Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 31.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 10.02.1975 75203 U. 21a\ 35/18 MKP G05f5/00 Twórcawynalazku: Janusz Sosnowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Warszawska, Warszawa (Polska) Wtórnik symetryczny z programowanym ograniczeniem pradu wyjsciowego Przedmiotem wynalazku jest wtórnik symetryczny z ograniczeniem pradu wyjsciowego, przeznaczony do wspólpracy ze wzmacniaczem napieciowym i majacy zastosowanie jako uklad separujacy od obciazenia. Jest on szczególnie przydatny przy konstrukcji zasilaczy napieciowych z ograniczonym pradem wyjsciowym.Znane dotychczas rozwiazania wtórników symetrycznych z ograniczeniem pradu wyjsciowego polegaja na wykorzystaniu tranzystora pnp i tranzystora npn, których polaczone emitery stanowia wyjscie ukladu. Bazy tranzystorów polaczone sa z wejsciem ukladu przez dzielniki oporowe kompensujace spadki napiec na zlaczach emiter-baza tranzystorów. Ograniczenie pradu programuje sie przez umieszczenie oporników o odpowiednio dobranej opornosci w obwodach kolektorów tranzystorów.Wada tych rozwiazan jest mala dokladnosc programowanego ograniczenia pradu wyjsciowego oraz jego zaleznosc od napiecia wejsciowego.Celem wynalazku jest opracowanie wtórnika symetrycznego z programowanym ograniczeniem pradu wyjsciowego nie posiadajacego wad znanych rozwiazan.Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie wtórnika symetrycznego z programowanym ograniczeniem pradu wyjsciowego, zawierajacego znany uklad wtórnika emiterowego na tranzystorze pnp z pradowym zasila¬ niem emitera oraz znany uklad wtórnika emiterowego na tranzystorze npn z pradowym zasilaniem emitera.Wejscia obu wtórników sa polaczone i stanowia wejscie urzadzenia. Emiter tranzystora pnp polaczony jest z anoda diody, której katoda polaczona jest z wyjsciem urzadzenia i anoda diody, której katoda polaczona jest z emiterem tranzystora npn. Wydajnosc pradowa zródla zasilajacego tranzystor pnp okresla wartosc maksymal¬ nego pradu, jaki moze wyplywac z urzadzenia. Wydajnosc pradowa zródla zasilajacego tranzystor npn okresla wartosc maksymalnego pradu, jaki moze wplywac do wyjscia urzadzenia. Wydajnosci pradowe zródel zasilaja¬ cych emitery tranzystorów pnp i npn sa programowane niezaleznie.Zaleta wynalazku jest duza dokladnosc programowanego ograniczenia pradu wyjsciowego w szerokim za¬ kresie wartosci, co wynika z zasady dzialania urzadzenia. Wartosc zaprogramowanego ograniczenia pradu nie zalezy od napiecia wejsciowego. Ponadto dzieki zastosowaniu dwu zródel pradowych ograniczenie pradu wplywajacego do wyjscia urzadzenia jest programowane niezaleznie od ograniczenia pradu wyplywajacego.2 75 203 Przedmiotem wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym przedstawio¬ nyjest schemat ideowy ukladu polaczen wtórnika.Wejscie ukladu WE polaczone jest z baza tranzystora pnp Ti, którego kolektor zasilanyjest ze zródla na¬ piecia ujemnego -E oraz z baza tranzystora npn T2, którego kolektor zasilanyjest ze zródlem napiecia dodatnie¬ go +E. Emiter tranzystora pnp Ti polaczony jest ze zródlem pradowym Ii i anoda diody Dx, której katoda po¬ laczona jest z wyjsciem wtórnika WY i anoda diody D2, której katoda polaczona jest z emiterem tranzystora npn T2 i ze zródlem pradowym I2.Dolaczajac do wejscia WE urzadzenia napieciowy sygnal wejsciowy^podajesiego jednoczesnie na wejscie wtórnika, zrealizowanego na tranzystorze pnp fi, którego emiter zasilany jest ze zródla pradowego Ii, oraz na v wejscie wtórnika, zrealizowanego na tranzystorze npn T2, którego emiter zasilanyjest ze zródla pradowego I2.Jezeli prad wyjsciowy wyplywa z wyjscia urzadzenia WY i jego wartosc nie osiaga zaprogramowanej war¬ tosci wydajnosci pradowej zródla Ix lub, jezeli prad wyjsciowy wplywa do wyjscia urzadzenia WY ijego wartosc nie osiaga zaprogramowanej wartosci wydajnosci pradowej zródla I2, to tranzystory Ti ,T2 oraz diody Di iD2 przewodza, a napiecie na wyjsciu WY jest równe napieciu na wejsciu WE z dokladnoscia do róznicy spadków na¬ piec na przewodzacym zlaczu emiter-baza tranzystora i przewodzacej diodzie.Jezeli wyplywajacy z wyjscia WY prad wyjsciowy osiagnie wartosc równa wydajnosci pradowej zródla Ii, to zlacze emiter-baza tranzystora Tx i dioda D2 nie przewodza pradu. Prad ze zródla Ii calkowicie wplywa do obciazenia przez diode Dt, natomiast prad zródla I2 plynie tylko w obwodzie emitera tranzystora T2. Przy takim stanie urzadzenia dalsze zmniejszanie opornosci obciazenia nie ma wplywu na prad wyjsciowy, napiecie na wyj-1 sciu WY zmienia sie natomiast tak, ze zlacze emiter-baza tranzystora Tt i dioda D2 sa coraz bardziej zatykane.Jezeli wplywajacy do wyjscia WY prad wyjsciowy osiagnie wartosc równa wydajnosci pradowej zródla I2, to zlacze emiter-baza tranzystora T2 i dioda D! nie przewodza pradu. Prad wyjsciowy calkowicie wplywa do zró¬ dla I2 przez diode D2, natomiast prad zródla Ii plynie tylko w obwodzie emitera tranzystora Ti. Przy takim sta¬ nie urzadzenia dalsze zmniejszanie opornosci obciazenia nie ma wplywu na prad wyjsciowy, napiecie na wyj¬ sciu WY zmienia sie natomiast tak, ze zlacze emiter-baza tranzystora T2 i dioda Di sa coraz bardziej zatykane.Z powyzszego wynika, ze niezaleznie od wartosci i polaryzacji napiecia wejsciowego wartosc pradu wyjscio¬ wego jest ograniczona zaprogramowanymi wartosciami wydajnosci pradowych zródel Ii i I2. PL