PL69581B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL69581B1
PL69581B1 PL13894070A PL13894070A PL69581B1 PL 69581 B1 PL69581 B1 PL 69581B1 PL 13894070 A PL13894070 A PL 13894070A PL 13894070 A PL13894070 A PL 13894070A PL 69581 B1 PL69581 B1 PL 69581B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
probe
changes
frictional force
conductive
plate
Prior art date
Application number
PL13894070A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL13894070A priority Critical patent/PL69581B1/pl
Publication of PL69581B1 publication Critical patent/PL69581B1/pl

Links

Landscapes

  • Cleaning In Electrography (AREA)

Description

Pierwszenstwo: 26.11.1969 Stany Zjednoczone Ameryki Opublikowano: 11.11.1974 69581 KI. 21e,19/16 MKP GOlr 19/16 Twórca wynalazku: Christopher Snelling Wlasciciel patentu: Xerox Corporation, Rochester (Stany Zjednoczone Ameryki) Urzadzenie do analizowania rozkladu ladunku lub potencjalu na powierzchni naladowanego elektrostatycznie materialu Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do ana¬ lizowania rozkladu ladunku lub potencjalu na po¬ wierzchni naladowanego elektrostatycznie materia¬ lu, zwlaszcza pólprzewodnika lub dielektryka, przez badanie zmian sily tarcia i przetwarzanie tych zmian w sygnaly elektryczne.Znane jest urzadzenie do analizowania rozkladu ladunku lub potencjalu na plycie elektrofotogra¬ ficznej. W urzadzeniu tym sonda o okreslonym po¬ tencjale jest umieszczona bardzo blisko naladowa¬ nej powierzchni bebna, jednak jej nie dotykajac.Ponadto uklad zawiera mechanizm napedowy i elementy przenoszenia sondy, zapewniajace moz¬ liwosc analizowania powierzchni bebna za pomoca sondy. Gdy naladowana powierzchnia bebna znaj¬ duje sie w sasiediztwie ostrza sondy, w sondzie tej indukuje sie potencjal. Sonda jest polaczona bez¬ posrednio z siatka lampy elektronowej, a potencjal wytworzony w sondzie zmienia punkt pracy lampy w czasie, gdy sonda analizuje naladowana po¬ wierzchnie bebna. Zmiany sygnalu po wzmocnie¬ niu doprowadza sie do urzadzenia detekcyjnego lub innego ukladu odbiorczego, na przyklad urza¬ dzenia odtwarzajacego.Znane sa równiez próby eksperymentalne pro¬ wadzone w oparciu o zjawisko wykryte przez Johnsena^Rahbeka, zgodnie z którym odkryto, ze gdy dwie elektrody oddzielone czescia wykonana z materialu zdolnego do ladowania go, maja zwiek¬ szona róznice potencjalów — sily tarcia pomiedzy 15 30 elektrodami a materialem zdolnym do ladowania go wzrastaja. Johnsen i Rahbek przeprowadzal doswiadczenia przy uzyciu pólprzewodników takich jak agat, marmur, krzemien, 'kosc sloniowa i ka¬ mien litograficzny. Podczas pózniejszych badan zjawiska zastosowano pólprzewodnikowy material elektroniczny, którego dzialanie nie polega na obecnosci Wilgoci, jak to mialo miejsce w przypad¬ ku materialów zastosowanych przez odkrywców zjawiska. Pólprzewodnikowymi materialami elek¬ tronicznymi, które pomyslnie przeszly próby, byly krazki wytworzone przez prasowanie z mieszaniny tlenków magnezu i tytanu wypalanych i zreduko¬ wanych w atmosferze wodoru lulb selenu, pokry¬ wajajce plytke podloza.W dziedzinie analizy, rejestracji i odtwarzania obrazów graficznych niezwykle waznym proble¬ mem jest ograniczanie rozdzielczosci i ostrosci linii odtwarzanego obrazu. Zarówno rozdzielczosc jak i ostrosc sa ograniczone przez ki!lka czynników. Po pierwsze, obraz optyczny, rzutowany na fotoprze- wodnik elektrostatyczny, po drugie zdolnosc foto- przewodnika do utiworzenia na swej powierzchni obrazu ladunków i utrzymania go, po trzecie wlas¬ ciwosci pola elektrostatycznego fotoprzewodnika, dotyczace ostrosci tworzenia obrazu ladunków na jego powierzchni.Analizowanie plyty elektrofotograficznej w opi¬ sanym wyzej