PL76984B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL76984B2 PL76984B2 PL15118471A PL15118471A PL76984B2 PL 76984 B2 PL76984 B2 PL 76984B2 PL 15118471 A PL15118471 A PL 15118471A PL 15118471 A PL15118471 A PL 15118471A PL 76984 B2 PL76984 B2 PL 76984B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- zone
- temperature
- flux
- crystallized
- melting
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 2
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Pierwszenstwo:_____ MKP B01j 17/08 Zgloszenie ogloszono: 15.10.1973 Opis patentowy opublikowano: 21.04.1975 Twórcawynalazku: Ryszard Lappa Uprawniony z patentu tymczasowego: Polska Akademia Nauk Instytut Fizyki, Warszawa (Polska) Sposób hodowania monokrysztalów tlenków magnetycznych Przedmiotem wynalazku jest metoda hodowania monokrysztalów tlenków magnetycznych za pomoca topienia strefowego przy zastosowaniu topnika.W dotychczas stosowanej metodzie otrzymywania monokrysztalów metoda topienia strefowego konieczne jest stosowanie temperatur niezbednych do stopienia krystalizowanego materialu. W przypadku tlenków magnetycznych sa to temperatury siegajace 1700°C.Uzyskanie takich temperatur jest rzecza dosyc trudna a jeszcze bardziej skomplikowane i kosztowne jest zdobycie takiego materialu na tygiel, któryby nie topil sie w tej temperaturze lub nie reagowal z topionym materialem.Dla obnizenia temperatury krystalizacji stosowano wiec topnik, który obniza znacznie temperature topnienia krystalizowanych substancji. Z nasyconego roztworu w wysokiej temperaturze przez stopione i powol¬ ne obnizanie temperatury uzyskuje sie krysztaly rosnace przypadkowo w stopionej masie. Ale i w tym I przypadku unikniecie bardzo kosztownych tygli platynowych, które zreszta bardzo szybko ulegaja zniszczeniu, } nie jest mozliwe. Metoda ta jest wiec i kosztowna i bardzo pracochlonna (czas krystalizacji rzedu kilkanascie '• dni).Wad powyzszych pozbawiony jest sposób wedlug wynalazku, który laczy pozytywne cechy metody topienia strefowego tj. mozliwosci uzyskiwania duzych iodrazu orientowanych krysztalów, dosyc znacznej szybkosci otrzymywania krysztalów z obnizeniem temperatury krystalizacji przez wprowadzenie w miejsce strefy stopionego materialu krystalizowanego topnika np. PbO + PbF2 + Y203 + Fe203, który tworzy z krystalizo¬ wanym materialem nasycony roztwór i pozostaje w stalym kontakcie z jednej strony z monokrystalicznym zarodkiem np. Y3Fe5012 a z drugiej strony z polikrystalicznym materialem przeznaczonym do krystalizacji np. xY203 + yFe203.Tak wiec sposób wedlug wynalazku, wyróznia sie tym,' ze topnik wprowadza sie do strefy stopionej, w której utrzymuje sie róznice temperatur tak, azeby temperatura na jej granicy z polikrysztalem byla wyzsza od temperatury najej granicy z monokrysztalem.Topnik stosuje sie w takiej najkorzystniej ilosci, azeby temperature strefy stopionej obnizyc o 300-400°C w stosunku do temperatury topnienia krystalizowanego materialu, zwlaszcza w takiej ilosci, azeby tworzyl on z materialem sterfy stopionej roztwór nasycony w temperaturze krystalizacji.POLSKA RZECZPOSPOLITA LUDOWA URZAD PATEfiTOWY PRL2 76 984 Wspomniana wyzej róznica temperatur (gradient) rzedu kilkunastu stopni C na strefe umozliwia transport krystalizowanego materialu od masy polikrystalicznej do monokrystalicznego zarodka. Rosnace czolo krysztalu przesuwa krople topnika — strefe stopiona — z jednej strony, natomiast topnik w miare odkladania monokrysz¬ talu dla uzyskania stanu nasycenia rozpuszcza nowe porcje materialu przeznaczone do krystalizacji. Oczywiscie dla takiego przesuwania strefy niezbedne jest jednoczesne przesuwanie lódki z krystalizowanym materialem w kierunku nizszych temperatur gradientu temperatury tak, aby stopiona strefa stale pozostawala w tym samym miejscu gradientu.Dodatkowa zaleta wynalazku jest znacznie wieksza szybkosc krystalizacji anizeli w przypadku zwyklej metody topnika. Wynika to z faktu , ze w metodzie topnika w miare wzrostu krysztalów koncentracja krystalizowanego materialu rozpuszczonego w topniku stale maleje, podczas gdy w proponowanej metodzie koncentracja krystalizowanych skladników jest stale uzupelniana w miare procesu krystalizacji przez rozpusz- . czanie nowych ilosci polikrystalicznegomaterialu. * PL PL
