PL77980B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL77980B2 PL77980B2 PL15600472A PL15600472A PL77980B2 PL 77980 B2 PL77980 B2 PL 77980B2 PL 15600472 A PL15600472 A PL 15600472A PL 15600472 A PL15600472 A PL 15600472A PL 77980 B2 PL77980 B2 PL 77980B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- copper
- aluminum
- thickness
- contact structure
- Prior art date
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000003878 thermal aging Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture Of Switches (AREA)
Description
Od tej pory nanoszona jest warstwa czystej miedzi. Jest to tak zwana warstwa glówna. Od grubosci warstwy glównej zalezy rezystywnosc calej struktury kontaktowej, jej podatnosc na lutowanie oraz odpornosc na rozpuszczanie w stopie lutowniczym.Podczas starzenia termicznego zachodzi dyfuzja chromu z warstwy dolnej i przejsciowej w Warstwe glówna.Wdyfundowany w warstwe miedzi chrom zmienia wymienione wyzej parametry struktury kontaktowej, a w przy¬ padku przedyfundowania az do powierzchni miedzi uniemozliwia jej lutownosc. Z tej przyczyny warstwa glówna nie moze byc zbyt cienka. Dobre parametry struktury kontaktowej uzyskuje sie jedynie wówczas, gdy warstwa glówna jest grubsza niz 1000A.Dla zabezpieczenia miedzi przed utlenianiem w procesie starzenia termicznego zastosowano naniesienie na warstwe miedzi cienkiej warstwy glinu, co dokonywane jest bezposrednio po naniesieniu glównej warstwy miedzianej w tym samym cyklu pompowania stanowiska prózniowego. Po zapowietrzeniu stanowiska prózniowe¬ go warstwa glinu pokrywa sie warstewka tlenku o grubosci kilkunastu A. Ta bardzo szczelna i dokladnie przylegajaca do miedzianego podloza warstewka doskonale zabezpiecza przed utlenieniem lezaca pod nia warstwe miedzi. W tej postaci mikrouklad mozna poddac starzeniu termicznemu do 5009C; w warstwie glinu nastepuje wtedy utlenienie oraz wzajemna dyfuzja glinu i miedzi. Przy zbyt grubej warstwie glinu ilosc glinu wdyfundowanego w warstwe miedzi jest tak duza, ze uniemozliwia jej pózniejsze lutowanie — mimo stosowania trawienia, zas przy zbyt malej grubosci warstwy glinu warstewka jego tlenku jest zbyt cienka i nie zabezpiecza nalezycie warstwy miedzi przed utlenianiem. Dobre parametry fizyczne i elektryczne struktury kontaktowej uzyskuje sie przy zastosowaniu warstwy glinu o grubosci w granicach od 50 do 2000 A.W tej postaci struktura kontaktowa nie daje sie oczywiscie lutowac. Celem zapewnienia dobrej lutownosci struktury nalezy usunac warstwe glinu i pokrywajaca ja warstewka tlenku glinu. Uzyskuje sie to przez chemiczne trawienie na przyklad w roztworze lugu sodowego lub potasowego, a po wyplukaniu resztek lugu cynuje strukture kontaktowa zanurzeniowo z uzyciem kalafonii jako topnika.Omówiona wyzej cienkowarstwowa struktura kontaktowa zostala opracowana pod katem montazu technika lutowania, nadaje sie ona jednak do montazu równiez innymi technikami.Nanoszenie poszczególnych warstw struktury kontaktowej mozna realizowac metoda naparowania próznio¬ wego lub rozpylania katodowego.Zgodnie z wynalazkiem wykonano kilka serii struktur kontaktowych. Podstawowe parametry elektryczne tych struktur nie ustepuja parametrom struktur kontaktowych zawierajacych warstwe zlota, a z uwagi na nizsza rezystywnosc miedzi, ich rezystencja powierzchniowa jest mniejsza od rezystancji powierzchniowej warstw zlotych o tej samej grubosci i wynosi okolo 0,112/kw.Przyklad: Na podloze szklane z wykonana uprzednio znanym sposobem struktura rezystorów osadzono, metoda naparowywania prózniowego, przez maske mechaniczna, warstwe chromu. Jako zródlo par zastosowano ogrzewana oporowo lódke z wolframu. Szybkosc naparowywania chromu wynosila 5A/sek. Po osiagnieciu grubosci warstwy 300A nie przerywajac naparowywania chromu rozpoczeto naparowywanie miedzi z ogrzewanej rezystancyjnie lódki molibdenowej. Szybkosc naparowywania miedzi wynosila 5A/sek. Po osiagnieciu grubosci warstwy przejsciowej okolo 3700A, przerwano naparowywanie chromu. Szybkosc napylania miedzi zwiekszano stopniowo do 30A/sek. Proces przerwano po osiagnieciu grubosci warstwy miedzi równej 6000A. Nastepnie naparowywano z szybkoscia 15A/sek warstwe glinu o grubosci okolo 450A. Jako zródlo par glinu zastosowano lódke tantalowa ogrzewna rezystancyjnie. PL
