Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 12.10.1974 71739 M. 121,23/00 MKPCOlb 23/00 =CZYTELNl^ Urzedu Merto*e* Twórcawynalazku: Krzysztof Kulicki Uprawniony z patentu tymczasowego: WojskowaAkademia Techniczna im. Jaroslawa Dabrowskiego, Warszawa (Polska) Sposób odtleniania gazów szlachetnych Przedmiotem wynalazku jest sposób odtleniania gazów szlachetnych. Znany jest sposób odtleniania gazów szlachetnydi polegajacy na tym, ze gaz szlachetny zawierajacy tlen, domieszkuje sie wodorem a nastepnie prze¬ puszcza sie poprzez palladowy katalizator, na którym nastepuje spalanie tlenu. Gazy nastepnie przeplywaja poprzez absorbery, które absorbuja pare wodna. Stosowana metoda wymaga zlozonej, kilkuetapowej technikic oczyszczania polegajacej na procesach chemicznych i fizycznych.Celem'wynalazku jest uzyskanie odtlenienia gazu szlachetnego jedynie metoda fizyczna.Cel ten zostal osiagniety przez wykorzystanie zjawiska dyfuzji jonów tlenu po powierzchni pólprzewpd- nika poddanego dzialaniu pola elektrycznego.Zjawisko to polega na tym, ze czasteczki tlenu absorbujace sie na powierzchni pólprzewodnika, uzyskuja ladunek ujemny na skutek przeniesienia elektronów z pasma przewodnictwa do czasteczek tlenu. Takutworzony ujemny jon tlenu ma mozliwosc wedrówki po powierzchni pólprzewodnika, zgodnie z kierunkiem pola elek¬ trycznego, kii potencjalowi dodatniemu. Jesli atmosfera gazu szlachetnego zawierajacego tlen odgrodzona jest od innej atmosfery przegroda porowata pólprzewodnikowa do której przylozone sa dwie elektrody, a elektroda znajdujaca sie wewnatrz atmosfery gazu szlachetnego zawierajacego tlen posiada potencjal ujemny, to nastepuje usuniecie czasteczek tlenu z tej atmosfery.Istota wynalazku polega na tym, ze gaz szlachetny podlegajacy odtlenieniu przepuszcza sie wzdluz jednej czesci kanalu podzielonego przegroda wjctórej znajduja sie liczne wkladki z materialu pólprzewodnikowego poddanego dzialaniu róznicy potencjalów tak skierowanej, ze czasteczki tlenu z gazu podlegajacego odtlenieniu, zaabsorbowane na powierzchni pólprzewodnika dyfunduja do drugiej czesci kanalu w której znajduje sie gaz pluczacy. Gazem pluczacym moze byc dowolny gaz szlachetny przy czym najkorzystniej stosuje sie ten sam gaz szlachetny który podlega odtlenieniu.Korzysciami technicznymi wynikajacymi ze stosowania sposobu wedlug wynalazku sa, mozliwosc stosowa¬ nia jako gazu pluczacego tego samego gazu, który podlega odtlenieniu, unikniecie koniecznosci okresowej wy¬ miany absorberów oraz unikniecie procesu chemicznego w cyklu odtlenienia.•2 71739 Wynalazek zostanie ponizej szczególowo objasniony na przykladzie sposobu odtleniania argonu w urzadze¬ niu pokazanym na zalaczonym rysunku, który przedstawia przekrój tego urzadzenia.Argon, który chcemy odtlenic, przepuszcza sie przez komore 2, a poprzez komore 1 przepuszcza sie gaz pluczacy, który stanowi gaz obojetny lub argon. Do elektrod 3 i 4 przylozonych, do wkladki 5 wykonanej z porowatego pólprzewodnika przyklada sie róznice potencjalów równa np. 60 V, tak skierowana, ze elektroda 3 znajdujaca sie wewnatrz atmosfery gazu odtlenianego posiada potenqal ujemny wzgledem elektrody 4 znajdu¬ jacej sie wewnatrz atmosfery gazu pluczacego. Wskutek przylozonej róznicy potencjalów czasteczki tlenu dyfun- duja z gazu odtlenianego do gazu pluczacego. PLPriority: Application announced: May 30, 1973 The patent description was published: October 12, 1974 71739 M. 121.23 / 00 MKPCOlb 23/00 = READING ^ Urzedu Merto * e * Creator of the invention: Krzysztof Kulicki Authorized by the provisional patent: WojskowaAkademia Techniczna im. Jaroslawa Dabrowskiego, Warsaw (Poland) Method of deoxidation of noble gases The subject of the invention is a method of deoxidation of noble gases. There is known a method of deoxidizing noble gases, which consists in admixing the noble gas containing oxygen with hydrogen and then passing it through a palladium catalyst, on which oxygen is burned. The gases then pass through the absorbers which absorb the water vapor. The method used requires a complex, multi-stage purification technique consisting of chemical and physical processes. The aim of the invention is to obtain deoxidation of the noble gas only by physical method. This goal was achieved by using the phenomenon of diffusion of oxygen ions on the surface of the semi-conductor subjected to the action of an electric field. the fact that the oxygen molecules absorbing on the semiconductor surface acquire a negative charge due to the transfer of electrons from the conduction band to oxygen molecules. The negative oxygen ion thus formed has the ability to travel along the surface of the semiconductor in the direction of the electric field, and towards the positive potential. If the atmosphere of the noble gas containing oxygen is separated from another atmosphere by a porous semiconductor barrier with two electrodes attached, and the electrode inside the atmosphere of the noble gas containing oxygen has a negative potential, the oxygen molecules are removed from this atmosphere. The essence of the invention is that that the noble gas subject to deoxidation passes along one part of the channel divided by a partition in which there are numerous inserts made of semiconductor material subjected to the effect of a potential difference so directed that the oxygen molecules from the gas subject to deoxidation, absorbed on the surface of the semiconductor, diffuse into the other part pluckers. The scrubbing gas can be any noble gas, the most advantageously the same noble gas that is deoxidized. The technical advantages of using the method according to the invention are that the same gas that is deoxidized can be used as a scrubbing gas, avoiding the need for periodic deoxidation. change of the absorbers and avoid the chemical process in the deoxidation cycle. • 2 71739 The invention will be explained in detail below on the example of the method of argon deoxidation in the device shown in the attached drawing, which shows the cross-section of this device. The argon that we want to deoxygenate is passed through chamber 2, and chamber 1 is passed through a scrubbing gas which is an inert gas or argon. A potential difference of e.g. 60 V is applied to the electrodes 3 and 4, and to the insert 5 made of a porous semiconductor, a potential difference of e.g. 60 V is applied, so directed that the electrode 3 inside the deoxygenated gas atmosphere has a negative potential relative to the electrode jack 4 inside the rinsing gas atmosphere . Due to the applied difference in potential, oxygen molecules diffuse from the deoxygenated gas into the scrubbing gas. PL