PL64432B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL64432B1
PL64432B1 PL136132A PL13613269A PL64432B1 PL 64432 B1 PL64432 B1 PL 64432B1 PL 136132 A PL136132 A PL 136132A PL 13613269 A PL13613269 A PL 13613269A PL 64432 B1 PL64432 B1 PL 64432B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layers
current
electrodes
ferromagnetic layers
magnetic field
Prior art date
Application number
PL136132A
Other languages
English (en)
Inventor
Sczaniecki Zenon
Gontarz Romuald
Kwiat¬kowski Waldemar
Ratajczak Henryk
Original Assignee
Polska Akademia Nauk
Filing date
Publication date
Application filed by Polska Akademia Nauk filed Critical Polska Akademia Nauk
Publication of PL64432B1 publication Critical patent/PL64432B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 02.X.1969 (P 136 132) 29.11.1972 64432 KI 21 g, 31/02 MKP H 011,13/00 UKD BIBLIOTEKA! Wspóltwórcy wynalazku: Zenon Sczaniecki, Romuald Gontarz, Waldemar Kwiat¬ kowski, Henryk Ratajczak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Fizyki), Warszawa (Polska) Sposób otrzymywania liniowej charakterystyki spadku napiecia wzdluz kierunku pradu elektrycznego przeplywajacego poprzez cienkie warstwy ferromagnetyczne oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania li¬ niowej charakterystyki spadku napiecia wzdluz kierunku pradu elektrycznego przeplywajacego poprzez cienkie warstwy ferromagnetyczne wzgledem natezenia pola magnetycznego, oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu.W jednodomenowej, o jednoosiowej anizotropii mag¬ netycznej, przewodzacej prad elektryczny o natezeniu ls cienkiej warstwie ferromagnetycznej 1 powstaje wzdluz kierunku przeplywu tego pradu spadek napiecia Ux, be¬ dacy kwadratowa funkcja natezenia pola magnetycznego H (fig. 1). Skladowa napiecia Ux, zalezna od natezenia pola magnetycznego H wyraza sie wzorem Ux Ap 1 HJbd k ls H2 w którym A9 = 911 — 91 oznacza róznice opornosci wla¬ sciwych gdy wektor namaganesowania M jest odpowied¬ nio równolegly i prostopadly do kierunku pradu Is w warstwie: Hk — pole anizotropii; 1, b i d dlugosc, sze¬ rokosc i grubosc warstwy; Is — natezenie pradu plyna¬ cego przez warstwe; H — wartosc wektora natezenia zewnetrznego pola magnetycznego, dzialajacego w kie¬ runku prostopadlym do osi latwego namagnesowania.Kwadratowy charakter zaleznosci napiecia Ux od natezenia zewnetrznego pola magnetycznego H nie poz¬ wala na wykorzystanie tego napiecia w urzadzeniach do mnozenia dwu wielkosci elektrycznych. 20 25 W znanych cienkowarstwowych ferromagnetycznych urzadzeniach do mnozenia dwu wielkosci elektrycznych, uzyteczne napiecie wyjsciowe Uy zbierane jest w kierun¬ ku prostopadlym do kierunku przeplywu pradu i dla H < Uy Ap 2Hkd Is H 30 Wystepuje tu zaleznosc liniowa Uy od pola H, ale z porównania wzorów (1) i (2) widac, ze wartosc na- 1 piecia Uy jest ~~ razy mniejsza niz wartosc napiecia Hkb Ux jakie wystepuje wzdluz kierunku przeplywu pradu I5, to tez czulosc znanych cienkowarstwowych ferromagne¬ tycznych urzadzen do mnozenia dwu wielkosci elektrycz¬ nych czesto jest niezadowalajaca. Do pomiaru stosunko¬ wo malego uzytecznego sygnalu wyjsciowego Uy trzeba stosowac czule mierniki, lub specjalne wzmacniacze.Ogranicza