PL65483B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL65483B1 PL65483B1 PL136948A PL13694869A PL65483B1 PL 65483 B1 PL65483 B1 PL 65483B1 PL 136948 A PL136948 A PL 136948A PL 13694869 A PL13694869 A PL 13694869A PL 65483 B1 PL65483 B1 PL 65483B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- base
- circuit
- stage
- Prior art date
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Description
6548365483 We wszystkich wariantach ukladu pierwszy stopien wzmacniacza m.cz. jest samoistnie zatkany przez brak polaryzacji UBe uzyskiwanej dopiero z detekcji odebra¬ nego sygnalu pozadanego.W odbiornikach o wielkiej czestotliwosci i znacznym wspólczynniku iszumów stosuje sie dodatkowa regulacje bariery btokady za pomoca oporowego dzielnika napie¬ cia poglebiajacego stan zatkania tranzystora przez uzy¬ skanie dodatkowej polaryzacji wstepnej bazy lub emi¬ tera.Uklad wedlug wynalazku jest przedstawiony na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad blokady z tranzystorem p-n-p w ukladzie wtórnika emiterowego z szeregowym ukladem detektora diodowego. W ukla¬ dzie tym duza opornosc wejsciowa wtórnika nie obcia¬ za detektora.Uklad wykazuje male znieksztalcenia nieliniowe i sto¬ suje sie w odbiorniku z zasilaniem plusowym na masie.Spadek napiecia na oporniku w emiterze jest funkcja sygnalu wejsciowego i moze byc napieciem regulacji au¬ tomatycznej ARW.Fig. 2 przedstawia uklad blokady szumów z tranzy¬ storem nnp-n w ukladzie zasilania z minusem na masie.Pozostale cechy jak w ukladzie na fig. 1. Fig. 3 uwi¬ dacznia uklad blokady szumów z tranzystorem germa¬ nowym p-n-p z poglebionym stanem zatkania tranzysto¬ ra przez uzyskanie stalej wstepnej polaryzacji UBE uzy¬ skanej z dzielnika Ri i R2. Dzielnik ten moze byc za- zastosowany w kazdym wariancie ukladu przedstawio¬ nym na fig. 1, 2 i 4.Na fig. 4 jest przedstawiony uklad blokady szumów z tranzystorem p-n-p w ukladzie wspólnej bazy z nie- blokowanym opornikiem w bazie dla uzyskania wiek¬ szej opornosci wejsciowej mniej tlumiacej detektor, oraz ujemnym sprzezeniem zwrotnym dla zmniejszenia znie¬ ksztalcen liniowych i nieliniowych.Dzialanie ukladu jest nastepujace. Przy braku sygnalu na wejsciu odbiornika jego szumy wlasne niepodlega- jace detekcji z powodu bardzo szerokiego widma czesto¬ tliwosci przedostaja sie z ukladu detekcji D,Cd,Rd na pierwszy stopien wzmocnienia malej czestotliwosci T, który jest w stanie zatkania z powodu polaryzacji zla¬ cza baza emiter. Tranzystor T w tym stopniu wzmoc¬ nienia pracuje w ukladzie WC — wtórnik emiterowy lub WB ze wspólna baza. Brak polaryzacji zlacza zapewnia blokade dla szumów o amplitudzie mniejszej niz 0,2 v dla tranzystorów germanowych i okolo 0,8 v dla tran¬ zystorów krzemowych.Dla odbiorników o wielkiej czestotliwosci i znacznym wspólczynniku szumów jest mozliwa dodatkowa regu¬ lacja bariery blokady przez poglebienie stanu zatkania 5 przy pomocy dzielnika Ri R2 na fig. 3. Pojawienie sie sygnalu na wejsciu odbiornika i po jego dalszym wzmoc¬ nieniu powstaje na detektorze diodowym DCd Rd w ukla¬ dzie detekcji szeregowej skladowa stala oraz obwiednia modulacji. Skladowa stala polaryzuje zlacze baza emi- 10 ter tranzystora T wprowadzajac go w klase A. Najkorzy¬ stniejszym ukladem pracy pierwszego stopnia wzmocnie¬ nia m.cz. jest uklad WC — wtórnik emiterowy zapewnia¬ jac dostatecznie duza opornosc wejsciowa (fig. 1,2,3) be¬ daca funkcja wzmocnienia tranzystora h21e i rezystencji 15 Re, oraz dostatecznie mala opornosc wyjsciowa dostoso¬ wana do nastepnych stopni wzmacniacza tranzystorowe¬ go.Rezystory Re i RC zabezpieczaja