorów Tx i T2; pojemnosci te wplywaja równiez na zmiane czasu przerzutu przerzutnika. Jesli zmiana ta jest niekorzystna, to nalezy usunac pojemnosci Clf C2 i wlaczyc dodatkowe pojemnosci C3 i C4 bocznikujace diody Zenera DZj i DZ2.Dzialanie ukladu wedlug wynalazku jest nastepujace. Uklad znajduje sie wstanie stabilnym do czasu pojawienia sie impulsu wejsciowego. Zaklada sie, ze tranzystor Jx jest nasycony. Wtedy potencjal na jego kolektorze, wzgledem masy jest bliski zera. Dioda D3 przewodzi i potencjal VA punktu A jest równiez bliski zera. Zatem dioda Zenera DZ2 w obwodzie bazy tranzystora T2 nie przewodzi i tranzystor T2 jest przytkany. Na jego kolektorze napiecie jest bliskie napieciu zasilania. Dioda D4 nie przewodzi, a potencjal VB punktu B jest na tyle wysoki, ze dioda DZj przewodzi, przepuszczajac prad tak duzy, ze tranzystor Ti jest w nasyceniu. Prad nasycajacy tranzystor T, pobierany jest ze zródla poprzez opornik R4. Potencjal* V|_ w punkcie L, wzgledem masy, jest równy napieciu zasilania, zatem jesli na wejsciu przerzutnika jest potencjal zerowy, to na kondensatorze Ct odklada sie napiecie zasilania. Uklad sterowany jest impulsami dodatnimi. Przy pojawieniu sie impulsu o amplitudzie V kondensator Cx rozladowuje sie do napiecia Uz — V. Potencjaly V|_ i Vm sa wysokie i diody Dx i D2 nie przewodza. Przy zaniku impulsu wejsciowego potencjal Vj opada do wartosci Uz — V i dioda Di zaczyna przewodzic, bowiem potencjal Vb Vl- Jezeli amplituda V jest dostatecznie duza, to Uz — V jest dostatecznie niskie, aby spowodowac zatkanie diody DZi i wyzwolic przerzutnik. Dzialanie separatora S na wyjsciu przerzutnika jest nastepujace. Gdy w punkcie F jest wysoki potencjal, to dioda Ds nie przewodzi i pojemnosc obciazenia C0 ladowania jest ze zródla przez opór Rs. W ten sposób obciazenie nie ma istotnego wplywu na ksztalt impulsu w punkcie F oraz na warunki przerzutu w przerzutniku.Zastosowanie ukladu wedlug wynalazku umozliwia uzyskanie duzego progu przeciwzaklóceniowego przerzutnika oraz zwiekszenie obciazalnosci przerzutnika, zwlaszcza elementami o wejsciach nieoporowych, zwlaszcza pojemnosciowych bez stosowania dodatkowych wtórników emiterowych, przy mozliwosci stosowania elementów wzmacniajacych o niskim wspólczynniku wzmocnienia, zwlaszcza tranzystorów o niskim wspólczynniku wzmocnienia pradowego hFE i stosowania oporników o duzych tolerancjach, przy zachowaniu dobroci dzialania przerzutnika. PL PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Przerzutnik, zwlaszcza tranzystorowy, dwustanowy przerzutnik nasycony zbudowany z elementów wzmacniajacych o niskim wspólczynniku wzmocnienia pradowego, znamienny tym, ze ma w obwodach sterujacych elementami wzmacniajacymi (T! iT2) przerzutnika dwa elementy o charakterystyce progowej, zwlaszcza diody Zenera (DZt, DZ2) oraz ze ma obwody wyzwalania przerzutnika o wejsciach dynamicznych, skladajace sie z kondensatorów wejsciowych (C|, C||), polaczonych szeregowo z opornikami Rjedne koncówki których to oporników (R) polaczone z dodatnimi biegunami napiecia zasilania, zas drugie z katodami diod bramkujacych (Di i D2) oraz, ze do wyjscia przerzutnika jest dolaczony diodowo-oporowy obwód (Ds, Rs) separujacy obciazenie nieoporowe, przy czym elektrody sterujace elementów wzmacniajacych sa odseparowane od odpowiednich elektrod wyjsciowych obwodami diodowo-oporowymi (D3, R3, i D4, R4).

2. W odmianie wykonania przerzutnik wedlug zastrz. 1, znamienny .tym, ze zawiera dodatkowe pojemnosci (Ci, C2) wlaczone miedzy wyjscie, a wejscie elementów (Ti i T2) wzmacniajacych przerzutnika.

3. W odmianie wykonania przerzutnik wedlug zastrz. 1i 2, znamienny tym, ze zawiera dodatkowo pojemnosci (C3, C4) wlaczone równolegle do elementów (DZt i DZ2) o charakterystyce progowej.83388 H* |-or cc PL PL