PL67808B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL67808B1
PL67808B1 PL142268A PL14226870A PL67808B1 PL 67808 B1 PL67808 B1 PL 67808B1 PL 142268 A PL142268 A PL 142268A PL 14226870 A PL14226870 A PL 14226870A PL 67808 B1 PL67808 B1 PL 67808B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
resistor
transistor
channel
collector
emitter
Prior art date
Application number
PL142268A
Other languages
English (en)
Inventor
Zbigniew
Sikorski Wladyslaw
Original Assignee
Instytut Lotnictwa
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Lotnictwa filed Critical Instytut Lotnictwa
Publication of PL67808B1 publication Critical patent/PL67808B1/pl

Links

Description

Przy jednoczesnym sterowaniu zewnetrznymi sygnalami skladowymi wszystkich wejsc we± -=- wen sumatora, w kazdym kanale zachodza równoczesnie procesy analogiczne do opisanych przykladowo dla kanalu pierwszego, wywolujac równiez analogiczne równoczesne skutki. W koncowym efekcie, zmien¬ ne napiecie kolektorowe tranzystora sumacyjnego Ts jest suma iloczynów odpowiednich kanalowych wzmocnien napieciowych i skladowych zmiennych kanalowych napiec wejsciowych. W szczególnym przypadku, gdy wzmocnienia napieciowe we wszyst¬ kich kanalach sa równe, wówczas (pomijajac skla¬ dowe stale) napiecie kolektorowe tranzystora su^ macyjnego Ts jest iloczynem sumy napiec wejsciem wych i napieciowego wzmocnienia kanalowego.Gdy wartosc wspólczynnika wzmocnienia prado¬ wego /? uzytych tranzystorów jest dostatecznie du¬ za, to kanalowe wzmocnienia napieciowe praktycz¬ nie nie zaleza od wartosci tego wspólczynnika (nie zaleza od zmian /? podczas pracy w zmiennych warunkach oraz nie zmieniaja sie przy wymianie danych egzemplarzy tranzystorów na inne). Wy¬ padkowe napiecie sumaryczne podawane jest z ko¬ lektora tranzystora sumacyjnego Ts na wyjscie wy sumatora poprzez kondensator oddzielajacy Cs, który sprzega sumator z obciazeniem tylko dla skladowych zmiennych napiecia kolektorowego od¬ dzielajac skladowa stala tego napiecia. Calosc ukla¬ du zasilana jest ze zródla energii o biegunach B1 i B^ Biegun Bt zródla zasilajacego polaczony jest z rezystorem kolektorowym Rk i z emiterem tran¬ zystora sumacyjnego Ts, zas biegun B2 tego zródla jest wspólnym biegunem zerowym wszystkich wejsc wej -r- wen oraz wyjscia wy sumatora i polaczony jest z rezystorami emiterowymi Rei H- Ren. Jezeli 'tranzystory kanalowe T± -h Tn sa typu n-p-n, a tranzystor sumacyjny typu p-n-p, to biegun Bt jest biegunem dodatnim zródla zasilajacego, zas biegun B2 — biegunem ujemnym. Zmiana typu tranzystorów na przeciwny wiaze sie tylko ze zmia¬ na znaku biegunów B± i B2 zródla zasilania, na¬ tomiast dzialanie ukladu jest wówczas identyczne.Za pomoca rezystora kolektorowego Rk dokonywac mozna jednoczesnej regulacji wzmocnien we wszy¬ stkich kanalach. Niezalezna regulacja indywidualna poszczególnych wzmocnien kanalowych za pomoca rezystorów sumacyjnych RSi -=- Rsn, lub emitero- wych Rel -r- Ren pozwala, w zaleznosci od potrzeb, zarówno na wyrównanie tych wzmocnien, jak i na ustawienie róznych ich wartosci (np. przy stoso¬ waniu preemfazy lub deemfazy).Rezystor kolektorowy Rk zmniejsza ogólna re¬ zystancje w bazie tranzystora sumacyjnego Ts, dzieki czemu wplywa stabilizujaco na jego punkt 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6 pracy dla pradu stalego. Rezystory emiterowe Rei 4- Ren zwiekszaja ogólne rezystancje w emite¬ rach tranzystorów kanalowych Tt -=- Tn stabilizu¬ jac warunki pracy tych tranzystorów. W wyniku przeplywu czesci pradu kolektorowego tranzystora sumacyjnego Ts przez kazdy rezystor emiterowy Rei -s- Re zwiekszone jest ujemne sprzezenie zwrotne równiez dla pradu stalego, a tym samjwa skuteczniejsze jest dzialanie stabilizacyjne rezysto- 10 rÓW