PL66109B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL66109B1
PL66109B1 PL132665A PL13266569A PL66109B1 PL 66109 B1 PL66109 B1 PL 66109B1 PL 132665 A PL132665 A PL 132665A PL 13266569 A PL13266569 A PL 13266569A PL 66109 B1 PL66109 B1 PL 66109B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
xylene
crystals
washing
technical
temperature
Prior art date
Application number
PL132665A
Other languages
English (en)
Inventor
Pilarczyk Henryk
Dworzanska Krystyna
Kuchar Wan¬da
Original Assignee
Zaklady Chemiczne „Blachownia"
Filing date
Publication date
Application filed by Zaklady Chemiczne „Blachownia" filed Critical Zaklady Chemiczne „Blachownia"
Publication of PL66109B1 publication Critical patent/PL66109B1/pl

Links

Description

URZAD PATENTOWY PRL Opublikowano: 15.X.1972 66109 KI. 12o, 1/04 MKP C07c 7/14 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Henryk Pilarczyk, Krystyna Dworzanska, Wan¬ da Kuchar Wlasciciel patentu: Zaklady Chemiczne „Blachownia", Blachownia Slas¬ ka (Polska) Sposób otrzymywania p-ksylenu z technicznego ksylenu Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymy¬ wania p-ksylenu z technicznego ksylenu. P-ksylen jest podstawowym surowcem do produkcji kwa¬ su tereftalowego stosowanego do wytwarzania po¬ limerów wlóknotwórczych. Zapotrzebowanie na ten surowiec jest scisle zwiazane z dynamicznym roz¬ wojem produkcji wlókien poliestrowych.Wydzielanie p-ksylenu z mieszaniny izomerów ksylenów jest utrudnione zblizonymi wlasnoscia¬ mi fizykochemicznymi tych izomerów. Sposród sze¬ regu proponowanych metod technologicznych do wydzielania p-ksylenu w postaci mozliwie czystej z technicznego ksylenu opartych na sulfonowaniu, superrektyfikacji destylacji ekstrakcyjnej, absor- bcji i krystalizacji, najczesciej stosowana w prak¬ tyce jest metoda niskotemperaturowego wymraza- nia w temperaturze bliskiej tworzenia sie potrój¬ nego eutektyku o-m-p-ksylenu.W metodzie tej ksylen techniczny zawierajacy 16—21% p-ksylenu ochladza sie do temperatury od —68°C do —72°C, a otrzymane krysztaly p-ksyle¬ nu oddziela sie jednym ze znanych sposobów od fazy cieklej. Stosowanie niskich temperatur wiaze sie ze znacznym wzrostem lepkosci fazy cieklej (do 1,5 centipuaza w —50°C), na skutek czego wydzie¬ lane krysztaly p-ksylenu sa silnie zaokludowane lugiem macierzystym.Po roztopieniu takich krysztalów otrzymanych z jednostopniowej krystalizacji uzyskuje sie p-ksy¬ len o czystosci 60—70% przy rozdzieleniu kryszta- 20 30 lów p-ksylenu od lugu macierzystego na filtrze, lub o stezeniu 75—80% przy zastosowaniu do od¬ dzielenia wirówki.Znane sa rozmaite rozwiazania aparaturowe i technologiczne krystalizacji. Na przyklad w opisie patentowym francuskim nr 1.508.956 oraz w opisie patentowym brytyjskim nr 944.342 proponowano wprowadzenie medium chlodzacego bezposrednio do ksylenu technicznego w celu zwiekszenia efek¬ tu chlodzacego.Wedlug opisu patentowego St. Zjedn. nr 2.541.682 p-ksylen otrzymuje sie na drodze kilkustopniowej krystalizacji, przy czym lug macierzysty zawraca sie z wyzszego stopnia do nizszego, w celu utrzy¬ mania odpowiednio dobranego stezenia p-ksylenu, oraz odpowiedniej temperatury. W lugach zawra¬ canych stezenie p-ksylenu jest zawsze wyzsze niz w mieszaninie ksylenów, do których te lugi sa zawracane. Podobnie w opisie patentowym NRF nr 1.116.205 opisano proces krystalizacji, w któ¬ rym wykorzystano metode strefowej krystalizacji.Poniewaz metody wydzielania p-ksylenu oparte o kilkustopniowa krystalizacje wymagaja bardzo rozbudowanej aparatury, oraz odznaczaja sie wy¬ sokim zuzyciem energii, zastosowano w praktyce, w tych przypadkach, gdy wymagana czystosc p-ksylenu nie musi byc wyzsza od 98%, tylko jed¬ na krystalizacje. W tym przypadku dodatkowe o- czyszczenie p-ksylenu odbywa sie juz na wirówce przez przemycie krysztalów niskowrzacymi roz- 66 10966 109 4 Ilosc ksylenu technicznego przechodzacego przez wymiennik ciepla stanowi 5—10% ilosci ksylenu kierowanego do krystalizacji i winna byc regulo¬ wana w zaleznosci od zawartosci w nim p-ksylenu.