PL67808B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL67808B1 PL67808B1 PL142268A PL14226870A PL67808B1 PL 67808 B1 PL67808 B1 PL 67808B1 PL 142268 A PL142268 A PL 142268A PL 14226870 A PL14226870 A PL 14226870A PL 67808 B1 PL67808 B1 PL 67808B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- resistor
- transistor
- channel
- collector
- emitter
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002226 simultaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Description
Przy jednoczesnym sterowaniu zewnetrznymi sygnalami skladowymi wszystkich wejsc we± -=- wen sumatora, w kazdym kanale zachodza równoczesnie procesy analogiczne do opisanych przykladowo dla kanalu pierwszego, wywolujac równiez analogiczne równoczesne skutki. W koncowym efekcie, zmien¬ ne napiecie kolektorowe tranzystora sumacyjnego Ts jest suma iloczynów odpowiednich kanalowych wzmocnien napieciowych i skladowych zmiennych kanalowych napiec wejsciowych. W szczególnym przypadku, gdy wzmocnienia napieciowe we wszyst¬ kich kanalach sa równe, wówczas (pomijajac skla¬ dowe stale) napiecie kolektorowe tranzystora su^ macyjnego Ts jest iloczynem sumy napiec wejsciem wych i napieciowego wzmocnienia kanalowego.Gdy wartosc wspólczynnika wzmocnienia prado¬ wego /? uzytych tranzystorów jest dostatecznie du¬ za, to kanalowe wzmocnienia napieciowe praktycz¬ nie nie zaleza od wartosci tego wspólczynnika (nie zaleza od zmian /? podczas pracy w zmiennych warunkach oraz nie zmieniaja sie przy wymianie danych egzemplarzy tranzystorów na inne). Wy¬ padkowe napiecie sumaryczne podawane jest z ko¬ lektora tranzystora sumacyjnego Ts na wyjscie wy sumatora poprzez kondensator oddzielajacy Cs, który sprzega sumator z obciazeniem tylko dla skladowych zmiennych napiecia kolektorowego od¬ dzielajac skladowa stala tego napiecia. Calosc ukla¬ du zasilana jest ze zródla energii o biegunach B1 i B^ Biegun Bt zródla zasilajacego polaczony jest z rezystorem kolektorowym Rk i z emiterem tran¬ zystora sumacyjnego Ts, zas biegun B2 tego zródla jest wspólnym biegunem zerowym wszystkich wejsc wej -r- wen oraz wyjscia wy sumatora i polaczony jest z rezystorami emiterowymi Rei H- Ren. Jezeli 'tranzystory kanalowe T± -h Tn sa typu n-p-n, a tranzystor sumacyjny typu p-n-p, to biegun Bt jest biegunem dodatnim zródla zasilajacego, zas biegun B2 — biegunem ujemnym. Zmiana typu tranzystorów na przeciwny wiaze sie tylko ze zmia¬ na znaku biegunów B± i B2 zródla zasilania, na¬ tomiast dzialanie ukladu jest wówczas identyczne.Za pomoca rezystora kolektorowego Rk dokonywac mozna jednoczesnej regulacji wzmocnien we wszy¬ stkich kanalach. Niezalezna regulacja indywidualna poszczególnych wzmocnien kanalowych za pomoca rezystorów sumacyjnych RSi -=- Rsn, lub emitero- wych Rel -r- Ren pozwala, w zaleznosci od potrzeb, zarówno na wyrównanie tych wzmocnien, jak i na ustawienie róznych ich wartosci (np. przy stoso¬ waniu preemfazy lub deemfazy).Rezystor kolektorowy Rk zmniejsza ogólna re¬ zystancje w bazie tranzystora sumacyjnego Ts, dzieki czemu wplywa stabilizujaco na jego punkt 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6 pracy dla pradu stalego. Rezystory emiterowe Rei 4- Ren zwiekszaja ogólne rezystancje w emite¬ rach tranzystorów kanalowych Tt -=- Tn stabilizu¬ jac warunki pracy tych tranzystorów. W wyniku przeplywu czesci pradu kolektorowego tranzystora sumacyjnego Ts przez kazdy rezystor emiterowy Rei -s- Re zwiekszone jest ujemne sprzezenie zwrotne równiez dla pradu stalego, a tym samjwa skuteczniejsze jest dzialanie stabilizacyjne rezysto- 10 rÓW Rei -r- Ren.Dla lepszej stabilizacji punktu pracy tranzystora sumacyjnego Ts, emiter tego tranzystora moze byc polaczony z biegunem B4 zródla zasilania poprzez rezystor dodatkowy