Rei -r- Ren.Dla lepszej stabilizacji punktu pracy tranzystora sumacyjnego Ts, emiter tego tranzystora moze byc polaczony z biegunem B4 zródla zasilania poprzez rezystor dodatkowy Rd. tak jak to pokazano na fig. 2. Rezystor dodatkowy Rd zwieksza ogólna rezystancje w obwodzie emitera tranzystora su¬ macyjnego Ts, co lacznie z wystepujacym w tym przypadku ujemnym sprzezeniem zwrotnym pra* dowo-szeregowym stabilizuje warunki pracy tran¬ zystora sumacyjnego Ts dla pradu stalego i zmien¬ nego, polepszajac równiez inne wlasnosci ukladu.Jednak zmniejszaja sie wtedy, w pewnym stopniu, wszystkie napieciowe wzmocnienia kanalowe. Aby w razie potrzeby nie tracic na wzmocnieniach ka¬ nalowych, rezystor dodatkowy Rd mozna zabloko*- wac dolaczonym don równolegle kondensatorem bocznikujacym, który zwierajac skladowe zmiennie, likwiduje ujemne sprzezenie zwrotne wprowadzane przez ten rezystor dla pradu zmiennego, a pow stawia je dla pradu stalego i tym samym nie po¬ garsza podwyzszonej stabilnosci punktu pracy tran¬ zystora sumacyjnego Ts.Równiez w tym celu, aby nie tracic na wzmóc* nieniach kanalowych, rezystor kolektorowy Rk i emiter tranzystora sumacyjnego Ts mozna pola¬ czyc z biegunem Bi zródla zasilania poprzez re¬ zystor dodatkowy Rd, tak jak to zostalo pokazane na fig. 3. Taka odmiana ukladowa nie wnosi ujem¬ nego sprzezenia zwrotnego, stabilizuje jednak cze¬ sciowo warunki pracy ukladu dla pradu stalego.W przykladach, gdy wymagana jest duza sta¬ bilnosc punktu pracy tranzystora sumacyjnego Ts, do stabilizacji mozna wykorzystac nieliniowa ele^ menty pólprcewodnikowe, jak spolaryzowane prze- wodzaco diody czy tranzystory. Elementy takie moga byc pojedynczo albo w zestawach zlozonych z wiekszej ilosci sztuk wlaczane w miejsce rezys¬ tora kolektorowego Rk badz tez szeregowo lub rów¬ nolegle z tym rezystorem. Przykladowo na fig. 4 pokazano szeregowe wlaczenie jednej diody pól¬ przewodnikowej D spolaryzowanej przewodzaco w w ukladzie odpowiadajacym pokazanemu na fig. 2.Analogicznie postepowac mozna z ukladami po¬ danymi na fig. 1 i fig. 3, W szczególnym przypadku warunki pracy ukla¬ du moga byc tak dobrane, ze mozliwe jest jego poprawne dzialanie bez rezystora kolektorowego Rk (przypadek z jego pominieciem podano na fig. 5).Przypadek taki zachodzi wówczas, kiedy suma pra¬ dów kolektorowych tranzystorów kanalowych Tx -r- 60 -^ Tn odpowiada wymaganemu optymalnemu pra¬ dowi bazy tranzystora sumacyjnego Ts.Wolne konce rezystorów bazowych Rbi -r- Rbn moga byc polaczone z róznymi punktami ukladu.Moga one byc dolaczone do bazy tranzystora su- 65 macyjnego Ts, do emitera tego tranzystora pola-67 808 S czonego przez rezystor dodatkowy Rd z biegunem Bt zródla zasilania lub bezposrednio do bieguna Bt zródla zasilania. Polaczenia takie moga byc doko¬ nywane we wszystkich kanalach jednakowo lub w sposób kombinowany. Polaczenie rezystora ba¬ zowego, Rbi z Daz3 tranzystora sumacyjnego Ts wprowadza w kanale pierwszym dodatkowe ujem¬ ne sprzezenie zwrotne napieciowo-równolegle za¬ równo dla skladowej stalej jak i dla skladowych zmiennych sygnalu.Polaczenie takie stabilizuje dodatkowo punkt pra¬ cy tranzystora kanalowego Tj, poprawia charakte¬ rystyke czestotliwosciowa w kanale pierwszym, zmniejsza znieksztalcenia nieliniowe w tym kana¬ le, ale zmniejsza w pewnym stopniu impedancje wejsciowa w tym kanale oraz wartosc kanalowego wzmocnienia napieciowego. Wartosc tego sprzeze¬ nia jest na ogól niewielka, bowiem wartosc rezys¬ tancji rezystora bazowego Rbi jest zazwyczaj duza.Aby przy takim polaczeniu rezystora Rbl nie zmniejszac w kanale pierwszym impedancji wej¬ sciowej i wzmocnienia kanalowego, rezystor ba¬ zowy R^ mozna zastapic dwoma rezystorami sze¬ regowymi, a wspólny punkt srodkowy tych rezys¬ torów zablokowac