to znacznie mozliwosci praktycznego zastoso¬ wania tych urzadzen, zwlaszcza tam, gdzie warunki eks¬ ploatacji uniemozliwiaja uzycie czulych mierników, a sto¬ sowanie wzmacniaczy jest nieoplacalne. Ponadto przy malym sygnale wyjsciowym trudno jest ograniczyc wplyw szumów zaklócajacych, takich jak na przyklad sila ter¬ moelektryczna, napiecie kontaktowe i inne.Celem wynalazku jest otrzymanie w cienkich warst¬ wach ferromagnetycznych wzdluz kierunku przeplywu pradu spadku napiecia o duzej wartosci i liniowej zalez¬ nosci od natezenia pola magnetycznego, zas zadaniem wynalazku jest podanie sposobu zapewniajacego osiagnie- 644323 cie tego celu, oraz opracowanie odpowiedniego urzaz- dzenia do stosowania tego sposobu.Cel ten osiagnieto przez zastosowanie sposobu pole¬ gajacego na tym, ze cztery cienkie warstwy ferromagne¬ tyczne laczy sie w uklad mostkowy i ustawia tak, aby osie latwego namagnesowania tych warstw, byly wzajem- n nie równolegle i tworzyly z kierunkiem pradu katy oraz tak, aby ze wzrostem natezenia zewnetrznego pola magnetycznego katy pomiedzy wektorami namagneso¬ wania a normalnymi do kierunku pradu dla dwóch przeciwleglych, warstw wzrastaly, zas dla pozostalych dwóch warstw malaly.Do jednej przekatnej mostka doprowadza sie prad, który rozplywa sie równomiernie w obu galeziach most¬ ka, natomiast uzyteczny sygnal wyjsciowy zbiera sie z drugiej jego przekatnej. Dalej cel osiagnieto przez zbudowanie urzadzenia, w którym cztery cienkie warstwy -ferromagnetyczne bedace bokami kwadratu maja wspólne podloze i ich osie latwego namagnesowania sa wzajemnie równolegle i nachylone pod katami —_ do kierunków pradu. Elektrody pradowe do których podawany jest prad sterujacy i elektrody napieciowe z których zbierany jest sygnal wyjsciowy, lacza warstwy ferromagnetyczne tworzac uklad mostkowy. Cienkie warstwy ferromagne¬ tyczne, elektrody oraz podloze znajduja sie w obrebie oddzialywania pola magnetycznego wytworzonego przez cewke przymocowana do podloza. Zewnetrzne pole mag¬ netyczne jest wytwarzane przez prad plynacy poprzez cewke przemagnesowujaca.Stosujac sposób wedlug wynalazku otrzymujemy na przekatnej mostka uzyteczny sygnal wyjsciowy, który dla H <^ Hk wyraza sie wzorem Otrzymano wiec liniowa zaleznosc Uw od natezenia pola magnetycznego H, a ponadto z porównania wzorów (2) i (3) widac, ze wartosc sygnalu wyjsciowego Uw jest 1 — razy wieksza od sygnalu wyjsciowego w znanych urza- b dzeniach do mnozenia dwu wielkosci elektrycznych, za¬ tem urzadzenie wykorzystujace sposób wedlug wynalazku moze sluzyc jako element do mnozenia dwu wielkosci elektrycznych przy czym odznacza sie ono znacznie wiek¬ sza czuloscia.Sposób wedlug wynalazku zostanie blizej objasniony przy pomocy rysunku, na którym fig. 2 przedstawia schemat polaczenia warstw ferromagnetycznych, fig. 3 przedstawia przyklad wykonania urzadzenia, zawierajacy uklad czterech warstw ferromagnetycznych stanowiacych boki kwadratu, fig. 4 — odmiane urzadzenia z ukladem warstw ferromagnetycznych o gestym upakowaniu, fig. 5 — odmiane urzadzenia, w którym warstwy ferromagne¬ tyczne sa ustawione równolegle, a fig. 6 — odmiane urza¬ dzenia, W którym pole magnetyczne jest wytwarzane przez prad