PL66791B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 20.XII.1972 66791 KI. 42m4,7/12 / MKP G06g,7/12 Twórca wynalazku: TomaszIwaszkiewicz Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska, Gdansk (Polska) Przeksztaltnik nieliniowy Przedmiotem wynalazku jest przeksztaltnik nieliniowy przeznaczony do realizacji dowolnej nieliniowej zalez¬ nosci napiecia wyjsciowego od napiecia wejsciowego.Stosowany dotychczas przeksztaltnik nieliniowy skla¬ da sie ze wzmacniacza operacyjnego oraz oporowych dzielników napiecia, których wyjscia dolaczone sa po¬ przez diody do wejscia tego wzmacniacza. Natomiast wejscia tych dzielników polaczone sa ze wspólnym za¬ ciskiem, do którego doprowadza sie napiecie wejsciowe.Niedogodnoscia tego (rozwiazania jest duza wrazli¬ wosc na zmiany temperatury oraz trudnosc konstruowa¬ nia przeksztaltników o wielu odcinkach aproksymuja- cych, wynikajaca z zaleznosci kazdego nastepnego od¬ cinka od poprzednich i z nieliniowej charakterystyki diody w obszarze przewodzenia. Ponadto wada rozwia¬ zania jest niekorzystny rozklad bledów, poniewaz prak¬ tycznie blad jednego odcinka jest zauwazalny w calym zakresie zmian napiecia.Celem wynalazku jest opracowanie przeksztaltnika funkcyjnego eliminujacego wymienione wyzej wady i niedogodnosci.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie tranzy¬ storów kluczujacych, których bazy polaczone sa z wyj¬ sciami kolejnych ukladów sterowania kluczem, zas emi¬ tery wraz z wejsciami tych ukladów dolaczone sa do wejscia przeksztaltnika. Kolektory tranzystorów kluczu¬ jacych polaczone sa poprzez oporniki kolektoiowe ze zródlem napiecia polaryzujacego oraz poprzez oporniki wejsciowe z punktem sumujacym wzmacniacza opera- 10 15 20 25 30 cyjnego, który jest dolaczony równiez poprzez opornik ustalajacy poziom napiecia wyjsciowego do zródla na¬ piecia polaryzujacego. Wyjscie wzmacniacza operacyj¬ nego stanowi wyjscie przeksztaltnika.Korzysci techniczne wynikajace z zastosowania wyna¬ lazku polegaja na mozliwosci realizacji zaleznosci funk¬ cyjnej napiecia wyjsciowego od napiecia wejsciowego w szerokim zakresie zmian napiecia wejsciowego i tempe¬ ratury z dokladnoscia nie gorsza niz ±10 mV. Zaleta ukladu jest równiez maly pobór pradu ze zródel zasi¬ lania i zródel napiecia sterujacego.Przedmiot wynalazku jest pokazany na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat przeksztaltnika nie¬ liniowego, a fig. 2 — jego charakterystyke statyczna.Przeksztaltnik nieliniowy (fig. 1) zawiera n tranzystorów kluczujacych Ti, T2,... Tn, których emitery sa dolaczo¬ ne do wejscia przeksztaltnika, natomiast kolektory sa polaczone poprzez oporniki wejsciowe Ri, R2,... Rn z punktem sumujacym wzmacniacza operacyjnego oraz poprzez oporniki kolektorowe Rn, R22, < • • Rnn ze zró¬ dlem napiecia polaryzujacego U2. Bazy tranzystorów kluczujacych polaczone sa z wyjsciami kolejnych ukla¬ dów Pi, P2,... Pn sterowania kluczem, przy czym wej¬ scia tych ukladów dolaczone sa do wejscia przeksztalt¬ nika. Punkt sumujacy wzmacniacza operacyjnego jest polaczony dodatkowo poprzez opornik R<, ustalajacy poziom napiecia wyjsciowego ze zródlem napiecia pola¬ ryzujacego Uz, zas wyjscie wzmacniacza stanowi wyjscie pszksztaltnika. W petli sprzezenia zwrotnego wzmac¬ niacza operacyjnego znajduje sie opornik R. €679166791 Gdy napiecie wejsciowe Uwej jest mniejsze od napie¬ cia progowego UPi wówczas tranzystory kluczujace Ti, T2, • • • Tn nie przewodza i napiecie na wyjsciu prze¬ ksztaltnika jest stale i wynosi -(¦ R R11 +Ri + R R?? + R? ... + R v22 Rnn + Rn ¦ + R 1 dla Uwej < Upi Jezeli natomiast napiecie wejsciowe Uwe]- przekroczy wartosc napiecia progowego Upi to zadziala uklad Pi sterowania kluczem, który spowoduje przejscie tranzy¬ stora Ti do stanu przewodzenia. Wówczas napiecie wyj¬ sciowe wyrazi sie zaleznoscia /R R R Uwyi^-(-Uz + -Uwej + ^T^Uz + R \ + ... Uz Rnn + .Rn / gdy Up2 Uwej Upi Analogicznie dla napiecia wejsciowego Uwej wiekszego od wartosci napiecia progowego Upn wszystkie uklady Pi, P2,... Pn sterowania kluczem sa wlaczone, tranzy¬ story kluczujace Ti, T2,... Tn przewodza wiec napiecie na wyjsciu przeksztaltnika, mozna okreslic wzorem: (R R R — Uz + —- Uwej + — Uwej + ¦Ko Kj K2 R \ i: UwejJ R + — Uwej + .R2 gdy Uwej Upn Charakterystyke statyczna przeksztaltnika nieliniowego ilustruje fig. 2, gdzie na osi rzednych odklada sie na- 10 piecie wyjsciowe Uwyj, a na osi odcietych napiecie wej¬ sciowe UWej przeksztaltnika, przy czym przez Upi, UP2, Upn oznacza sie napiecia progowe dla kolejnych ukla¬ dów sterowania kluczem. 15 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Przeksztaltnik nieliniowy do realizowania nieliniowej zaleznosci funkcyjnej o n odcinkach aproksymacyjnych, zawierajacy wzmacniacz operacyjny, znamienny tym, ze 20 posiada tranzystory kluczujace (Ti, T2,... Tn), których bazy polaczone sa z wyjsciami kolejnych ukladów (Pi, P2,... Pn) sterowania kluczem, zas emitery wraz z wej¬ sciami tych ukladów dolaczone sa do wejscia prze¬ ksztaltnika, a kolektory tranzystorów kluczujacych pola- 25 czone sa poprzez oporniki kolektorowe (Rn, R22—Rnn) ze zródlem napiecia polaryzujacego (U7) oraz z punk¬ tem sumujacym wzmacniacza operacyjnego poprzez oporniki wejsciowe (Ri, R2,... Rn) przy czym punkt sumujacy tego wzmacniacza polaczony jest dodatkowo 30 poprzez opornik (R0) ustalajacy poziom napiecia wyj¬ sciowego ze zródlem napiecia polaryzujacego (Uz). fyt\ Pak r^n Ftg.i. WDA-1. Zam. 4586, naklad 185 egz Cena zl 10,— PL PL