PL70751B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL70751B2 PL70751B2 PL15471072A PL15471072A PL70751B2 PL 70751 B2 PL70751 B2 PL 70751B2 PL 15471072 A PL15471072 A PL 15471072A PL 15471072 A PL15471072 A PL 15471072A PL 70751 B2 PL70751 B2 PL 70751B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diode
- voltage
- function
- diodes
- anode
- Prior art date
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000003121 nonmonotonic effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 21.0 5.1973 Opis patentowy opublikowano: 17.06.1974 70751 K1.21a\ 36/00 MKP H03k 1/04 Twórcawynalazku: Marek Jeziorowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Instytut Tele— i Radiotechniczny, Warszawa (Polska) Uklad diod waraktórowyeh o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego w szczególnosci do generatorów kwarcowych kompensowanych temperaturowo Przediniotem wynalazku jest uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego w szczególnosci do generatorów kwarcowych kompensowanych temperaturowo.Znany i dotychczas stosowany uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego charakteryzuje sie zaleznoscia pojemnosci wypadkowej o jednym ekstremum.Zasada pracy tego ukladu polega na -óznokierunkowej zmianie pojemnosci dwóch diod waraktorowych polaczo¬ nych równolegle dla napiec stalych i zmiennych przy jednokierunkowej zmianie napiecia polaryzujacego.Znany uklad ma te wade, ze posiada zaleznosc pojemnosci wypadkowej tylko o jednym ekstremum co ogranicza jego zastosowania.Celem wynalazku jest rozszerzenie zastosowan ukladu przestrajajacego oraz wykonanie ukladu, który pozwoli na poprawe parametrów techniczno-ekonomicznych generatorów termokompensowanych.Istota wynalazku, którego przedmiotem jest uklad zlozony z diod waraktorowych rezystancji i pojemnosci realizujacy niemonotóniczna zaleznosc pojemnosci wypadkowej w funkcji napiecia polaryzujacego polega na tym, ze diody polaczone sa szeregowo i jednokierunkowo, anoda diody jednej polaczona jest katoda diody drugiej, a anoda diody drugiej poprzez rezystory i zródlo napiecia dodatkowego z katoda diody pierwszej.Przedmiot wynalazku w przykladzie wykonania przedstawiony jest na zalaczonym rysunku na którym na fig. 1 przedstawiony jest uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego, na fig. 2 — wykres zaleznosci pojemnosci wypadkowej wspomnianego wyzej ukladu w funkcji napiecia polaryzujacego dla diod o jednakowych parametrach, na fig. 3 - przyklad ukladu zastosowanego w ge¬ neratorze kwarcowym i na fig. 4 przedstawiony jest wykres zmian czestotliwosci generowanej przez uklad, a fig. 3 w funkcji napiecia polaryzujacego.Na fig. 1 podany jest uklad diod waraktorowych Di iD2 o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego U^. W ukladzie tym zastosowano dwie diody Dt i D? polaczone izeregowo dla napiec zmiennych, a równolegle dla napiec stalych polaryzujacych. Pojemnosci Cmi iCm3 pozwalaja ksztal-2 70 751 towac zaleznosc pojemnosci miedzy punktami A i B od napiecia polaryzujacego U Rezystory Rsi, Rs2 i Ri oddzielaja obwody pradu stalego i zmiennego oraz ograniczaja prady plynace przez diody D, i D2 do wartosci kilku mUcroamper. Napiecie dodatkowe stale Ej sluzy do wstepnej polaryzacji diody Di • Realizowana przez uklad zaleznosc pojemnosci miedzy punktami A i B w funkcji napiecia polary¬ zujacego Up dla diod Dt i D2 o jednakowych parametrach i warunku Cmi = Cm2 = 0 przedstawia fig. 2.Na fig. 3 przedstawiony jest uklad wedlug wynalazku zastosowany do generatora kwarcowego z termiczna kompensacja czestotliwosci/Uklad ten pelni role ukladu przestrajajacego i polaczony jest szeregowo z rezona¬ torem kwarcowym Q i stanowi z nim galaz sprzezenia zwrotnego w generatorze Colpittsa.Przykladowe zaleznosci wzglednego przestrojenia generatora kwarcowego od napiecia polaryzujacego Up przedstawione sa na fig. 4.Uzyskana zaleznosc przestrojenia od napiecia polaryzujacego pozwala na kompensacje temperaturowa charakterystyk temperaturowych rezonatorów kwarcowych z jednym, dwoma i trzema ekstremami mono- toniczna zaleznoscia napiecia Up od temperatury. Zrealizowanie monotonicznej zaleznosci napiecia Up od tem¬ peratury pozwala na uzycie prostszych i latwiejszych do obliczen i regulacji dzielników rezystorowo—termisto- rowych w porównaniu z dzielnikami realizujacymi zaleznosci niemonotoniczne.Zastosowanie ukladu wedlug wynalazku w generatorach kwarcowych kompensowanych temperaturowo poprawi ich parametry techniczno—ekonomiczne. PL PL