plynacy poprzez dodatkowa warstwe prze¬ wodzaca.Na fig. 2 przedstawione sa cztery cienkie warstwy fer¬ romagnetyczne la, Ib, lc, Id o szerokosci b i dlugosci 1 polaczone w uklad mostkowy. Warstawy te sa tak usy¬ tuowane, aby osie latwego namagnesowania L tych warstw, zbiezne z kierunkiem X, byly wzajemnie równo- 4 n legle i tworzyly katy — z kierunkami pradu oraz aby zewnetrzne pole magnetyczne H odchylalo wektory na¬ magnesowania M o katy a, przy czym ze wzrostem na¬ tezenia pola H katy opmiedzy normalnymi do kierunku pradu a wektorami M dla warstw la i lc maja wzrastac zas dla warstw Ib i Id malec. Prad sterujacy Is doprowa¬ dzony do jednej przekatnej mostka rozplywa sie równo- 10 miernie w obu jego galeziach, gdyz ich opornosci sa so¬ bie równe niezaleznie do wartosci pola magnetycznego H. Uzyteczny sygnal wyjsciowy Uw bedacy iloczynem natezenia pradu Is i natezenia pola, magnetycznego H zbierany jest z drugiej przekatnej mostka. 15 W urzadzeniu do stosowania sposobu wedlug wyna¬ lazku przedstawionym przykladowo na fig. 3 cztery cien¬ kie warstwy ferromagnetyczne la, Ib, lc, Id posiadaja wspólne podloze 4 najlepiej szklane i tworza boki kwa¬ dratu. Osie latwego namagnesowania tych warstw sa 20 równolegle do kierunku wskazanego przez os X. Elek¬ trody pradowe 2, do których doprowadza sie napiecie powodujace przeplyw pradu sterujacego Is, oraz elektro¬ dy napieciowe 3, z których zbiera sie uzyteczny sygnal wyjsciowy Uw lacza warstwy ferromagnetyczne tworzac 25 uklad mostkowy. Pole magnetyczne H wytwarzane w cewce 5 przez prad Im dziala w kierunku prostopadlym do osi latwego namagnesowania. Sygnal wyjsciowy Uvv jest proporcjonalny do iloczynu Is • Im, to znaczy iloczy¬ nu pradu sterujacego I3 i pradu Im wytwarzajacego pole 30 magnetyczne.Elektrody 2 i 3 mozna parami zamienic, to znaczy prad sterujacy Is mozna doprowadzic do elektrod napie¬ ciowych 3, a napiecie wyjsciowe Uw zbierac z elektrod pradowych 2. Mozliwosc takiej zmiany jest dodatkowa 35 zaleta urzadzenia.W odmianie urzadzenia przedstawionej na fig. 4 dwie pary równolaglych warstw ferromagnetycznych, posiada¬ jacych wspólne podloze 4 sa do siebie prostopadle.Jedna para cienkich warstw ferromagnetycznych,, a mia¬ nowicie para Ib, lc, polaczona z jedna elektroda napie¬ ciowa 3, ma warstwy ustawione wzgledem siebie tak, ze tworza litere „V". Druga para warstw la i Id, polaczona z druga elektroda napieciowa 3 sa ustawione tak wzgle¬ dem siebie, ze tworza odwrócona litere „V". Obie te pary warstw, zachowujac równoleglosc ramion liter „V" sa bardzo blisko siebie ustawione. Takie ustawienie warstw pozwala na lepsze wykorzystanie powierzchni podloza umozliwiajac znaczne zmniejszenie wymiarów urzadzenia. 50 W odmianie urzadzenia wedlug wynalazku przedsta¬ wionej na fig. 5 cztery warstwy ferromagnetyczne la, Ib, lc, Id sa wzajemnie równolegle i tak polaczone w uklad mostkowy, ze prad sterujacy Is w warstwach la i Id ma kierunek przeciwny do kierunku pradu w warst¬ wach Ib i lc. Osie latwego namagnesowania tych warstw sa równolegle do kierunku osi X. Prad Im plynacy po¬ przez przeciwnie nawiniete sekcje cewki 5 wytwarza pole magnetyczne H o przeciwnych zwrotach w obu sekcjach cewki. Tak wiec spelniony