PL67067B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL67067B1 PL67067B1 PL142736A PL14273670A PL67067B1 PL 67067 B1 PL67067 B1 PL 67067B1 PL 142736 A PL142736 A PL 142736A PL 14273670 A PL14273670 A PL 14273670A PL 67067 B1 PL67067 B1 PL 67067B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- current
- transistor
- base
- collector
- resistor
- Prior art date
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 14
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 14
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 17.VIII.1970 (P 142 736) 28.11.1973 KI. 21e, 31/26 MKP GOlr 31/26 CZYTELNIA yWkóu Pot«nt*v«0o Wspóltwórcy wynalazku: Wlodzimierz Stefanski, Czeslawa Stefanska Wlasciciel patentu: Przemyslowy Instytut Automatyki i Pomiarów (Oddzial w Lodzi), Lódz (Polska) Uklad polaczen do pomiaru statycznego wspólczynnika wzmocnie¬ nia pradowego p tranzystorów w stanie aktywnym i nasycenia Przedmiotem wynalazku jest uklad polaczen do po¬ miaru statycznego Wspólczynnika wzmocnienia prado¬ wego p tranzystorów w stanie aktywnym i nasycenia, umozliwiajacy -szybiki pomiar w warunkach produkcji seryjnej.Do pomiaru wspólczynnika wzmocnienia pradowego j3 tranzystorów stosuje sie najczesciej uklady zapewnia¬ jace pomiar tego wspólczynnika dla malego sygnalu pradowego i okreslonego stalego pradu kolektora. Po¬ miar tego parametru dla malych sygnalów jest wystar¬ czajacy w przypadku koniecznosci okreslenia np. wzmoc¬ nienia ukladu pracujacego z malym sygnalem, natomiast w przypadku okreslenia na przyklad punktu pracy tran¬ zystora takiego ukladu informacja ta jeist nieprzydatna.Konieczna jest wówczas znajomosc statycznego wspól- Ic czynnika wzmocnienia pradowego |3 = ~r~ równego sto- lB sunkowi stalej wartosci pradu kolektora Ic do stalej wartosci pradu bazy IB. Równiez dla Ukladów tranzy¬ storowych stosowanych w automatyce, maszynach cyfro¬ wych, znajomosc wspólczynika wzmocnienia pradowe¬ go p dla malego sygnalu jest nieprzydatna. Prócz infor¬ macji o wartosci wspólczynnika p okreslonego powyzej dla stanu aktywnego tranzystora, niezbedna jest rów¬ niez informacja o wartosci tego wspólczynika w stanie nasycenia wtedy, gdy zlacze kolektora — baza spolary¬ zowane jest w kierunku przewodzenia i napiecie kolek¬ tor — baza jest równe lub wieksze od zera.Dotychczas znane mierniki do pomiaru statycznego wspólczynnika wzmocnienia pradowego p tranzystora 10 15 20 25 30 polegajace na pomiarze pradu kolektora Ic przy stalej wartosci pradu bazy IB mierza wspólczynnik p w stanie aktywnym tranzystora. Znane uklady pomiarowe wypo¬ sazone sa w miernik pradu kolektora badanego tranzy¬ stora, wycechowany w jednostkach wspólczynnika wzmocnienia p polaczony z jednej strony z kolektorem tranzystora, a z drugiej strony z zródlem napiecia zasi¬ lajacego baze oraz w rezystor ustalajacy prad bazy, zala¬ czony miedzy baza tranzystora a zródlem napiecia zasi¬ lajacego, do którego drugiego bieguna jest przylaczony emiter badanego tranzystora.Wada powyzszego rozwiazania jest fakt, ze wspól¬ czynnik wzmocnienia pradowego p pomierzony w ta¬ kim ukladzie nie jest okreslony jednoznacznie. W za¬ leznosci od wartosci wspólczynnika przy stalym pra¬ dzie bazy, w obwodzie kolektora tranzystora plynie prad wiekszy kib mniejiszy, a poniewaz wspólczynnik p jest funkcja pradu kolektora, pomiar odbywa sie z duzym bledem.Celem wynalazku jest opracowanie przyrzadu do po¬ miaru statycznego wspólczynnika wzmacniania prado¬ wego p tranzystora, który usunie wady dotychczasowych ukladów pomiarowych.Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie ukladu polaczen do pomiaru wspólczynnika ,p tranzystorów, w którym pomiar polega na zmierzeniu pradu bazy IB tranzystora przy stalej, ustalonej wartosci pradu kolek¬ tora Ic.Uklad polaczen do pomiaru wspólczynnika wzmoc¬ nienia pradowego p wedlug wynalazku posiada miernik 6706767067 pradu bazy badanego tranzystora, wycechowany w jed¬ nostkach 0, rezystor do ustalania pradu emitera, a wiec i kolektora i zródlo napiecia zasilajacego baze o do¬ bieranej awrtosci napiecia polaczone szeregowo w je¬ den obwód z badanym tranzystorem w sposób naste¬ pujacy.Miernik z jednej strony jest polaczony z baza bada¬ nego tranzystora, a z drugiej strony jest polaczony z emiterem tego tranzystora poprzez polaczone szerego¬ wo zródlo napiecia zasilajacego baze i rezystor ustala¬ jacy pTad emitera, a wiec i kolektora, przy czym kolej¬ nosc wlaczenia tego zródla i rezystora jest dowolna.Jednoczesnie to wyjscie miernika jest polaczone z ko¬ lektorem badanego^tranzystora poprzez polaczone sze- Je^owo- rezystor kompensujacy spadek napiecia na mier¬ niku i przelacznik. Uklad posiada ponadto zródlo na¬ ciecia zasilajacego kolektor przylaczone jednym biegu¬ nem do zariftkttbpfzfefr^cznika, a drugim biegunem przy¬ laczone do''laAnjffijtj wspólnego rezystora ustalajacego prad emitera i zródla napiecia zasilajacego baze lub do punktu wspólnego miernika i rezystora kompensujace¬ go spadek napiecia na mierniku.Przez zwarcie odpowiednich zacisków przelacznika zostaje badz zamkniety obwód kolektor-baza, co umo¬ zliwia pomiar wspólczynnika p w stanie nasycenia tran¬ zystora, badz zostaje wlaczone zródlo napiecia zasilaja¬ cego kolektor, co umozliwia pomiar wspólczynnika j3 w stanie aktywnym tranzystora.Uklad polaczen wedlug wynalazku umozliwia pomiar wspólczynika wzmocnienia pradowego p tranzystorów zarówno w stanie aktywnym jak i nasycenia, przy czym badany tranzystor sam stabilizuje ustalona wartosc, pra¬ du kolektora, przy której odbywa sie pomiar. Zmierzo- Ic ny wspólczynnik (3 — -j-przy stalej wartosci pradu ko- lektora Ic jest okreslony jednoznacznie wartoscia pradu bazy Ib. Ze wzgledu na nieHniowa zaleznosc wspólczyn¬ nika 0 od pradu baz# ]B uzyskuje sie dokladniejszy po¬ miar malych wartosci wspólczynnika 0, co ma szczegól¬ ne znaczenie w ukladach przelaczajacych W automatyce, z uwagi na dobór tranzystorów na minimalny wspól¬ czynnik wzmocnienia. iPrzedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia schemat ukladu polaczen do pomiaru wspólczynni¬ ka P, a fig. 2 i 3 inne przyklady wykonania ukladu po¬ laczen.Uklad polaczen posiada miernik 1 pradu bazy ba¬ danego tranzystora, wycechowany w jednostkach p przy¬ laczony z jednej strony bezposrednio do bazy badanego tranzystora 2, z drugiej do rezystora 3 kompensujacego spadek napiecia na mierniku i do bieguna a zródla na¬ piecia 4 zasilajacego baze. Biegun b zródla 4 jest pola¬ czony szeregowo z rezystorem 5 ustalajacym prad emi¬ tera, a Wiec i kolektora i z emiterem tranzystora 2. Ko- 5 lektor tranzystora 2 podlaczony jest do zacisku c prze¬ lacznika 6, zas zacisk d polaczony jest z rezystorem 3 kompensujacym spadek napiecia na mierniku. Zacisk e przelacznika 6 jest polaczony z biegunem f drugiego zródla napiecia 7 zasilajacego kolektor, zas drugi bie- io &*& 8 zródla 7 polaczony jest z biegunem b zródla na¬ piecia 4 zasilajacego baze (fig. 1) lub bezposrednio z rezystorem 3 i miernikiem 1 (fig. 2).Pomiar wspólczynnika (3 w stanie nasycenia badanego tranzystora 1 odbywa sie przez zwarcie zacisków c i d 15 przelacznika 6, przy czym rezystor 3 kompensuje spadek napiecia na mierniku 1. Zwarcie zacisków c i e prze¬ lacznika 6 powoduje zalaczenie zródla napiecia 7 i umo¬ zliwia pomiar wspólczynnika dla stanu aktywnego tran¬ zystora przez zwrotne spolaryzowanie zlacza kolek- 20 tor — baza.Inny przyklad wykonania ukladu przedstawiany na fig. 3 posiada ZTÓdlo napiecia 7 polaczone bezposrednio z punktem wspólnym rezystora 3 kompensujacego spa¬ dek napiecia na mierniku i miernika 1 jak w przykla- 25 dzie przedstawionym na fig. 2 oraz zamieniona kolej¬ nosc polaczenia zródla napiecia 4 zasilajacego baze i rezystora 5 ustalajacego prad emitera w obwodzie ba¬ za — emiter tranzystora. 