urzadzeniu jest oparte na zasadzie wykorzystania sprzezenia indukcyjnego. Jedna 69 58169 581 z niedogodnosci tego ukladu, spowodowana przez sprzezenie indukcyjne, jest fakt, ze trudno jest utrzymac ostrosc pól ladunku na powierzchni nio¬ sacej na sobie ladunki. W ukladzie wykorzystuja¬ cym sprzezenie indukcyjne rozdzielczosc jest zwia¬ zana bezposrednio z odlegloscia ostrza sondy od naladowanej powierzchni. Jesli zatem jest zadana rozdzielczosc zapewniajaca rozróznianie linii o gru¬ bosci 0,02 mm, niezbedny jest odstep 0,02 mm po¬ miedzy sonda a bebnem. Mniejszy odstep, chociaz polepszylby rozdzielczosc, jest trudny do uzyskania ze wzgledów mechanicznych takich jak tolerancje.Ponadto, gdy naladowana powierzchnia jest usy¬ tuowana na bebnie, w czasie analizowania bebna za pomoca nieruchomej sondy wystepuja zmiany odstepu, poniewaz wykonanie bebna o dokladnie stalym promieniu jest praktycznie niemozliwe. Po¬ nadto, przy sprzezeniu indukcyjnym wystepuje do¬ datkowe, niepozadane zjawisko dryfltu pradowego polaryzacji Wstepnej sondy, co moze byc spowo¬ dowane uplyweim przez izolacje. W oimawiainyni urzadzeniu nie wyeliminowano wymienionego dryf- tu lecz starano sie uniknac jego skutków przez okresowe uziemianie siatki lampy elektronowej.Celem wynalazku jest opracowanie urzadzenia, które pozwoliloby usunac niedogodnosci znanych urzajdzen, w których wystepuje sprzezenie induk¬ cyjne oraz opieraloby czesciowo swe dzialanie na zjawisku Johinsena-Rahbeka.Cel ten zostal osiagniety za pomoca urzadzenia do analizowania rozkladu ladunków lub potencja¬ lów na powierzchni naladowanego elektrostatycz¬ nie materialu, rozwiazanego wedlug wynalazku.Urzadzenie to zawiera pierwszy element prze¬ wodzacy z nalozonym nan materialem zdolnym do elektrostatycznego ladowania i drugi element prze¬ wodzacy najkorzystniej w postaci somdy przysto¬ sowanej do poruszania sie po powierzchni elektro¬ statycznie naladowanego materialu, pozostajacy w styku z ta powierzchnia. Ten drugi element jest sprzezony z ukladem przetwarzajacym zmiany sily tarcia, jakie sa wywierane na ten element, bedace funkcja rozkladu ladunków na powierzchni mate¬ rialu elektrostatycznego w sygnaly elektryczne od¬ powiadajace tym zmianom.Uklad do przetwarzania zmiany sily tarcia w sygnaly elektryczne zawiera plytke, która wraz z sonda tworza kondensator. Sonda jest przewo¬ dzaca i osadzona elastycznie na elementach pod¬ porowych. Plytka polaczona jest oscylatorem i sprzezona ujeimnosciowo z sonda tak, ze oscyla¬ tor ten jest modulowany zmianami pojemnosci po¬ miedzy plytka a sonda, podczas ruchu sondy w jej zamocowaniu w wyniku zmian sily tarcia.Urzadzenie wedlug wynalazku ma zastosowanie do zdalnego pirzenoszenia obrazów. W urzadzeniu takim przewodnik i dielektryk tworza warstwe fo¬ toprzewodzaca, która pokrywa foitoprzewodzaca tasme ukladu zdalnego przenoszenia. Ponadto urza¬ dzenie zawiera uklad napedowy do napedzania tej tasmy w styku z sonda, uklad zdalnego przenosze¬ nia zawiera elementy naswietlajace przeznaczone do rzutowania obrazu dokumentu, który ma byc zapisany elektrostatycznie na wymieniona równo¬ miernie naladowana tasme fotoprzewodzaca, w ce- 15 lu utworzenia tej tasmie elektrostatycznego obra¬ zu, odpowiadajacego dokumentowi. Urzadzenie ta¬ kie zawiera pewna ilosc ukladów zdalnego przeno¬ szenia, które sa polaczone ze wspólnym zespolem 5 wyjsciowym, przeznaczonym do odbierania i zapi¬ sywania sygnalów nadawanych przez te uklady.W innym przykladzie zastosowania urzadzenia weldlug wynalazku dielektryk i przewodnik tworza warstwe fotoprzewodzaca, która stanowi pokrycie tasmy fotoprzewodzacej detektora koincydencyjne¬ go. Ponadto urzadzenie zawiera uklad do napedza¬ nia tasmy fotoprzewodzacej