PL66678B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL66678B1 PL66678B1 PL139901A PL13990170A PL66678B1 PL 66678 B1 PL66678 B1 PL 66678B1 PL 139901 A PL139901 A PL 139901A PL 13990170 A PL13990170 A PL 13990170A PL 66678 B1 PL66678 B1 PL 66678B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- base
- resistor
- executive
- reference diode
- Prior art date
Links
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 210000002741 palatine tonsil Anatomy 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 15.111.1973 66678 KI. 21a«,35/13 MKP H02m 3/14 U iJdUOTEJCA Twórca wynalazku: Bogdan Klawitter Wlasciciel patentu: Zaklady Wytwórcze Glosników „Tonsil", Wrzesnia (Polska) Uklad polaczen stabilizowanego zasilacza pradu stalego Przedmiotem wynalazku jest stabilizowany zasi¬ lacz pradu stalego. Przeznaczony jest do zasilania ukladów, w których wymagany jest staly prad wyj¬ sciowy niezalezny w okreslonych granicach od na¬ piecia zasalania i wielkosci obciazenia.W znanych rozwiazaniach jako wzorca uzywa sie diody referencyjnej zwanej dioda Zenera polaczo¬ nej w szereg z rezystorem polaryzujacym, i pod¬ laczonej równolegle do zródla zasilania.Rezystor pamiianowy polaczony jest szeregowo z obwodem kolektor-emiter tranzystora wykonaw¬ czego. Dioda referencyjna podlaczona jest pomiedzy wejsciem zasilacza a baza tranzystora wykonawcze¬ go w ten sposób, ze obejmuje równiez opór pomia¬ rowy.Niedogodnoscia tych rozwiazan jest to, ze z chwi¬ la odlaczenia obciazenia wzrasta bezwzglednie do wielkosci napiecia diody referencyjnej napiecie ba- za-emiter tranzystora wykonawczego. Powoduje to wzrost bezwzglednej wartosci pradu bazy do wiel¬ kosci ograniczonej tylko wartoscia rezystancji po¬ miarowej i rezystancji baza-emiter tranzystora wy¬ konawczego.Celem wynalazku jest usuniecie powyzej przed¬ stawionej niedogodnosci i opracowanie takiego uk- laldu w którym przy odlaczaniu obciazenia me bedzie wzrastala bezwzglednie wielkosc pradu bazy tranzystora wykonawczego.Cel ten zostal osiagniety w ukladzie polaczen wedlug wynalazku uzywajac elementów tych sa- 2 mych co w ukladach znanych. Zmieniono tylko uk¬ lad polaczen elementów. Tranzystor wykonawczy jest podlaczony do zródla zasilania. W szereg z nim polaczony jest rezystor pomiarowy i obciazenie uk- 5 ladu. Jako czlon stabilizujacy uzyrta jest dioda refe¬ rencyjna podlaczona w ten sposób, ze w jej obwo¬ dzie znajduje sie rezystor pomiarowy i obwód ba¬ za-emiter tranzystora wykonwaczego. Rezystor po¬ laryzujacy baze tranzystora wykonawczego polaczo- io ny jest w szereg z dioda referencyjna.Zasilacz wykonany wedlug wynalazku pozwala na obciazenie odbiornikiem o dowolnej wielkosci, a nawet pozostawienie zasilacza niedbciazonego bez dbawy uszkodzenia tranzystora wykonawczego. Za- 15 su/lacz pozwala na pobierainiie stalej wielkosci pradu wyjsciowego niezaleznego od wielkosci obciazenia przy zachowaniu warunku, ze wielkosc obciazenia jest mniejsza lub równa wielkosci minimalnego ob¬ ciazenia i nie zaleznej od zmian napiecia zasilania 20 w okreslonych granicach.Przyklad wykonania zasilacza wedlug wynalazku przedstawiony jest na rysunku, na którym uwidocz¬ niony jest uklad polaczen. Zacisk 1 jest ujemnym wzgledem zacisku 2 zródla zasilania. Do zacisku 1 25 podlaczony jest kolektor tranzystora wykonawcze¬ go 3. Rezystor