Claims (3)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób hodowania monokrysztalów tlenków magnetycznych za pomoca topienia'strefowego przy zastosowaniu topnika i monokrystalicznego zarodka, znamienny tym, ze topnik wprowadza sie do strefy stopionej, w której utrzymuje sie róznice temperatur tak azeby temperatura na granicy strefy stopionej z polikrysztalem byla wyzsza od temperatury na granicy tej strefy z monokrysztalem.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze topnik wprowadza sie do strefy stopionej w takiej ilosci, azeby obnizyc jej temperature o 300-400°C w stosunku do temperatury topnienia krystalizowanego materialu.
3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze topnik stosuje sie w takiej ilosci, azeby tworzyl z materialem strefy stopionej roztwór nasycony w temperaturze krystalizacji. Prac. Poligiat. UP PRL. Zam. 2024/75 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15118471A PL76984B2 (pl) | 1971-10-23 | 1971-10-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15118471A PL76984B2 (pl) | 1971-10-23 | 1971-10-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL76984B2 true PL76984B2 (pl) | 1975-02-28 |
Family
ID=19956010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL15118471A PL76984B2 (pl) | 1971-10-23 | 1971-10-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL76984B2 (pl) |
-
1971
- 1971-10-23 PL PL15118471A patent/PL76984B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0152359B2 (pl) | ||
| US4793894A (en) | Process for crystal growth from solution | |
| US3341302A (en) | Flux-melt method for growing single crystals having the structure of beryl | |
| PL76984B2 (pl) | ||
| Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
| US3677718A (en) | Technique for flux growth of barium titanate single crystals | |
| Bezmaternykh et al. | Growth of iron garnet single crystals on a rotating carrier from BaOB2O3 fluxes | |
| Patel et al. | Growth of barite group crystals by the flux evaporation method | |
| US3939252A (en) | Dilithium heptamolybdotetragadolinate | |
| Gandhi | Single crystal growth by a slow evaporation technique: Concept, mechanisms and applications | |
| US3428438A (en) | Potassium tantalate niobate crystal growth from a melt | |
| Majchrowski et al. | Czochralski growth of oxide single crystals under conditions of forced convection in the melt | |
| JPH0469599B2 (pl) | ||
| RU2072004C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов литиевой феррошпинели life5o8 | |
| RU2788799C1 (ru) | Способ получения германата-силиката висмута со структурой силленита | |
| RU2538740C2 (ru) | Способ синтеза монокристаллических тетрагональных теллуридов железа и теллуридов железа, легированных серой и/или селеном | |
| Elwell | Fundamentals of flux growth | |
| Schwarzer et al. | Single crystal synthesis and properties of lithium‐gallium‐, lithium‐aluminium‐oxide and mixed compounds (I) growing of LiGaO2‐, LiAlO2‐and LiAlxGa1− x crystals from fluxes | |
| RU2103425C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов тетрабората стронция | |
| US2766105A (en) | Method of growing nepheline crystals | |
| JP2825060B2 (ja) | ベータ・バリウムボレイト単結晶加工表面の改質方法 | |
| SU1740505A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов гематита @ -F @ О @ | |
| JPH0224799B2 (pl) | ||
| Noda et al. | The crystal growth of synthetic fluor-phlogopite by the moving crucible technique | |
| Packter et al. | The crystallisation of alkaline‐earth metal molybdates and tungstates from lithium chloride melts by continuous cooling. Nucleation mechanism and kinetics and induction periods |