wzgledem sondy. De¬ tektor koincydencyjny zawiera ponadto urzadzenie do nakladania ladunku elektrostatycznego na tasme. fotoprzewodzaca, pierwszy uklad naswietlenia da¬ nego obszaru fotoprzewodzacej tasmy, drugi uklad naswietlania danego obszaru fotoprzewodzacej tas¬ my w okreslonym odstepie czasu po naswietleniu przez pierwszy uklad, przy czym sygnaly elektrycz¬ ne z ukladów polaczonych z sonda sa wskaznikami koiincydencyjinego naswietlania danego obszaru fo¬ toprzewodzacej tasmy. Uklady naswietlenia w wy¬ zej omówionej odmianie urzadzenia sa oddalone od siebie o regulowany odsitelp, a kazdy z nich za- 25 wiera ekran optyczny, w którego jednym koncu umieszczone jest zródlo swiatla, a w drugim koncu soczewka i siatka optyczna.Przedmiot wynalazku i jego dzialanie zastanie blizej opisany na podstawie przykladu wykonania 30 przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy ilustrujacy uproszczo¬ ny uklad pomiaru wedlug zjawiska Johmsena-Rah- beka, fig. 2 ilustruje wykres zaleznosci sily tarcia od potencjalu elementów pokazanych na fig. 1, fig. 3 przedstawia przetwornik do przetwarzania sily tarcia wspólpracujacy z ukladem generatora, fig. 4 podaje przetwornik sily w uproszczonym ukladzie przenoszenia, a fig. 5 przedstawia przy¬ klad zastosowania urzadzenia wedlug wynalazku w ukladzie detektora koincydencyjnego.Na fig. 1 przedstawione jest w sposób uprosz¬ czony urzadzenie demonstrujace ogólnie .zastosowa¬ nie zjawiska Johinsena-Rahbeka, czesciowo w opar¬ ciu o które rozwiazane jest w sposób szczególowy 45 urzadzenie wedlug wynalazku. W urzadzeniu tym wystepuja sily przyciagania pomiedzy elektrodami, a naladowanym pólprzewodnikiem. Przewód uzie¬ miajacy 11 jest przylaczony do kosltiki 12 o obsza¬ rze stykowym 1 om2. W czasie pracy urzadzenia 50 przeprowadzono przykladowo próby przy uzyciu kostek z glinu, oraz z mosiadzu. Naladowany pól¬ przewodnik selenowy 13, który ma przykladowo grubosc okolo 50 /u\m, jest podparty lub przymo¬ cowany na stale do przewodzacej plyty 14. Styko- 55 we powierzchnie kostki 12 i pólprzewodnika 13 sa gladko wypolerowane tak, ze istnieje kilka punk¬ tów dobrego styku miedzy ich plaszczyznami. Ply¬ ta 14, na która nalozony jest selen jest uziemiona i wykonana z metalu, który nie reaguje w szkodli- 6o wy sposób z fotoprzewodnikiem lub materialem zdolnym do ladowania go, na przyklad z cynku, glinu lub mosiadzu. Do jednej kostki 12 przymoco¬ wana jest nic 16, której drugi koniec jest przyla¬ czony do naczynia 18, zawierajacego obciazajacy 65 material 19. Nic 16 jest przeciagnieta przez rolke 1769 581 tak, ze sila F, wywierana na nic przez naczynie 18 z materialem obciazajacym, dziala ku dolowi.W czasie prób pólprzewodnik selenowy zostal naladowany, a jego potencjal zmierzono za pomo¬ ca w-oUtoimierza lampowego. Wartosc obciazenia po- 5 trzebnego do utrzymania stalego ruchu kostki 12 po powierzchni naladowanej plyty, jak stwierdzo¬ no, jest funkcja napiecia przylozonego pomiedzy kostka a plyta, które tworza elektrody. Tarcie nici 16 na rolce 17 bylo niewiadome, ale zalozono, ze 10 wartosc wynikajacego stad bledu jest w przybli¬ zeniu stala.Na fig. 2 przedstawione sa wykresy stwierdzo¬ nej doswiadczalnie zaleznosci miedzy zastosowa¬ nym obciazeniem z potencjalem plyty w przypad- 15 ku uzyciu kostki z aluminium lub mosiadzu. Os rzednych wykresu z fig. 2 podaje w gramach sile, wywierana na kostke, a os odcietych podaje na¬ piecie na pólprzewodniku w woltach. Jak wynika z krzywych pokazanych na wykresie, sila tarcia 20 jest zalezna od napiecia. Przeibieg krzywej dla pró¬ by z kostka mosiezna wykazuje, ze wzrost napie¬ cia o 50 V powoduje wzrost sily tarcia o okolo 2 g. Nachylenie krzywej dla próby z kostka alu¬ miniowa nie jest tak strome jak w przypadku 2D kostki mosieznej. Obie krzywe potwierdzaja jed¬ nak zjawisko Johnsena-Rahbeka.Na fig. 3 pokazany jest przyklad przetwornika, wykorzystujacy zjawiska Johinsena-Rahbeka. Po- 30 siada on uziemicina mikrosonde 22, podpierana elastycznie przez pólsztywna, nieprzewodzaca oprawke 21. Warstwa 24 jest wykonana przez po¬ krycie lub osadzenie fotoprzewodzacego selenu na bebnie 26, który jest uziemiony. Chociaz pokazane 35 jest, ze sonda ,22 i beben 26 sa uziemione, pomyslne wyniki mozna osiagnac równiez gdy maja one in¬ ny potencjal. Ponadto, chociaz omówiono tu pól¬ przewodnik selenowy, dla fachowców jest oczy¬ wiste, ze zamiast niego mozna zastosowac kazdy 40 material zdolny do elektrostatycznego naladowania go. Beben 26 mozna wykonac z cynku, aluminium, mosiadzu lub z innego metalu, który nie bedzie powodowal odprowadzania ladunku z fotoprzewod- nika selenowego. Z mikrosonda 22 sprzezona jest 45 pojerninosciowo plytka 23, która wraz z mikrosonda 22 tworzy kondensator zmienny C z powietrzem lub innym dielektrykiem miedzy elektrodami tego kondensatora. Plytka 23 jest przylaczona do obwo¬ du rezonansowego LC, zawierajacego cewke 28 50 i kondensator 29. Ten obwód .rezonansowy jest po¬ laczony równolegle z obwodem sterowania oscyla¬ tora 31. Oscylator 31 jest przykladowo konwencjo¬ nalnym modulatorem FM lufo podobnym obwodem o odpowiednim wzmocnieniu i posiadajacym 55 obwód sterowania.W czasie dzialania urzadzenia pokazanego na fig. 3, beben 26, na którym nalozona jest warstwa 24 fotoprzewodzacego selenu, obraca sie z odpo¬ wiednia predkoscia w kierunku pokajanym 60 strzalka. Selenowa warstwa 24 jest w kontakcie z mikrosonda 22 i ma na swojej powierzchni ladu¬ nek wytworzony za pomoca odpowiedniego urza¬ dzenia ladujacego. Na mikrosonde wywierana jest sila F, zalezna od ladunku warstwy 24 fotoprzewo- 65 dzacego selenu. Zmiany sily wywieranej na mikro¬ sonde powoduja zmiany pojemnosci miedzy nia a plytka 23. Zmiany tej pojemnosci wywoluja mo¬ dulacje czestotliwosciowa drgan wytwarzanych przez oscylator 31, zatem sygnal wyjsciowy z oscy¬ latora 31 zmienia sie zgodnie ze zjawiskiem John¬ sena-Rahbeka, czyli tak, jak napiecie miedzy elek¬ trodami zmienia sile tarcia F miedzy mikrosonda a fotoprzewodnikiem selenowym.Fakt, ze mikrosonda 22 jest uziemiona i styka sie z waristwa fotoprzewodzaca 24 móglby sklonic do przypiUszczen, ze ladunek fotoprzewodinika od¬ plywa przez sonde do ziemi, jednak strata ladun¬ ku jest bardzo mala i mozna ja pominac. Dzieje sie tak dlatego, ze powierzchnia styku mikrosondy z fotoprzewodnikiem jest bardzo mala, a ze wzgle¬ du na to, ze mikrosonda i fotoprzewodnik sa cia¬ lami stalymi jest niewiele punktów styku miedzy nimi, które umozliwilylby duza strate ladunku. Po¬ nadto uplyw ladunku wystepuje tylko w obszarach styku mikrosondy z fotoprzewodnikiem, na skutek czego naladowane obszary nie stykajace sie z son¬ da nie sa rozladowywane, gdyz fotoprzewodnik jest niezwykle dobrym izolatorem i stanowi duza opor¬ nosc dla przeplywu pradu.Na fig. 4 pokazane jest urzadzenie wedlug wy¬ nalazku w uproszczonym ukladzie przenoszenia.Uklad przedstawiony na fig. 4 zawiera pewna ilosc przyrzadów zdalnych, z których kazdy zawiera uklad mikrosondy, opisany na podstawie fig. 3 i przeznaczony do badania rozkladu ladunku na fotoprzewodzacej tasmie 40 ukladu przenoszenia.Wejscia poszczególnych przyrzadów zdalnych 32, 33, 34, 35 i 36 sa przylaczone do wspólnego ukladu wyjsciowego w celu wykorzystania sygnalów wyjsciowych z poszczególnych przyrzadów zdal¬ nych. Urzadzenie przedstawione na fig. 4 moze byc wykorzystane jako uklad odtwarzania.W czasie dzialania przyrzadu zdalnego, tasma 40, obracajaca