30 PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Uklad polaczen do pomiaru statycznego wspólczynni¬ ka wzmocnienia pradowego (3 tranzystorów w stanie ak¬ tywnym i nasycenia zawierajacy miernik wycechowany 35 w jednostkach wspólczynnika wzmocnienia pradowego (3, zródlo napiecia zasilajacego, baze, i rezystor ustalajacy prad, znamienny tym, ze miernik (1) jest polaczony z jednej strony z baza badanego tranzystora (2), a z dru¬ giej strony jest polaczony z emiterem tego tranzystora 40 (2) poprzez polaczone szeregowo zródlo napiecia (4) za¬ silajacego baze i rezystor (5) ustalajacy prad emitera, a wiec i kolektora oraz z kolektorem tranzystora (2) po¬ przez polaczone szeregowo rezystor (3) kompensujacy spadek napiecia na mierniku i przelacznik (6), oraz, ze 45 posiada drugie zródlo napiecia (7) zasilajacego kolek¬ tor pizylaczOne jednym biegunem do zacisku (e) prze¬ lacznika (6), a drugim do punktu wspólnego rezystora (5) ustalajacego prad emitera i zródla napiecia (4) zasi¬ lajacego baze lub do punktu wspólnego miernika (1) i 50 rezystora (3) kompensujacego spadek napiecia na mier¬ niku.KI. 21e,31/26 67067 MKP GOlr 31/26 ^ eto ' Ma r r iv 0^) fig. i -i* JTf r b ¦nec V &4 ¦ 4T. t* ^7.-2 #.Ji PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL67067B1 true PL67067B1 (pl) | 1972-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5426364A (en) | Linear hall circuit for measuring magnetic field strength | |
| US3369128A (en) | Logarithmic function generator | |
| PL67067B1 (pl) | ||
| US4771233A (en) | Printed curcuit board lead ammeter | |
| GB944385A (en) | Improvements in and relating to apparatus and methods for testing transistors | |
| US3267376A (en) | Electric measurement apparatus using a pair of oppositely poled thermoelectric junctions in parallel and diode stabilizing means | |
| US3303423A (en) | Thermocouple type r. m. s. measuring system having storage means to hold measured signal for comparison with reference | |
| CN112198362A (zh) | 一种闭环电流传感器用驱动电路 | |
| US3688133A (en) | Circuit arrangement for determining the position of a movable object | |
| US3267378A (en) | A. c. measuring circuit having an amplifier with feedback path in which a synchronous switch output drives a d. c. meter | |
| RU2024831C1 (ru) | Устройство для измерения давления | |
| US4318041A (en) | Circuit arrangement for an electro-chemical measuring device | |
| SU1287019A1 (ru) | Устройство дл измерени токов | |
| CN223664678U (zh) | 电流检测电路及电流检测设备 | |
| SU1064246A1 (ru) | Устройство дл измерени @ -образных вольтамперных характеристик двухполюсников | |
| HU194628B (en) | Electric arrangement for current stabilization and voltage amplification of measuring converters | |
| US3436660A (en) | Method and apparatus for determining the symmetry factor of a transistor | |
| SU371530A1 (ru) | Всесоюзная | |
| SU1661588A1 (ru) | Устройство дл измерени разности температур | |
| SU1180801A1 (ru) | Устройство дл измерени тока | |
| SU397859A1 (ru) | К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУМ. Кл. G 01 г 31/26УДК 621.352.2(088.8) | |
| US3244980A (en) | Power meter control circuit employing self-balancing feedback loop | |
| US3657662A (en) | Electronic apparatus for converting impedances and electrical measurements | |
| SU463931A1 (ru) | Измеритель сопротивлени резистивного датчика | |
| SU1129572A1 (ru) | Устройство дл измерени параметров аналоговых электронных схем |