PL65483B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL65483B1
PL65483B1 PL136948A PL13694869A PL65483B1 PL 65483 B1 PL65483 B1 PL 65483B1 PL 136948 A PL136948 A PL 136948A PL 13694869 A PL13694869 A PL 13694869A PL 65483 B1 PL65483 B1 PL 65483B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
emitter
base
circuit
stage
Prior art date
Application number
PL136948A
Other languages
English (en)
Inventor
Wyrwicki Andrzej
Original Assignee
Warel Zaklady Elektroniczne Im Franka Zubrzyckiego
Filing date
Publication date
Application filed by Warel Zaklady Elektroniczne Im Franka Zubrzyckiego filed Critical Warel Zaklady Elektroniczne Im Franka Zubrzyckiego
Publication of PL65483B1 publication Critical patent/PL65483B1/pl

Links

Description

6548365483 We wszystkich wariantach ukladu pierwszy stopien wzmacniacza m.cz. jest samoistnie zatkany przez brak polaryzacji UBe uzyskiwanej dopiero z detekcji odebra¬ nego sygnalu pozadanego.W odbiornikach o wielkiej czestotliwosci i znacznym wspólczynniku iszumów stosuje sie dodatkowa regulacje bariery btokady za pomoca oporowego dzielnika napie¬ cia poglebiajacego stan zatkania tranzystora przez uzy¬ skanie dodatkowej polaryzacji wstepnej bazy lub emi¬ tera.Uklad wedlug wynalazku jest przedstawiony na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad blokady z tranzystorem p-n-p w ukladzie wtórnika emiterowego z szeregowym ukladem detektora diodowego. W ukla¬ dzie tym duza opornosc wejsciowa wtórnika nie obcia¬ za detektora.Uklad wykazuje male znieksztalcenia nieliniowe i sto¬ suje sie w odbiorniku z zasilaniem plusowym na masie.Spadek napiecia na oporniku w emiterze jest funkcja sygnalu wejsciowego i moze byc napieciem regulacji au¬ tomatycznej ARW.Fig. 2 przedstawia uklad blokady szumów z tranzy¬ storem nnp-n w ukladzie zasilania z minusem na masie.Pozostale cechy jak w ukladzie na fig. 1. Fig. 3 uwi¬ dacznia uklad blokady szumów z tranzystorem germa¬ nowym p-n-p z poglebionym stanem zatkania tranzysto¬ ra przez uzyskanie stalej wstepnej polaryzacji UBE uzy¬ skanej z dzielnika Ri i R2. Dzielnik ten moze byc za- zastosowany w kazdym wariancie ukladu przedstawio¬ nym na fig. 1, 2 i 4.Na fig. 4 jest przedstawiony uklad blokady szumów z tranzystorem p-n-p w ukladzie wspólnej bazy z nie- blokowanym opornikiem w bazie dla uzyskania wiek¬ szej opornosci wejsciowej mniej tlumiacej detektor, oraz ujemnym sprzezeniem zwrotnym dla zmniejszenia znie¬ ksztalcen liniowych i nieliniowych.Dzialanie ukladu jest nastepujace. Przy braku sygnalu na wejsciu odbiornika jego szumy wlasne niepodlega- jace detekcji z powodu bardzo szerokiego widma czesto¬ tliwosci przedostaja sie z ukladu detekcji D,Cd,Rd na pierwszy stopien wzmocnienia malej czestotliwosci T, który jest w stanie zatkania z powodu polaryzacji zla¬ cza baza emiter. Tranzystor T w tym stopniu wzmoc¬ nienia pracuje w ukladzie WC — wtórnik emiterowy lub WB ze wspólna baza. Brak polaryzacji zlacza zapewnia blokade dla szumów o amplitudzie mniejszej niz 0,2 v dla tranzystorów germanowych i okolo 0,8 v dla tran¬ zystorów krzemowych.Dla odbiorników o wielkiej czestotliwosci i znacznym wspólczynniku szumów jest mozliwa dodatkowa regu¬ lacja bariery blokady przez poglebienie stanu zatkania 5 przy pomocy dzielnika Ri R2 na fig. 3. Pojawienie sie sygnalu na wejsciu odbiornika i po jego dalszym wzmoc¬ nieniu powstaje na detektorze diodowym DCd Rd w ukla¬ dzie detekcji szeregowej skladowa stala oraz obwiednia modulacji. Skladowa stala polaryzuje zlacze baza emi- 10 ter tranzystora T wprowadzajac go w klase A. Najkorzy¬ stniejszym ukladem pracy pierwszego stopnia wzmocnie¬ nia m.cz. jest uklad WC — wtórnik emiterowy zapewnia¬ jac