kondensatorem do bieguna B2 zródla zasilania (zastosowanie filtru odsprzedaja¬ cego). Wówczas usuniete jest ujemne sprzezenie zwrotne dla pradu zmiennego, a zachowane dla pradu stalego (utrzymana podwyzszona stabilnosc punktu pracy).Dolaczenie rezystora bazowego Rbl do emitera tranzystora sumacyjnego Ts polaczonego z biegu¬ nem Bj zródla zasilania poprzez rezystor dodat¬ kowy Rd równiez wprowadza ujemne sprzezenie zwrotne w kanale pierwszym, jednak slabsze — a wiec mniej efektywne. Natomiast dolaczenie re¬ zystora bazowego Rbl bezposrednio do bieguna Bt zródla zasilania nie wprowadza zadnego sprzezenia zwrotnego. Jezeli, w celu dalszego zwiekszenia impedancji wejsciowej lub jej stabilizacji, w da- 5 nym kanale (albo we wszystkich) zastosowane zo¬ stanie dodatnie sprzezenie zwrotne napieciowo- -równolegle, dzialajace w tak zwanym ukladzie „bootstrapowym", zlozonym z rezystorowego dziel¬ nika napiecia zasilania i z kondensatora sprzega¬ lo jacego wspólny punkt srodkowy tego. dzielnika z emiterem danego tranzystora kanalowego, to wtedy wolny koniec rezystora bazowegp tego ka¬ nalu moze byc dolaczony do wspólnego punktu srodkowego dzielnika rezystorowego. 15 PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Tranzystorowy sumator liniowy, oparty na sumatorze kolektorowym, w którym wszystkie tranzystory posiadaja w emiterach rezystory emi- terowe, znamienny tym, ze posiada dodatkowy tranzystor sumacyjny (Ts) odmiennego typu niz tranzystory kanalowe do kolektorów tranzystorów kanalowych (T± -r- Tn), emiterem — bezposrednio lub poprzez rezystor dodatkowy (Rd) — do bieguna (Bj) zródla zasilania polaczonego z rezystorem kolektorowym (Rk), a ko¬ lektorem — poprzez oddzielne rezystory sumacyj- ne (RS1 -r- Rsn) do emiterów poszczególnych tran- 30 zystorów kanalowych (Tx -^ Tn).
2. Odmiana sumatora wedlug zastrz. 1, znamien¬ na tym, ze rezystor kolektorowy (Rk) i emiter tranzystora sumacyjnego (Ts) sa polaczone z bie- 35 gunem (Bj) zródla zasilania poprzez rezystor do¬ datkowy (Rd). 20 25KI. 21a1?36/18 67 808 MKPH03k 19/03 Fig.1 c" "» cBz "Ru IU ^ Fig.3 PL PL
PL142268A 1970-07-25 PL67808B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL67808B1 true PL67808B1 (pl) 1972-12-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3512096A (en) Transistor circuit having stabilized output d.c. level
US3743850A (en) Integrated current supply circuit
SU772508A3 (ru) Усилитель
US3641448A (en) Transistor signal translating stage
GB1419748A (en) Current stabilizing arrangement
US3786362A (en) Balanced output operational amplifier
US3090926A (en) Transistor amplifier with tunnel diode in emitter circuit
US3522521A (en) Reference voltage circuits
US3629717A (en) Circuit arrangement for stabilizing against variations in temperature and supply voltage
US3909738A (en) Amplifier device
GB1563179A (en) Differential amplifiers
US3577167A (en) Integrated circuit biasing arrangements
US3418592A (en) Direct coupled amplifier with temperature compensating means
US3828241A (en) Regulated voltage supply circuit which compensates for temperature and input voltage variations
GB1469793A (en) Current proportioning circuit
GB1468434A (en) Fractional current supply
US3351865A (en) Operational amplifier
US3904976A (en) Current amplifier
PL67808B1 (pl)
US3717777A (en) Digital to analog converter including improved reference current source
US3743863A (en) Transistorized electronic circuit employing resistorless bias network
US3813603A (en) Integrated threshold circuit for stages with different control ranges
US4910477A (en) Bridge-type linear amplifier with wide dynamic range and high efficiency
US4553107A (en) Current mirror circuit having stabilized output current
US3018446A (en) Series energized transistor amplifier