- W efekcie otrzymuje sie p-ksylen o czystosci 90^-95% z wydajnoscia wieksza niz przy przemy¬ waniu pentanem, oraz lug macierzysty nie wyma¬ gajacy juz destylacji zawraca sie bezposrednio do izomeryzacji. W przypadku zastosowania powtór¬ nej krystalizacji p-ksylenu uzyskanego sposobem wedlug wynalazku mozna otrzymac p-ksylen o czystosci 99—100%. Przemycie w drugiej krystali¬ zacji jest zbedne. Zwiekszanie wydajnosci osiaga sie przez dodatkowe wykrystalizowanie p-ksylenu znajdujacego sie w ksylenie technicznym. przemy¬ wajacym. Oczyszczenie p-ksylenu w opisanym spo¬ sobie nastepuje na drodze dostarczenia odpowied¬ niej ilosci ciepla przez przemywajacy cieply tech¬ niczny ksylen, podczas zetkniecia sie z zimnym koncentratem p-ksylenu. Cieplo to powoduje po- 20 wierzchniowe nadtopienie krysztalów p-ksylenu, oraz krótkotrwale zmniejszenie lepkosci cieczy zaokludowanej umozliwiajac szybkie jej odwiro¬ wanie. Okluzja cieplego technicznego ksylenu na krysztalach zimnego p-ksylenu jest mniejsza od okluzji inertnych zimnych rozpuszczalników stoso¬ wanych w innych metodach wydzielania p-ksy¬ lenu.Na przyklad p-ksylen po przemyciu pentanem w ilosci 5% w stosunku do ilosci wymrozonych ksy¬ lenów, oraz p-ksylen po przemyciu cieplym tech¬ nicznym ksylenem w ilosci 7,5% w stosunku do ilos¬ ci wymrozonych ksylenów posiada nastepujacy sklad oznaczony metoda chromatograficzna: 3 puszczalnikami, takimi jak pentan, metanol, toluen (opis patentowy CSRS nr 97.907), frakcje benzyny (opis patentowy St. Zjedn. nr 2.533.232). Rozpusz¬ czalniki te w zaleznosci od stosowanej ich ilosci i temperatury przemycia maja za zadanie zmniej¬ szenie lepkosci cieczy zaokludowanej, na drodze wprowadzenia pewnej ilosci ciepla nadtapiajace- go krysztaly, lub tylko rozpuszczenie w sobie izo¬ merów m-o-ksylenu. Rozpuszczalniki te jednakze zostaja równiez zaokludowane czesciowo na krysz¬ talach, co pociaga za soba koniecznosc oddzielenia ich na drodze rektyfikacji.Niedociagnieciem wspomnianych metod jest sto¬ sunkowo duze zapotrzebowanie na niskowrzace rozpuszczalniki inertne, koniecznosc poddania rek¬ tyfikacji lugów macierzystych i koncentratu p-ksy¬ lenu, regeneracji rozpuszczalników, a w zwiazku z tym znaczne naklady kosztów na aparature, me¬ dium grzejne i rozpuszczalnik. Poza jtym p-ksylen jak i lug macierzysty nawet po rektyfikacji zawieraja jeszcze pewra ilosci zwiazków niearo¬ matycznych, których obecnosc wywiera niekorzys¬ tny wplyw na pózniejszy proces utleniania do kwasu tereftalowego, oraz na proces izomeryzacji ksylenów.Ilosc stosowanego rozpuszczalnika wplywa nie tylko na koszty wytwarzania lecz warunkuje rów¬ noczesnie czystosc otrzymanego p-ksylenu, oraz jego stopien wydobycia z technicznego ksylenu.Na przyklad przy stosowaniu pentanu w ilosci 0,6 kg/kg p-ksylenu otrzymuje sie p-ksylen o za¬ wartosci 93—94% czystego skladnika z wydajnos¬ cia 55—60%, natomiast przy stosowaniu bardzo du¬ zej ilosci toluenu wynoszacej az 1,6 kg/kg p-ksy¬ lenu (wedlug opisu patentowego CSRS nr 97.907) otrzyma sie 99% p-ksylenu z wydajnoscia 52%.Sposób wedlug wynalazku eliminuje wymienione wady obnizajac koszty wydzielania p-ksylenu, oraz pozwala na otrzymanie p-ksylenu wolnego od za¬ nieczyszczen weglowodorami alifatycznymi. Do¬ datkowa zaleta jest mozliwosc osiagniecia wyzszej zdolnosci produkcyjnej p-ksylenu przy tej samej aparaturze, wyeliminowanie aparatury destyla¬ cyjnej, oraz zmniejszenie kosztów energetycznych.Otrzymuje sie p-ksylen o czystosci podobnej jak przy stosowaniu przemycia krysztalów p-ksy¬ lenu pentanem, to znaczy 93—94%, bez potrzeby dodatkowej rektyfikacji p-ksylenu oraz lugów