Claims (3)
1. Zastrzezeniapatentowe 1. Uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego w szczególnosci do generatorów kwarcowych kompensowanych posiadajacy konfiguraqe diod waraktorowych realizujaca niemonotoniczna zaleznosc pojemnosci wypadkowej w funkcji napiecia polaryzujacego Up, zna¬ mienny tym, ze diody (D*) i(D2) polaczone sa szeregowo i jednokierunkowo to znaczy anode diody (Di) polaczono z katoda diody (D2) dla napiec zmiennych, a równolegle i róznokierunkowo to znaczy anode diody (D^ z katoda diody (D2), a anoda diody (D2) poprzez rezystory (Rsi) i (Rs2) i zródlo napiecia dodatko¬ wego (Ed) z katoda diody(Dt). ""~
2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze polaczenie pojemnosci modyfikujacych (Cmi) i(Cm2) sluzacych do ksztaltowania przebiegu pojemnosci wypadkowej ukladu w funkcji napiecia polaryzujacego (Up) jest równolegla do diod (Di) i (D2).
3. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako uklad przestrajajacy jest polaczony szeregowo z rezo¬ natorem kwarcowym i polaryzowany napieciem z ukladu kompensujacego termiczne zmiany czestotliwosci gene¬ rowanej. \KI. 2la1,36/00 70751 MKP H03k 1/04 Flg.1 C4b Cmax'Cd(Ed^0,SV)\— amin Cd ft) Fig. 2KI. 21 a1,36/00 70751 MKP H03k 1/04 Fig. 3 i i ! Cmim1pF I Cmi~0 cm1=Cm2-0 0„ Fig. A Prac. Poligraf. UP PRL. zam. 8042/21/74 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15471072A PL70751B2 (pl) | 1972-04-13 | 1972-04-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15471072A PL70751B2 (pl) | 1972-04-13 | 1972-04-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL70751B2 true PL70751B2 (pl) | 1974-04-30 |
Family
ID=19958178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL15471072A PL70751B2 (pl) | 1972-04-13 | 1972-04-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL70751B2 (pl) |
-
1972
- 1972-04-13 PL PL15471072A patent/PL70751B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080100389A1 (en) | Comparator with self-biased reference voltage for an oscillator | |
| KR101095881B1 (ko) | 가변 용량 기능의 온 오프 스위치를 가지는 가변 용량회로, 및 이 가변 용량 회로를 사용한 전압 제어 발진기 | |
| PL70751B2 (pl) | ||
| US3416100A (en) | Voltage tuned oscillator with resistive and capacitive tuning diodes | |
| Yoo et al. | A 5.8-GHz high-frequency resolution digitally controlled oscillator using the difference between inversion and accumulation mode capacitance of pMOS varactors | |
| JPS5845203B2 (ja) | オンドホシヨウカイロ | |
| US10804844B2 (en) | Voltage controlled oscillators with wide tuning range and low phase noise | |
| US3081436A (en) | Negative resistance diode oscillator | |
| Zhou et al. | A study of the lock range of injection-locked CMOS active-inductor oscillators using a linear control system approach | |
| US2878386A (en) | Stable transistor oscillator | |
| RU186861U1 (ru) | Малошумящий генератор, управляемый напряжением с двойным перекрытием по частоте | |
| EP3190707A1 (en) | Variable frequency oscillator having wide tuning range and low phase noise | |
| Heydari | Millimeter-wave frequency generation and synthesis in Silicon | |
| SE325933B (pl) | ||
| Huang et al. | Optimization and realization of a 315-MHz low-phase-noise voltage-controlled SAW oscillator | |
| US3535656A (en) | Voltage controlled solid state circuit | |
| SU738099A1 (ru) | Источник гармонических колебаний | |
| Wu et al. | A Ka-Band Class-C BiCMOS VCO with Temperature Compensation | |
| RU2042260C1 (ru) | Генератор с электронной перестройкой частоты | |
| McNeill | VCO fundamentals | |
| US3538456A (en) | Helix cavity voltage controlled oscillator | |
| US3144618A (en) | Tunnel diode crystal controlled oscillator | |
| RU193493U1 (ru) | Малошумящий генератор, управляемый напряжением с высоким перекрытием по частоте | |
| JPS63214007A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| SU1737695A1 (ru) | Генератор СВЧ |