sie w kierunku pokazanym strzalka jest równomiernie ladowana przez korotron 30 lub inne urzadzenie do ladowania elektrostatycznego.W okreslonym momencie czasu wlaczane sa lampy blyskowe 38 i 39 w celu oswietlenia odtwarzanego dokumentu 50. Zamiast lamp blyskowych 38, 39 mozna z .powodzeniem zastosowac inne urzadzenia, na przyklad uklad z migawka. Obraz dokumentu jest ogaisiKowany na foboprzewodzacym pasie za pomoca soczewki 41, na skutek czego na pasie tym zostaje utworzony utajony obraz elektrostatyczny.Nastepnie naladowany pas jest analizowany de¬ tekcyjnie za pomoca mikrosondy na zasadzie opi¬ sanego juz zjawiska Johrusena-Rahbeka. Sygnal wyjsciowy, reprezentujacy rozklad ladunku na pa¬ sie 40 przekazywany jest z przyrzadu zdalnego na wspólny zespól wyjsciowy w celu wykorzystania go.Na fig. 5 przedstawiono inne zastosowanie urza¬ dzenia wedlug wynalazku. Jest to uklad do doko¬ nywania detekcji koincydencyjnej przez dluzsze okresy czasu. Przy jednym koncu optycznego ekra¬ nu 46 umieszczone jest pierwsze zródlo swiatla 43.Na drugim koncu ekranu 46 usytuowana jest siat¬ ka optyczna 51, przepuszczajaca swiatlo skupione w równolegle promienie przez soczewke 48. So-69 581 8 czewka 48 jest odJdalona od zródla swiatla 43 o okreslany odstep potrzebny do skupienia swiatla w równolegle promienie i lezy blisko optycznej siatki 51. Drugie zródlo swiatla 44 usytuowane jest w ekranie 47 oddalanym o okreslony odstep d od ekranu 46. Soczewka 49, podobnie jak soczewka 48, skupia swiatlo prcepuszczone przez siatke op¬ tyczna na fotoprzewodzacej warstwie 24. Warstwa ta, przechodzaca obok wymienionych zródel swiatla i ukladu detekcyjnego jest równomiernie ladowa¬ na przez korotron 53 lufo inne urzadzenie ladujace.Mikrosonda 22 w .polaczeniu z plytka 23 i oscyla¬ torem 31 dziala jako detektor koincydencyjny, pra¬ cujacy na zasadzie zjawiska Johnsena^Rahbeka.Zródla swiatla 43 i 44 kolejno naswietlaja dany obszar powierzchni warsfwy flotoprzewodzacej po¬ przez siatki opltyczne. Koincydencyjne naswietla¬ nie tych samych obszarów fotoprzewodnika przez zródla swiatla 43 i 44 uwarunkowane jest przez predkosc powierzchni waratwy fotoprzewodzacej i/lub przez nastawny odstejp 6 pomiedzy ekranami 46 i 47. Stan zerowy, przy którym zródla swiatla 43 i 44 kolejno calkowicie rozladowuja dany obszar fotoprzewodnika moze równiez byc wykryty przez uklad detekcyjny. Ponadito, zródla swiaitila 43 i 44 moga byc uruchamiane przez sygnaly przyjmowa¬ ne i nadawane z ukladu kontrolnego. W takim przypadku uklad detekcyjny moze kontrolowac gradient czasu pomiedzy sygnalem nadawanym i odbieranym. Detektor koincydencji moze zawie¬ rac urzadzenia rozladowujace takie, jak generator promieni podczerwonych dostarczajacy cieplo w ce¬ lu rozladowania materialu elektrostatycznego za¬ miast zródel swiatla i ukladów optycznych opisa¬ lo 20 25 30 nych powyzej. W takim ukladzie opisany fotoprze- wodmik jest zastapiony odpowiednim materialem elektrostatycznym. PL PL

Claims (4)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Urzadzenie do analizowania rozkladu ladun¬ ków lub potencjalów na powierzchni naladowane¬ go elektrostatycznie materialu, znamienne tym, ze zawiera pierwszy element przewodzacy (24) z na¬ lozonym nan materialem zdolnym do elektrosta¬ tycznego ladowania sie, drugi element przewodza¬ cy (22) najkorzystniej w postaci sondy przystoso¬ wanej do poruszania sie po powierzchni elektrosta¬ tycznie naladowanego materialu, pozostajacy w styku z ta powierzchnia i sprzezony z ukladem przetwarzajacym zmiany sily tarcia (F) wywieranej na drugi element (22), bedacej funkcja rozkladu ladunków na powierzchni materialu elektrosta¬ tycznego, w sygnaly elektryczne odpowiadajace tym zmianom.