tranzystor T przed stanem nasycenia w przypadku wzrostu sygnalu polary- 20 zujacego. Ponadto spadek napiecia na rezystorze Re jest funkcja sygynalu wejsciowego i moze byc wykorzystany do automatycznej regulacji wzmocnienia — ARW.Tak wiec dopiero spolaryzowany tranzystor T pierw¬ szego stopnia przenosi sygnal obwiedni modulacji do 25 dalszego wzmocnienia. Na wyjsciu odbiornika otrzymu- " jemy sygnal korespondencji bez koniecznosci ciaglego sluchania szumów i zaklócen.Uklad zastepuje z bardzo duzym powodzeniem stoso¬ wane dotychczas iskomplikowane w budowie i obsludze 30 uklady blokady szumów powodujace niepotrzebne straty czulosci odbiornika. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 35 1. Uklad blokady szumów wlasnych tranzystorowych odbiorników radiokomunikacyjnych o modulowanej am¬ plitudzie znamienny tym, ze zawiera detektor diodowy (D,Cd,Rd) umieszczony w obwodzie bazy w pierwszym 40 stopniu wzmacniacza malej czestotliwosci, pracujacego najkorzystniej w ukladzie wspólnego emitera, dla otrzy¬ mania z detekcji fali nosnej skladowej stalej pradu, która wykorzystuje sie do polaryzacji zlacza baza emiter tran¬ zystora (T) pierwszego stopnia wzmacniacza. 45
2. Uklad wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze do bazy ' lub emitera tranzystora (T) ma dolaczony dzielnik napie¬ cia (Ri, R2) o zmiennym stosunku oporów dla dodatko¬ wej polaryzacji wstepnej bazy lub emitera celem pogle¬ bienia stanu zatkania tranzystora (T).KI. 21a4.22/02 65483 MKP H04b 15/02 r AR\N y Cd R Fic. f 4RM f /Va. 2 Cd Ud 1 I i—c: 4 *2 Fig. 3 _*. /».<¦/. ¦rf Cd ** \S6 I /** *c PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL65483B1 true PL65483B1 (pl) | 1972-02-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4019160A (en) | Signal attenuator circuit for TV tuner | |
| US3512096A (en) | Transistor circuit having stabilized output d.c. level | |
| US5382920A (en) | Circuit arrangement for an optical receiver | |
| US4742565A (en) | Radio receiver with field intensity detector | |
| JPH0728180B2 (ja) | 増幅器 | |
| US3328714A (en) | Automatic gain control system for cascaded transistor amplifier | |
| US6239659B1 (en) | Low power gain controlled amplifier with high dynamic range | |
| SU1103812A3 (ru) | Усилитель с регулируемым коэффициентом усилени | |
| US3469195A (en) | Detector and agc circuit stabilization responsive to power supply changes | |
| US3723894A (en) | Automatic gain control circuit | |
| US3284713A (en) | Emitter coupled high frequency amplifier | |
| US2852625A (en) | High input impedance transistor amplifier | |
| US4344044A (en) | Gain-controlled amplifier utilizing variable emitter degeneration and collector load impedance | |
| US3038072A (en) | Automatic-gain and bandwidth control system for transistor circuits | |
| US2860196A (en) | Transistor amplifier with overload protection | |
| US3800229A (en) | Gain controlled high-frequency input stage having a pin-diode network | |
| US2949533A (en) | Automatic gain control circuit for use in transistor amplifiers | |
| US4041390A (en) | Transceiver squelch circuit | |
| PL65483B1 (pl) | ||
| US4327332A (en) | Circuit arrangement useful in developing decoupled operating voltages for IF amplifier stages of an integrated circuit | |
| US3665317A (en) | Sequential agc system for signal receiver | |
| US3027518A (en) | Automatic gain control system | |
| US3428910A (en) | Automatic gain control system | |
| US2930890A (en) | Squelch circuit with regeneration in noise amplifier | |
| US4385400A (en) | Automatic gain control arrangement useful in an FM radio receiver |