jest warunek podany w sposo- 60 — bie wedlug wynalazku, aby wektory namagnesowania M na skutek dzialania zewnetrznego pola magnetycznego H odchylaly sie w kierunkach przeciwnych dla kazdej pary warstw przeciwleglych mostka. Uzyteczne napiecie wyjs- 65 ciowe Uw proporcjonalne do iloczynu Is • Im zbierane64432 jest z elektrod napieciowych 3. Odmiana urzadzenia przedstawiona na fig. 5 umozliwia dalsza jego miniatury¬ zacje.W odmianie urzadzenia przedstawionej na fig. 6 pole magnetyczne H wytwarzane jest za pomoca dodatkowej warstwy przewodzacej 6, przez która przeplywa prad Im doprowadzony do elektrod 8. Warstwa ta jest odizolo¬ wana od warstw ferromagnetycznych la, Ib, lc, Id warstwa izolacyjna 7 najlepiej SiO. Osie latwego na¬ magnesowania warstw ferromagnetycznych sa równolegle do kierunku wyznaczonego przez os X. Na elektrodach napieciowych 3 powstaje napiecie wyjsciowe Uw bedace funkcja iloczynu Is * Im. Równiez w tym rozwiazaniu elektrody 2 i 3 mozna polaczyc zamiennie.W podanych przykladowo urzadzeniach wedlug wyna¬ lazku cienkie warstwy ferromagnetyczne moga byc poje¬ dyncze lub tez wielokrotne, prady lub napiecia podlegaja¬ ce mnozeniu moga byc stale lub przemienne, oraz moga byc równiez stosowane pola podmagnesowujace zmienia¬ jace anizotropie warstw.Zastosowanie sposobu otrzymywania liniowej charak¬ terystyki spadku napiecia wzdluz kierunku przeplywu pradu w cienkich warstwach ferromagnetycznych umozli¬ wia zbudowanie urzadzen do mnozenia dwu wielkosci elektrycznych, przy czym urzadzenia te charakteryzuja sie znaczna czuloscia, co daje wiele mozliwosci ich praktycznego zastosowania. PL

Claims (5)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób otrzymywania liniowej charakterystyki spad¬ ku napiecia wzdluz kierunku pradu elektrycznego prze¬ plywajacego poprzez cienkie warstwy ferromagnetyczne wzgledem natezenia pola magnetycznego znamienny tym, ze cztery cienkie warstwy ferromagnetyczne laczy sie w uklad mostkowy i ustawia tak, aby ich osie latwego namagnesowania byly wzajemnie równolegle i tworzyly n z kierunkiem pradu katy —-, oraz tak, aby ze wzrostem natezenia zewnetrznego pola magnetycznego katy pomie¬ lo dzy wektorami namagnesowania (M) a normalnymi do kierunku przeplywu pradu dla dwóch przeciwleglych warstw wzrastaly, zas dla pozostalych dwóch warstw ma¬ laly, przy czym do jednej przekatnej mostka doprowadza sie prad, który rozplywa sie równomiernie w obu jego galeziach, natomiast uzyteczny sygnal wyjsciowy, bedacy iloczynem natezenia pradu i natezenia pola, zbiera sie z drugiej przekatnej.
  2. 2. Urzadzenie do stosowania tego sposobu znamienne tym, ze cztery cienkie warstwy ferromagnetyczne (la, Ib, lc, Id) bedace bokami kwadratu maja wspólne podloze (4) i ich osie latwego namagnesowania sa wzajemnie K równolegle i nachylone pod katami —- do kierunków 15 pradu, a elektrody pradowe (2) do których podawany jest prad sterujacy (Is) i elektrody napieciowe (3) z któ¬ rych zbierany jest uzyteczny sygnal wyjsciowy Uw, lacza warstwy ferromagnetyczne (la, Ib, lc, Id) tworzac uklad mostkowy przy czym warstwy (la, Ib, lc, Id), elektrody 20 i podloze (4) znajduja 'sie w obrebie oddzialywania cewki (5) przymocowanej do podloza (4).