Rd. tak jak to pokazano na fig. 2. Rezystor dodatkowy Rd zwieksza ogólna rezystancje w obwodzie emitera tranzystora su¬ macyjnego Ts, co lacznie z wystepujacym w tym przypadku ujemnym sprzezeniem zwrotnym pra* dowo-szeregowym stabilizuje warunki pracy tran¬ zystora sumacyjnego Ts dla pradu stalego i zmien¬ nego, polepszajac równiez inne wlasnosci ukladu.Jednak zmniejszaja sie wtedy, w pewnym stopniu, wszystkie napieciowe wzmocnienia kanalowe. Aby w razie potrzeby nie tracic na wzmocnieniach ka¬ nalowych, rezystor dodatkowy Rd mozna zabloko*- wac dolaczonym don równolegle kondensatorem bocznikujacym, który zwierajac skladowe zmiennie, likwiduje ujemne sprzezenie zwrotne wprowadzane przez ten rezystor dla pradu zmiennego, a pow stawia je dla pradu stalego i tym samym nie po¬ garsza podwyzszonej stabilnosci punktu pracy tran¬ zystora sumacyjnego Ts.Równiez w tym celu, aby nie tracic na wzmóc* nieniach kanalowych, rezystor kolektorowy Rk i emiter tranzystora sumacyjnego Ts mozna pola¬ czyc z biegunem Bi zródla zasilania poprzez re¬ zystor dodatkowy Rd, tak jak to zostalo pokazane na fig. 3. Taka odmiana ukladowa nie wnosi ujem¬ nego sprzezenia zwrotnego, stabilizuje jednak cze¬ sciowo warunki pracy ukladu dla pradu stalego.W przykladach, gdy wymagana jest duza sta¬ bilnosc punktu pracy tranzystora sumacyjnego Ts, do stabilizacji mozna wykorzystac nieliniowa ele^ menty pólprcewodnikowe, jak spolaryzowane prze- wodzaco diody czy tranzystory. Elementy takie moga byc pojedynczo albo w zestawach zlozonych z wiekszej ilosci sztuk wlaczane w miejsce rezys¬ tora kolektorowego Rk badz tez szeregowo lub rów¬ nolegle z tym rezystorem. Przykladowo na fig. 4 pokazano szeregowe wlaczenie jednej diody pól¬ przewodnikowej D spolaryzowanej przewodzaco w w ukladzie odpowiadajacym pokazanemu na fig. 2.Analogicznie postepowac mozna z ukladami po¬ danymi na fig. 1 i fig. 3, W szczególnym przypadku warunki pracy ukla¬ du moga byc tak dobrane, ze mozliwe jest jego poprawne dzialanie bez rezystora kolektorowego Rk (przypadek z jego pominieciem podano na fig. 5).Przypadek taki zachodzi wówczas, kiedy suma pra¬ dów kolektorowych tranzystorów kanalowych Tx -r- 60 -^ Tn odpowiada wymaganemu optymalnemu pra¬ dowi bazy tranzystora sumacyjnego Ts.Wolne konce rezystorów bazowych Rbi -r- Rbn moga byc polaczone z róznymi punktami ukladu.Moga one byc dolaczone do bazy tranzystora su- 65 macyjnego Ts, do emitera tego tranzystora pola-67 808 S czonego przez rezystor dodatkowy Rd z biegunem Bt zródla zasilania lub bezposrednio do bieguna Bt zródla zasilania. Polaczenia takie moga byc doko¬ nywane we wszystkich kanalach jednakowo lub w sposób kombinowany. Polaczenie rezystora ba¬ zowego, Rbi z Daz3 tranzystora sumacyjnego Ts wprowadza w kanale pierwszym dodatkowe ujem¬ ne sprzezenie zwrotne napieciowo-równolegle za¬ równo dla skladowej stalej jak i dla skladowych zmiennych sygnalu.Polaczenie takie stabilizuje dodatkowo punkt pra¬ cy tranzystora kanalowego Tj, poprawia charakte¬ rystyke czestotliwosciowa w kanale pierwszym, zmniejsza znieksztalcenia nieliniowe w tym kana¬ le, ale zmniejsza w pewnym stopniu impedancje wejsciowa w tym kanale oraz wartosc kanalowego wzmocnienia napieciowego. Wartosc tego sprzeze¬ nia jest na ogól niewielka, bowiem wartosc rezys¬ tancji rezystora bazowego Rbi jest zazwyczaj duza.Aby przy takim polaczeniu rezystora Rbl nie zmniejszac w kanale pierwszym impedancji wej¬ sciowej i wzmocnienia kanalowego, rezystor ba¬ zowy R^ mozna zastapic dwoma rezystorami sze¬ regowymi, a wspólny punkt srodkowy tych rezys¬ torów zablokowac kondensatorem do bieguna B2 zródla zasilania (zastosowanie filtru odsprzedaja¬ cego). Wówczas usuniete jest ujemne sprzezenie zwrotne dla pradu zmiennego, a zachowane dla