dostatecznie duza opornosc wejsciowa (fig. 1,2,3) be¬ daca funkcja wzmocnienia tranzystora h21e i rezystencji 15 Re, oraz dostatecznie mala opornosc wyjsciowa dostoso¬ wana do nastepnych stopni wzmacniacza tranzystorowe¬ go.Rezystory Re i RC zabezpieczaja tranzystor T przed stanem nasycenia w przypadku wzrostu sygnalu polary- 20 zujacego. Ponadto spadek napiecia na rezystorze Re jest funkcja sygynalu wejsciowego i moze byc wykorzystany do automatycznej regulacji wzmocnienia — ARW.Tak wiec dopiero spolaryzowany tranzystor T pierw¬ szego stopnia przenosi sygnal obwiedni modulacji do 25 dalszego wzmocnienia. Na wyjsciu odbiornika otrzymu- " jemy sygnal korespondencji bez koniecznosci ciaglego sluchania szumów i zaklócen.Uklad zastepuje z bardzo duzym powodzeniem stoso¬ wane dotychczas iskomplikowane w budowie i obsludze 30 uklady blokady szumów powodujace niepotrzebne straty czulosci odbiornika. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 35 1. Uklad blokady szumów wlasnych tranzystorowych odbiorników radiokomunikacyjnych o modulowanej am¬ plitudzie znamienny tym, ze zawiera detektor diodowy (D,Cd,Rd) umieszczony w obwodzie bazy w pierwszym 40 stopniu wzmacniacza malej czestotliwosci, pracujacego najkorzystniej w ukladzie wspólnego emitera, dla otrzy¬ mania z detekcji fali nosnej skladowej stalej pradu, która wykorzystuje sie do polaryzacji zlacza baza emiter tran¬ zystora (T) pierwszego stopnia wzmacniacza. 45
2. Uklad wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze do bazy ' lub emitera tranzystora (T) ma dolaczony dzielnik napie¬ cia (Ri, R2) o zmiennym stosunku oporów dla dodatko¬ wej polaryzacji wstepnej bazy lub emitera celem pogle¬ bienia stanu zatkania tranzystora (T).KI. 21a4.22/02 65483 MKP H04b 15/02 r AR\N y Cd R Fic. f 4RM f /Va. 2 Cd Ud 1 I i—c: 4 *2 Fig. 3 _*. /».<¦/. ¦rf Cd ** \S6 I /** *c PL PL
PL136948A 1969-11-17 PL65483B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL65483B1 true PL65483B1 (pl) 1972-02-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4019160A (en) Signal attenuator circuit for TV tuner
US3512096A (en) Transistor circuit having stabilized output d.c. level
US5382920A (en) Circuit arrangement for an optical receiver
US4742565A (en) Radio receiver with field intensity detector
JPH0728180B2 (ja) 増幅器
US3328714A (en) Automatic gain control system for cascaded transistor amplifier
US6239659B1 (en) Low power gain controlled amplifier with high dynamic range
SU1103812A3 (ru) Усилитель с регулируемым коэффициентом усилени
US3469195A (en) Detector and agc circuit stabilization responsive to power supply changes
US3723894A (en) Automatic gain control circuit
US3284713A (en) Emitter coupled high frequency amplifier
US2852625A (en) High input impedance transistor amplifier
US4344044A (en) Gain-controlled amplifier utilizing variable emitter degeneration and collector load impedance
US3038072A (en) Automatic-gain and bandwidth control system for transistor circuits
US2860196A (en) Transistor amplifier with overload protection
US3800229A (en) Gain controlled high-frequency input stage having a pin-diode network
US2949533A (en) Automatic gain control circuit for use in transistor amplifiers
US4041390A (en) Transceiver squelch circuit
PL65483B1 (pl)
US4327332A (en) Circuit arrangement useful in developing decoupled operating voltages for IF amplifier stages of an integrated circuit
US3665317A (en) Sequential agc system for signal receiver
US3027518A (en) Automatic gain control system
US3428910A (en) Automatic gain control system
US2930890A (en) Squelch circuit with regeneration in noise amplifier
US4385400A (en) Automatic gain control arrangement useful in an FM radio receiver