PL76596B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL76596B2
PL76596B2 PL15690272A PL15690272A PL76596B2 PL 76596 B2 PL76596 B2 PL 76596B2 PL 15690272 A PL15690272 A PL 15690272A PL 15690272 A PL15690272 A PL 15690272A PL 76596 B2 PL76596 B2 PL 76596B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
bit
paths
conductor
lines
thin
Prior art date
Application number
PL15690272A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL15690272A priority Critical patent/PL76596B2/pl
Publication of PL76596B2 publication Critical patent/PL76596B2/pl

Links

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 03.03.1975 76596 KI. 42^,11/12 MKP G11c, 11/12 IIBLIOTEKA Twórcy wynalazku: Boguslaw Domagalski, Julian Stasiewicz, Wladyslaw Kompalo Uprawniony z patentu tymczasowego: Instytut Maszyn Matematycznych, Warszawa (Polska) Magnetyczny cienkowarstwowy nosnik informacji Przedmiotem wynalazku jest magnetyczny cienkowarstwowy nosnik informacji przeznaczony zwlaszcza do pamieci maszyn matematycznych.Podstawowym elementem cienkowarstwowego nosnika informacji sa dwa skrzyzowane i styczne przewody, z których jeden pokryty cienka warstwa materialu magnetycznego, na przyklad permalky\i jest zwykle linia bitowa a pozostaly pelni funkcje linii slowa. Taki uklad stanowi jednobitowy nosnik informacji, którego zdol¬ nosci przyjmowania informacji, pamietania i odtwarzania oparte sa o znane zjawiska zachodzace w cienkich warstwach magnetycznych pod wplywem zewnetrznych pól magnetycznych.W znanych rozwiazaniach nosników informacji zwykle stosuje sie szereg równolegle ulozonych przewodów w postaci tasmy lub drutu stanowiacych linie slowa i skrzyzowane z nimi, pokryte cienka warstwa magnetyczna przewody linii bitowych, przy czym przewody linii slowa sa zwykle zagiete w ksztalt litery „U", której ramiona obejmuja przewody linii bitowych, wskutek czego kazda linia slowa dwukrotnie krzyzuje sie z kazda linia bitowa. Warunkiem zachowania niezbednych dla zastosowan pomiarowych wlasnosci fizycznych cienkiej wars¬ twy magnetycznej jest takie ulozenie przewodu bitowego, aby w czasie pracy nie pojawily sie w warstwie magnetycznej naprezenia mechaniczne wywolane np. rozszerzalnoscia cieplna. Dla spelnienia tego warunku konieczne jest elastyczne zawieszenie przewodu bitowego na placie nosnika informacji. Ponadto dla zapewnienia stalego i mozliwie duzego sprzezenia magnetycznego miedzy liniami bitów i liniami slów konieczne jest zacho¬ wanie stalej i jak najmniejszej odleglosci przewodu bitowego od przewodu slowa w miejscu ich skrzyzowania.Spelnienie powyzszych warunków w znanym rozwiazaniu nosnika informacji uzyskano przez umieszczenie przewodów bitowych w dlugich, równoleglych tunelach wykonanych w warstwie substratu, na której zewnetrz¬ nych powierzchniach nalozono przewody slów. Tunele takie musza byc uformowane za pomoca rdzeni w cieklej jeszcze niespolimeryzowanej warstwie zywicy tworzacej substrat. Po stwardnieniu zywicy rdzenie usuwa sie, a na ich miejsce wprowadza sie przewody bitowe pokryte cienka warstwa magnetyczna.Znane rozwiazanie cienkowarstwowego magnetycznego nosnika informacji jest stosowane wpamieciacli o stosunkowo duzych pojemnosciach. Konstrukcja i technologia znanego nosnika sa przystosowane do produkcji masowej platów pamieci o duzej pojemnosci.2 76 596 Natomiast dla produkcji pamieci o malych pojemnosciach konieczne jest opracowanie cienkowarstwowego nosnika informacji o konstruckji pozwalajacej na zastosowanie typowych urzadzen technologicznych montazo¬ wych stosowanych zwykle w liniach montazu podzespolów tranzystorowych lub ukladów scalonych.Celem wynalazku jest opracowanie cienkowarstwowego nosnika informacji, który móglby byc wytwarzany sposobem analogicznym do sposobu wytwarzania mikroukladów elektronicznych.Cel ten osiagnieto przez opracowanie magnetycznego cienkowarstwowego nosnika informacji, wktóiym linie slowa stanowi uklad sciezek nalozonych na izolacyjne podloze, a linie bitu stanowi przewodnik z nalozona warstwa magnetyczna ulozony poprzecznie na sciezkach linii slowa, przy czym w miejscach skrzyzowan sciezki sa ze soba polaczone za pomoca elastycznego przewodnika w ten sposób, ze odcinek tasmy obejmuje przewodnik linii bitu i jest dolaczony do sciezek linii slowa.Konstrukcja nosnika wedlug wynalazku umozliwia zastosowanie techniki montazu analogicznej do techniki produkcji mikroukladów. Dzieki temu proces wytwórczy i kontrola wykonania nosnika wedlug wynalazku sa stosunkowo proste i latwe do zmechanizowania, a ponadto platy nosników wykonane wedlug wynalazku moga byc montowane w zespoly i bloki o duzych ilosciach bitów wprost na pakietach obwodów drukowanych.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku przedstawiajacym jedno-bi- towa komórke nosnika informacji.Na podlozu izolacyjnym 1 wykonano sciezki 2 i 3 przewodzace, na których poprzecznie jest ulozony przewodnik 4 pokryty warstwa magnetyczna oraz warstwa izolacyjna. Konce sciezek przewodzacych sa polaczo¬ ne ze soba elastycznym przwodnikiem 5, który obejmuje przewodnik z warstwa magnetyczna i tworzy wokól niego wraz z przwodzacymi sciezkami 2 i 3 zamknieta petle. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Magnetyczny cienkowarstwowy nosnik informacji zawierajacy linie bitu i linie slowa, która stanowi uklad dwóch sciezek nalozonych na izolacyjne podloze, a linie bitu stanowi przewodnik pokryty warstwa magnetyczna ulozony poprzecznie do sciezek linii slowa, znamienny tym, ze w miejscach skrzyzowan sciezki (2, 3) sa ze soba polaczone za pomoca elastycznego przewodnika (5), przy czym odcinek elastycznego przewodnika (5) obejmuje przewodnik (4) linii bitu i jest dolaczony do sciezek (2, 3) linii slowa. A 3 A 2 /\ /\ c Prac. Poligraf. UP PRL. zam. 1829/75 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL
PL15690272A 1972-07-25 1972-07-25 PL76596B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15690272A PL76596B2 (pl) 1972-07-25 1972-07-25