macierzystych. Uzyskana czystosc p-ksylenu jest wystarczajaca do wytwarzania kwasu tereftalowe¬ go metoda utleniania przy pomocy stezonego kwa¬ su azotowego.Sposób wedlug wynalazku przedstawiony sche¬ matycznie na rysunku polega na stopniowym o- chlodzeniu ksylenu technicznego w oziebiarce 2, zasobniku zimna 3 i wymrazarce 4 do temperatu¬ ry —72°C, tak jak w znanych metodach, oddziele¬ niu krysztalu od lugu macierzystego, na drodze wstepnego wirowania w wirówce bebnowej 5, przemyciu na wirówce krysztalów p-ksylenu o za¬ wartosci 80—85% p-ksylenu, ksylenem o tym sa¬ mym skladzie co ksylen poddawany krystalizacji, ale o temperaturze odpowiednio wyzszej, wynosza¬ cej najkorzystniej 18—20°C, regulowanej w wy¬ mienniku ciepla 6 i ponownym odwirowaniu ciek¬ lych ksylenów.Skladnik zawartosc pentanu zawartosc toluenu zawartosc p-ksylenu zawartosc m-ksylenu zawartosc o-ksylenu zawartosc etylobenzenu zawartosc aromatów wyzszych po myciu pentanem % 4—5 0,9 90—91 2,5—3 0,6—1 0,4—0,5 0,2—0,3 po myciu ksylenem % — 0,95 93—94 3^ 1—1,5 0,4^0,5 0,2—0,3 Przyklad. 100 kg ksylenu surowego o zawar tosci 20,24% p-ksylenu oziebiono do temperatury —70°C, odwirowano w tej temperaturze i przemy¬ to na wirówce ksylenem o tym samym skladzie, ale o temperaturze 18°C w ilosci 7,5 kg i ponownie odwirowano, otrzymujac 13,06 kg p-ksylenu o za¬ wartosci 93% czystego izomeru, oraz lug macie¬ rzysty o zawartosci 8,1% p-ksylenu, który z po¬ minieciem destylacji mozna poddac bezposrednio izomeryzacji. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania p-ksylenu z technicznego ksylenu w procesie niskotemperaturowego wymra- zania, oddzielania na wirówce krysztalów p-ksy- 65 lenu od lugów macierzystych i oczyszczania wy- 40 45 50 5566 109 dzielonych krysztalów na drodze przemywania ich rozpuszczalnikami znamienny tym, ze do przemy¬ wania krysztalów p-ksylenu stosuje sie technicz- 6 ny ksylen o temperaturze wyzszej od jego tempe¬ ratury krystalizacji, korzystnie o temperaturze 18—20°C. *o I * o. ") I Cvi i ^0 i a c c 0 rj l ^ Q C Ci «ft »s» • - «^ E -V PL PL
PL132665A 1969-03-29 PL66109B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL66109B1 true PL66109B1 (pl) 1972-06-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2541682A (en) Production of para xylene
DE69512227T2 (de) Einstufiges kristallisationsverfahren bei konstanter temperatur zur rückgewinnung von paraxylol
CN101293807B (zh) 包括模拟移动床吸附与结晶的高纯度间二甲苯的生产方法
US2886603A (en) Crystallization process
US3067270A (en) Separation of xylene isomers by crystallization and distillation
US3959978A (en) Separation process by fractional crystallization
US3410923A (en) Separation process
US4141924A (en) Three phase crystallization
US2885431A (en) Separation by crystallization
US3643453A (en) Selective crystallization of paraxylene in a water-alkanol mixture
US2769852A (en) Separation of xylene isomers by fractional crystallization
US2881230A (en) Fractional crystallization process
US2795634A (en) Recovery of ortho-and para-xylenes from c8 aromatic mixtures
US2816938A (en) Fractional crystallization under pressure
PL66109B1 (pl)
US2562068A (en) Separation of xylene isomers by solvent extraction
US6376736B1 (en) Production of high purity meta-xylene
US2886587A (en) Separation by crystallization
US3963795A (en) Separation of isomers by selective melting in an immiscible liquid
US2890239A (en) Separation by crystallization
US2884470A (en) Separation of binary mixtures of isomers of organic compounds
US2777888A (en) Separation of recovery of xylene isomers
US4956520A (en) Separation process
US20100228070A1 (en) Method for Achieving High Purity Separation and Refinement of Controlling Morphology and Particle Size of 2,6-Dimethylnaphthalene Dicarboxylic Crystals
US3462508A (en) Separation of p-xylene from a c8 aromatic hydrocarbon mixture by crystallization