Claims (3)
- Zastrzeze ni a patentowe 1. Sposób wytwarzania cienkowarstwowych struktur kontaktowych na podlozu izolujacym pokrytym metalem o wysokiej adhezji do podloza korzystnie chromem, znamienny tym, ze na metalizowane podloze77980 3 nanosi sie warstwe przejsciowa zawierajaca miedz i metal podlozowy, nastepnie warstwe glówna z miedzi ora/ warstwe ochronna z glinu.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze nakladanie warstwy przejsciowej prowadzi sie przy stosunku szybkosci osadzania miedzi do metalu podlozowego od 1 :2,5 do 1,6 :1 do siagniecia grubosci powyzej 500A, nakladanie warstwy glównej z miedzi do grubosci powyzej 1000A, a warstwy ochronnej z glinu od 50do2000A.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym ze poszczególne warstwy struktury kontaktowej, naklada sie metoda naparowywania prózniowego lub rozpylania katodowego. PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15600472A PL77980B2 (pl) | 1972-06-14 | 1972-06-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15600472A PL77980B2 (pl) | 1972-06-14 | 1972-06-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL77980B2 true PL77980B2 (pl) | 1975-04-30 |
Family
ID=19958936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL15600472A PL77980B2 (pl) | 1972-06-14 | 1972-06-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL77980B2 (pl) |
-
1972
- 1972-06-14 PL PL15600472A patent/PL77980B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3849757A (en) | Tantalum resistors with gold contacts | |
| US4606788A (en) | Methods of and apparatus for forming conductive patterns on a substrate | |
| US4372809A (en) | Method for manufacturing solderable, temperable, thin film tracks which do not contain precious metal | |
| US3480412A (en) | Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices | |
| JPS60244048A (ja) | 耐エレクトロマイグレーシヨン性を有するアルミニウム合金導体の形成方法 | |
| US3241931A (en) | Semiconductor devices | |
| US3413711A (en) | Method of making palladium copper contact for soldering | |
| US4543443A (en) | Method for manufacturing finger electrode structures forming electric contacts at amorphous silicon solar cells | |
| US3654526A (en) | Metallization system for semiconductors | |
| US3529350A (en) | Thin film resistor-conductor system employing beta-tungsten resistor films | |
| US3622385A (en) | Method of providing flip-chip devices with solderable connections | |
| US3290565A (en) | Glass enclosed, passivated semiconductor with contact means of alternate layers of chromium, silver and chromium | |
| US3775838A (en) | Integrated circuit package and construction technique | |
| US4035526A (en) | Evaporated solderable multilayer contact for silicon semiconductor | |
| US3562040A (en) | Method of uniformally and rapidly etching nichrome | |
| US4380867A (en) | Method for making electrically conductive penetrations into thin films | |
| US3495959A (en) | Electrical termination for a tantalum nitride film | |
| US4806725A (en) | Circuit substrate and thermal printing head using the same | |
| US6191485B1 (en) | Semiconductor device | |
| PL77980B2 (pl) | ||
| US3325702A (en) | High temperature electrical contacts for silicon devices | |
| US3253951A (en) | Method of making low resistance contact to silicon semiconductor device | |
| US3990094A (en) | Evaporated solderable multilayer contact for silicon semiconductor | |
| US3153600A (en) | Process for applying electrodes on semiconductors | |
| JPS60176231A (ja) | 化合物半導体素子の電極の形成方法 |