pomiarowy 4 podlaczony jest po¬ miedzy emiterem tranzystora wykonawczego 3 a zaciskiem wyjsciowym 5. pomiedzy zaciskiem 1 a baza tranzystora wykonawczego 3 podlaczony 30 jest rezystor polaryzujacy 6. Dioda referencyjna 66 67866 678 3 7 wlaczona jest pomiedzy baza tranzystora wyko¬ nawczego 3 a zaciskiem wyjsciowym 5. Zaciski wej¬ sciowy 2 i wyjsciowy 8 polaczone sa ze soba gal¬ wanicznie. Z chwila zwiekszenia obciazenia 9 wzra¬ sta chwilowa wartosc pradu wyjsciowego. Powoduje to chwilowy wzrost bezwzglednej wartosci napiecia na rezystorze pomiarowym 4 i chwilowy spadek bezwzglednej wartosci napiecia na obciazeniu 9.Zmienia sie napiecie polaryzujace baze tranzystora wykonawczego 3. Wzrasta bezwzglednie spadek na¬ piecia na rezystancji kolektor-emiter tranzystora wykonawczego 3. Powoduje to spadek wielkosci pradu wyjsciowego do wartosci wymaganej. Z chwi- 2C'od$Ssenia' obciazenia przestaje plynac prad wyj¬ sciowi': 'Dioda referencyjna 3 przestaje przewodzic.Otwiera sie obwód baza^emiter tranzystora wyko¬ nawczego 3 i przestaje plynac prad bazy. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad polaczen stabilizowanego zasilacza pra¬ du stalego zawierajacy tranzystor, diode referencyj¬ na Zenera oraz rezystory, znamienny tym, ze baza tranzystora wykonawczego (13) spolaryzowana jest za pomoca dzielnika napiecia skladajacego sie z rezystora polaryzujacego (6) i diody referencyj¬ nej (7), przy czym rezystor polaryzujacy (6) pod¬ laczony jest pomiedzy kolektorem a baza tranzy¬ stora wykonawczego (3), a dioda referencyjna (7) pomiedzy baza tranzystora wykonawczego (3) a rezystorem pomiarowym (4) od strony wyjscia (5).
2. Stabilizator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze rezystor pomiarowy (4) wykonany jest jako re¬ zystor regulowany. ^f ¦CZh 7 *1 ¦A-r Typo Lódz, zam. 1256/72 — 105 egz. Cena zl 10,— PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL66678B1 true PL66678B1 (pl) | 1972-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106575865B (zh) | 电压调节器及提供电压调节器中的短路保护的方法 | |
| TW495658B (en) | Current-limited switch with fast transient response | |
| CN209265382U (zh) | 保护电路及电子设备 | |
| CN113258770A (zh) | 线损补偿模块、开关电源芯片及系统 | |
| JPH03119812A (ja) | 電流検出回路 | |
| CN112558680B (zh) | 线性调整器及其控制电路 | |
| PL66678B1 (pl) | ||
| CN219997167U (zh) | 电流采样电路及芯片 | |
| CN114815951B (zh) | 一种可减小温度影响的电路结构 | |
| CN112306208B (zh) | 供电控制电路、通信模组及电子设备 | |
| SU1156035A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
| CN108693912A (zh) | 具有倒置带隙对的带隙基准电路 | |
| RU2025766C1 (ru) | Стабилизатор постоянного тока с непрерывным регулированием | |
| US3833859A (en) | Temperature control system and thermostat therefor | |
| CN221929317U (zh) | 保护电路及mcu | |
| RU2023287C1 (ru) | Стабилизатор постоянного напряжения | |
| SU1310788A2 (ru) | Двухкаскадный стабилизатор посто нного напр жени | |
| SU875364A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
| KR100282794B1 (ko) | 정전압용 집적소자의 기준전압 안정화 회로 | |
| SU1348802A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
| CN210199961U (zh) | 一种过温预警电路 | |
| RU1836671C (ru) | Непрерывный стабилизатор посто нного напр жени | |
| SU1095158A1 (ru) | Стабилизатор напр жени посто нного тока | |
| RU2282233C1 (ru) | Импульсный стабилизатор | |
| SU1772798A1 (ru) | Hизkoboльthый ctaбилизatop пoctoяhhoгo haпpяжehия |