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15690272A PL76596B2 (pl) 1972-07-25 1972-07-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL76596B2 true PL76596B2 (pl) 1975-02-28

Family

ID=19959495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL15690272A PL76596B2 (pl) 1972-07-25 1972-07-25

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL76596B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6744656B2 (en) Semiconductor device and process for manufacturing the same
EP2601655B1 (en) Generating a non-reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction and a second magnetic tunnel junction
US3769702A (en) 3d-coaxial memory construction and method of making
KR100940132B1 (ko) 인쇄 회로의 제조 방법
US20100161888A1 (en) Data storage system with non-volatile memory using both page write and block program and block erase
KR100279954B1 (ko) 초대규모 집적 회로를 위한 도전체 트랙 구조
TWI511152B (zh) 記憶體模組
CN100557706C (zh) 半导体器件
JP2000285669A (ja) 磁気読出部及び/又はナノ・メモリ素子を使用する量子ランダム・アドレス・メモリ
WO1998021752A1 (fr) Module de memoire
PL76596B2 (pl)
EP0409256B1 (en) Semiconductor IC device and method for manufacturing the same
TW344144B (en) Nonvolatile memory device and process for producing the same
KR102017172B1 (ko) 반도체 장치
US3513538A (en) Method of making a filamentary magnetic memory using rigid printed circuit cards
CN101238577A (zh) 减少包覆模制ic封装中的翘曲的方法
EP0032157A1 (en) Magnetic bubble domain exchanging circuit
KR101015265B1 (ko) 오버 몰딩된 ic 패키지의 휨을 줄이는 방법
US6597597B2 (en) Low temperature attaching process for MRAM components
US3641517A (en) Superconductive data storage arrangement
KR20110134157A (ko) 반도체 패키지
US20090010046A1 (en) magnetic memory device with non-rectangular cross section current carrying conductors
US3559284A (en) Method of manufacturing magnetic store arrangements
IT9083649A1 (it) Memoria flash eprom cancellabile per gruppi di celle mediante doppia mmetal
US4962477A (en) Enhanced crossite random access memory element and a process for the fabrication thereof