pradu stalego (utrzymana podwyzszona stabilnosc punktu pracy).Dolaczenie rezystora bazowego Rbl do emitera tranzystora sumacyjnego Ts polaczonego z biegu¬ nem Bj zródla zasilania poprzez rezystor dodat¬ kowy Rd równiez wprowadza ujemne sprzezenie zwrotne w kanale pierwszym, jednak slabsze — a wiec mniej efektywne. Natomiast dolaczenie re¬ zystora bazowego Rbl bezposrednio do bieguna Bt zródla zasilania nie wprowadza zadnego sprzezenia zwrotnego. Jezeli, w celu dalszego zwiekszenia impedancji wejsciowej lub jej stabilizacji, w da- 5 nym kanale (albo we wszystkich) zastosowane zo¬ stanie dodatnie sprzezenie zwrotne napieciowo- -równolegle, dzialajace w tak zwanym ukladzie „bootstrapowym", zlozonym z rezystorowego dziel¬ nika napiecia zasilania i z kondensatora sprzega¬ lo jacego wspólny punkt srodkowy tego. dzielnika z emiterem danego tranzystora kanalowego, to wtedy wolny koniec rezystora bazowegp tego ka¬ nalu moze byc dolaczony do wspólnego punktu srodkowego dzielnika rezystorowego. 15 PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Tranzystorowy sumator liniowy, oparty na sumatorze kolektorowym, w którym wszystkie tranzystory posiadaja w emiterach rezystory emi- terowe, znamienny tym, ze posiada dodatkowy tranzystor sumacyjny (Ts) odmiennego typu niz tranzystory kanalowe do kolektorów tranzystorów kanalowych (T± -r- Tn), emiterem — bezposrednio lub poprzez rezystor dodatkowy (Rd) — do bieguna (Bj) zródla zasilania polaczonego z rezystorem kolektorowym (Rk), a ko¬ lektorem — poprzez oddzielne rezystory sumacyj- ne (RS1 -r- Rsn) do emiterów poszczególnych tran- 30 zystorów kanalowych (Tx -^ Tn).
2. Odmiana sumatora wedlug zastrz. 1, znamien¬ na tym, ze rezystor kolektorowy (Rk) i emiter tranzystora sumacyjnego (Ts) sa polaczone z bie- 35 gunem (Bj) zródla zasilania poprzez rezystor do¬ datkowy (Rd). 20 25KI. 21a1?36/18 67 808 MKPH03k 19/03 Fig.1 c" "» cBz "Ru IU ^ Fig.3 PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL67808B1 true PL67808B1 (pl) | 1972-12-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3512096A (en) | Transistor circuit having stabilized output d.c. level | |
| US3743850A (en) | Integrated current supply circuit | |
| SU772508A3 (ru) | Усилитель | |
| US3641448A (en) | Transistor signal translating stage | |
| GB1419748A (en) | Current stabilizing arrangement | |
| US3786362A (en) | Balanced output operational amplifier | |
| US3090926A (en) | Transistor amplifier with tunnel diode in emitter circuit | |
| US3522521A (en) | Reference voltage circuits | |
| US3629717A (en) | Circuit arrangement for stabilizing against variations in temperature and supply voltage | |
| US3909738A (en) | Amplifier device | |
| GB1563179A (en) | Differential amplifiers | |
| US3577167A (en) | Integrated circuit biasing arrangements | |
| US3418592A (en) | Direct coupled amplifier with temperature compensating means | |
| US3828241A (en) | Regulated voltage supply circuit which compensates for temperature and input voltage variations | |
| GB1469793A (en) | Current proportioning circuit | |
| GB1468434A (en) | Fractional current supply | |
| US3351865A (en) | Operational amplifier | |
| US3904976A (en) | Current amplifier | |
| PL67808B1 (pl) | ||
| US3717777A (en) | Digital to analog converter including improved reference current source | |
| US3743863A (en) | Transistorized electronic circuit employing resistorless bias network | |
| US3813603A (en) | Integrated threshold circuit for stages with different control ranges | |
| US4910477A (en) | Bridge-type linear amplifier with wide dynamic range and high efficiency | |
| US4553107A (en) | Current mirror circuit having stabilized output current | |
| US3018446A (en) | Series energized transistor amplifier |