2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze uklad do przetwarzania zmian sily tarcia w syg¬ naly elektryczne zawliera plytke (23), która razem z sonda stanowi kondensator (C) o pojemnosci uzaleznionej od zmian tej sily.
3. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze sonda (22) jest przewodzaca i jest osadzona elastycznie na elementach podporowych (21).
4. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze uklad do przetwarzania zmian sily tarcia (F) w sygnaly elektryczne zawierajacy plytke itworzaca z sonda kondensator (C) polaczony jest z oscyla¬ torem (31) modulowanym zmianami pojemnosci (C) pomiedzy plyUka (23) a sonda (22). ~® yr" T F,G-l \fiM 14 12 lOl- o 4 2h FIG. 3 v«vw i e_T ^3/ 32 _Zl "2*5 4*5 3&5 a&6 idoo lv) FIG.2 F/6. 5 RSW Zakl. Graf. W-wa, zam. 923-73, nakl. 120+20 egz. Cena 10 zt PL PL
PL13894070A 1970-02-21 1970-02-21 PL69581B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL13894070A PL69581B1 (pl) 1970-02-21 1970-02-21

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL13894070A PL69581B1 (pl) 1970-02-21 1970-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL69581B1 true PL69581B1 (pl) 1973-06-30

Family

ID=19951326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL13894070A PL69581B1 (pl) 1970-02-21 1970-02-21

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL69581B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3944354A (en) Voltage measurement apparatus
FI59492B (fi) Elektrografiskt framkallningsfoerfarande
EP0002102A1 (en) Xerographic printer/copier device with converter for converting information from a latent image of an original document into electrical signals
EP0232758B1 (en) Compact electrophotographic printing apparatus having an improved developement means and a method for operating the same
US3752572A (en) Apparatus for making electrographs
US2996400A (en) Positive and negative electroprinting
US3777173A (en) Xerographic toner concentration measuring apparatus and method
US3673598A (en) Apparatus for the electrographic recording of charge images
US3240596A (en) Electrophotographic processes and apparatus
US3492476A (en) Electrostatic charging device utilizing both a.c. and d.c. fields
EP0173621B1 (en) Method for forming a toner imager in electrophotographic printing
PL69581B1 (pl)
US3638110A (en) Device for measuring charge on a material by converting into electrical signals the frictional forces caused by the charge
US4000944A (en) Photoreceptor for electrostatic reproduction machines with built-in electrode
US5633700A (en) Actuator for actuating a surface contacting probe of a contacting electrostatic voltmeter
EP0104901A2 (en) Method and apparatus for adjusting toner concentration of two-component type developer
US5467378A (en) X-ray apparatus comprising a photoconductor and a corona charging device
US4248951A (en) Method of image formation with a screen element and charging means
US3818493A (en) High speed xerographic printer
US4801967A (en) Voltage sensing in A.C. corotrons
US3964827A (en) Ion modulated image forming apparatus
US3737569A (en) Transmission device
EP0416895B1 (en) Electrostatographic apparatus
US4164372A (en) Method and apparatus for developing an electrical image
US3673599A (en) Electrostatic printing apparatus