PL70751B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL70751B2
PL70751B2 PL15471072A PL15471072A PL70751B2 PL 70751 B2 PL70751 B2 PL 70751B2 PL 15471072 A PL15471072 A PL 15471072A PL 15471072 A PL15471072 A PL 15471072A PL 70751 B2 PL70751 B2 PL 70751B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
diode
voltage
function
diodes
anode
Prior art date
Application number
PL15471072A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL15471072A priority Critical patent/PL70751B2/pl
Publication of PL70751B2 publication Critical patent/PL70751B2/pl

Links

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 21.0 5.1973 Opis patentowy opublikowano: 17.06.1974 70751 K1.21a\ 36/00 MKP H03k 1/04 Twórcawynalazku: Marek Jeziorowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Instytut Tele— i Radiotechniczny, Warszawa (Polska) Uklad diod waraktórowyeh o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego w szczególnosci do generatorów kwarcowych kompensowanych temperaturowo Przediniotem wynalazku jest uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego w szczególnosci do generatorów kwarcowych kompensowanych temperaturowo.Znany i dotychczas stosowany uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego charakteryzuje sie zaleznoscia pojemnosci wypadkowej o jednym ekstremum.Zasada pracy tego ukladu polega na -óznokierunkowej zmianie pojemnosci dwóch diod waraktorowych polaczo¬ nych równolegle dla napiec stalych i zmiennych przy jednokierunkowej zmianie napiecia polaryzujacego.Znany uklad ma te wade, ze posiada zaleznosc pojemnosci wypadkowej tylko o jednym ekstremum co ogranicza jego zastosowania.Celem wynalazku jest rozszerzenie zastosowan ukladu przestrajajacego oraz wykonanie ukladu, który pozwoli na poprawe parametrów techniczno-ekonomicznych generatorów termokompensowanych.Istota wynalazku, którego przedmiotem jest uklad zlozony z diod waraktorowych rezystancji i pojemnosci realizujacy niemonotóniczna zaleznosc pojemnosci wypadkowej w funkcji napiecia polaryzujacego polega na tym, ze diody polaczone sa szeregowo i jednokierunkowo, anoda diody jednej polaczona jest katoda diody drugiej, a anoda diody drugiej poprzez rezystory i zródlo napiecia dodatkowego z katoda diody pierwszej.Przedmiot wynalazku w przykladzie wykonania przedstawiony jest na zalaczonym rysunku na którym na fig. 1 przedstawiony jest uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego, na fig. 2 — wykres zaleznosci pojemnosci wypadkowej wspomnianego wyzej ukladu w funkcji napiecia polaryzujacego dla diod o jednakowych parametrach, na fig. 3 - przyklad ukladu zastosowanego w ge¬ neratorze kwarcowym i na fig. 4 przedstawiony jest wykres zmian czestotliwosci generowanej przez uklad, a fig. 3 w funkcji napiecia polaryzujacego.Na fig. 1 podany jest uklad diod waraktorowych Di iD2 o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego U^. W ukladzie tym zastosowano dwie diody Dt i D? polaczone izeregowo dla napiec zmiennych, a równolegle dla napiec stalych polaryzujacych. Pojemnosci Cmi iCm3 pozwalaja ksztal-2 70 751 towac zaleznosc pojemnosci miedzy punktami A i B od napiecia polaryzujacego U Rezystory Rsi, Rs2 i Ri oddzielaja obwody pradu stalego i zmiennego oraz ograniczaja prady plynace przez diody D, i D2 do wartosci kilku mUcroamper. Napiecie dodatkowe stale Ej sluzy do wstepnej polaryzacji diody Di • Realizowana przez uklad zaleznosc pojemnosci miedzy punktami A i B w funkcji napiecia polary¬ zujacego Up dla diod Dt i D2 o jednakowych parametrach i warunku Cmi = Cm2 = 0 przedstawia fig. 2.Na fig. 3 przedstawiony jest uklad wedlug wynalazku zastosowany do generatora kwarcowego z termiczna kompensacja czestotliwosci/Uklad ten pelni role ukladu przestrajajacego i polaczony jest szeregowo z rezona¬ torem kwarcowym Q i stanowi z nim galaz sprzezenia zwrotnego w generatorze Colpittsa.Przykladowe zaleznosci wzglednego przestrojenia generatora kwarcowego od napiecia polaryzujacego Up przedstawione sa na fig. 4.Uzyskana zaleznosc przestrojenia od napiecia polaryzujacego pozwala na kompensacje temperaturowa charakterystyk temperaturowych rezonatorów kwarcowych z jednym, dwoma i trzema ekstremami mono- toniczna zaleznoscia napiecia Up od temperatury. Zrealizowanie monotonicznej zaleznosci napiecia Up od tem¬ peratury pozwala na uzycie prostszych i latwiejszych do obliczen i regulacji dzielników rezystorowo—termisto- rowych w porównaniu z dzielnikami realizujacymi zaleznosci niemonotoniczne.Zastosowanie ukladu wedlug wynalazku w generatorach kwarcowych kompensowanych temperaturowo poprawi ich parametry techniczno—ekonomiczne. PL PL