  3. 3. Odmiana urzadzenia wedlug zastrz. 2 znamienna tym, ze para cienkich warstw ferromagnetycznych (Ib, lc) polaczona z jedna elektroda napieciowa (3) ma warstwy 25 ustawione wzgledem siebie pod katem prostym tworzac litere „V",a druga para warstw (la, Id) polaczona z dru¬ ga elektroda napieciowa (3) ma warstwy ustawione wzgledem siebie tworzac odwrócona litere „V", przy czym obie pary warstw, zachowujac równoleglosc ramion 30 litery, sa blisko siebie ustawione.
  4. 4. Odmiana urzadzenia wedlug zastrz. 2 znamienna tym, ze cztery cienkie warstwy ferromagnetyczne (la, Ib, ? lc, Id) sa ustawione wzajemnie równolegle w dwu rze¬ dach a cewka (5) sklada sie z dwóch przeciwnie nawinie- 35 tych lub zgodnie nawinietych przeciwnie polaczonych sekcji, zas prad sterujacy (Is) doprowadzony do elektrod pradowych (2) rozplywa sie tak", ze w kazdej parze sa¬ siadujacych warstw ma kierunki przeciwne.
  5. 5. Odmiana urzadzenia wedlug zastrz. 2 znamienna 40 tym, ze jest zaopatrzona w dodatkowa warstwe przewo¬ dzaca (6), oddzielona warstwa izolacyjna (7) od warstw ferromagnetycznych (la, Ib, lc, Id).KI. 21 g, 31/02 64432 MKP H 01 f, 13/00 Fig.1 Fig.2 1a 3 1c 5 U 1a 3 1d 2 1c Fig. UKI. 21 g, 31/02 64432 MKP H 01 f, 13/00 lm Fig. 5 1b 1o U 3 8 PL
PL136132A 1969-10-02 PL64432B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL64432B1 true PL64432B1 (pl) 1971-12-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Uchida et al. Observation of anisotropic magneto-Peltier effect in nickel
Saito et al. Evidence of a new current-induced magnetoelectric effect in a toroidal magnetic ordered state of UNi4B
Seki et al. Relationship between anomalous Ettingshausen effect and anomalous Nernst effect in an FePt thin film
KR960018612A (ko) 자계 센서, 브리지 회로 자계 센서 및 그 제조 방법
Alidoust et al. Spontaneous edge accumulation of spin currents in finite-size two-dimensional diffusive spin–orbit coupled SFS heterostructures
EP3309572B1 (en) Interdigitated single axis magnetoresistive magnetic field sensor
JP2018505555A (ja) 磁気メモリ素子
JP6320515B2 (ja) 磁界センサ装置
Li et al. A monomaterial Nernst thermopile with hermaphroditic legs
Uchida et al. Observation of the magneto-Thomson effect
McKeehan Electrical resistance of nickel and permalloy wires as affected by longitudinal magnetization and tension
JP7751321B2 (ja) 熱電発電デバイス
Hirai et al. Temperature dependence of anisotropic magneto-Seebeck effect in NiPt alloys
PL64432B1 (pl)
Chiba et al. Single-material-based anomalous Nernst thermopile driven by solar heating and radiative cooling
García-Muñoz et al. Muon-spin-relaxation study of magnetic order in R NiO 3 (R= rare earth) below the metal-insulator transition
Xie et al. Sliding dynamics of current-driven skyrmion crystal and helix in chiral magnets
Xu et al. Generalized Fourier law and anomalous Righi–Leduc effect in a ferromagnet
Smith The Hall effect and allied phenomena in rare metals and alloys
Mizuguchi Control of anomalous Nernst effect in spintronic materials
Matusiak et al. The Nernst effect in ferromagnet–superconductor bilayer heterostructures
Fukami et al. Current-induced domain wall motion in magnetic nanowires with various widths down to less than 20 nm
Zhang et al. Direct measurement of magnon temperature by magneto-optic Kerr effect in YIG
US20160322091A1 (en) Magnetic tunnel junction switching assisted by temperature-gradient induced spin torque
RU2307427C2 (ru) Магниторезистивный датчик поля