Claims (3)

1. Zastrzezeniapatentowe 1. Uklad diod waraktorowych o niemonotonicznej zmianie pojemnosci w funkcji napiecia polaryzujacego w szczególnosci do generatorów kwarcowych kompensowanych posiadajacy konfiguraqe diod waraktorowych realizujaca niemonotoniczna zaleznosc pojemnosci wypadkowej w funkcji napiecia polaryzujacego Up, zna¬ mienny tym, ze diody (D*) i(D2) polaczone sa szeregowo i jednokierunkowo to znaczy anode diody (Di) polaczono z katoda diody (D2) dla napiec zmiennych, a równolegle i róznokierunkowo to znaczy anode diody (D^ z katoda diody (D2), a anoda diody (D2) poprzez rezystory (Rsi) i (Rs2) i zródlo napiecia dodatko¬ wego (Ed) z katoda diody(Dt). ""~
2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze polaczenie pojemnosci modyfikujacych (Cmi) i(Cm2) sluzacych do ksztaltowania przebiegu pojemnosci wypadkowej ukladu w funkcji napiecia polaryzujacego (Up) jest równolegla do diod (Di) i (D2).
3. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako uklad przestrajajacy jest polaczony szeregowo z rezo¬ natorem kwarcowym i polaryzowany napieciem z ukladu kompensujacego termiczne zmiany czestotliwosci gene¬ rowanej. \KI. 2la1,36/00 70751 MKP H03k 1/04 Flg.1 C4b Cmax'Cd(Ed^0,SV)\— amin Cd ft) Fig. 2KI. 21 a1,36/00 70751 MKP H03k 1/04 Fig. 3 i i ! Cmim1pF I Cmi~0 cm1=Cm2-0 0„ Fig. A Prac. Poligraf. UP PRL. zam. 8042/21/74 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL
PL15471072A 1972-04-13 1972-04-13 PL70751B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15471072A PL70751B2 (pl) 1972-04-13 1972-04-13

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15471072A PL70751B2 (pl) 1972-04-13 1972-04-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL70751B2 true PL70751B2 (pl) 1974-04-30

Family

ID=19958178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL15471072A PL70751B2 (pl) 1972-04-13 1972-04-13

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL70751B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080100389A1 (en) Comparator with self-biased reference voltage for an oscillator
KR101095881B1 (ko) 가변 용량 기능의 온 오프 스위치를 가지는 가변 용량회로, 및 이 가변 용량 회로를 사용한 전압 제어 발진기
PL70751B2 (pl)
US3416100A (en) Voltage tuned oscillator with resistive and capacitive tuning diodes
Yoo et al. A 5.8-GHz high-frequency resolution digitally controlled oscillator using the difference between inversion and accumulation mode capacitance of pMOS varactors
JPS5845203B2 (ja) オンドホシヨウカイロ
US10804844B2 (en) Voltage controlled oscillators with wide tuning range and low phase noise
US3081436A (en) Negative resistance diode oscillator
Zhou et al. A study of the lock range of injection-locked CMOS active-inductor oscillators using a linear control system approach
US2878386A (en) Stable transistor oscillator
RU186861U1 (ru) Малошумящий генератор, управляемый напряжением с двойным перекрытием по частоте
EP3190707A1 (en) Variable frequency oscillator having wide tuning range and low phase noise
Heydari Millimeter-wave frequency generation and synthesis in Silicon
SE325933B (pl)
Huang et al. Optimization and realization of a 315-MHz low-phase-noise voltage-controlled SAW oscillator
US3535656A (en) Voltage controlled solid state circuit
SU738099A1 (ru) Источник гармонических колебаний
Wu et al. A Ka-Band Class-C BiCMOS VCO with Temperature Compensation
RU2042260C1 (ru) Генератор с электронной перестройкой частоты
McNeill VCO fundamentals
US3538456A (en) Helix cavity voltage controlled oscillator
US3144618A (en) Tunnel diode crystal controlled oscillator
RU193493U1 (ru) Малошумящий генератор, управляемый напряжением с высоким перекрытием по частоте
JPS63214007A (ja) 電圧制御発振器
SU1737695A1 (ru) Генератор СВЧ